【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】基材表面が金属単原子層で被覆された金属単原子層被覆材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】親和力、融点及び蒸発温度に関して所定の関係を満たす第１の基材及び被覆金属を、金属単原子層が形成されるように密閉容器内に封入する封入工程と、密閉容器を、各被覆金属の真空での蒸発温度の最大値Ｔ_Mb以上、各第１の基材と各被覆金属とが反応する温度の最小値及び密閉容器の耐熱温度の内のいずれか低い方の温度以下で加熱した後、冷却し、第１の基材の表面を被覆金属からなる金属単原子層で被覆する被覆工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】性能低下が抑制される干渉フィルターを提供すること。
【解決手段】干渉フィルター５は、ギャップＧを介して対向する２つの反射膜５６，５７と、反射膜５６，５７を支持する基板５１，５２と、を備え、反射膜５６，５７は、純銀膜５６１，５７１と銀合金膜５６２，５７２とを含み、基板５１，５２には、基板５１，５２側から順に純銀膜５６１，５７１、及び銀合金膜５６２，５７２が設けられ、銀合金膜５６２，５７２は、銀（Ａｇ）、サマリウム（Ｓｍ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｓｍ−Ｃｕ合金膜、又は銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、及びネオジム（Ｎｄ）を含有するＡｇ−Ｂｉ−Ｎｄ合金膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内で被接合物どうしを接合する技術を提供する。
【解決手段】表面活性化された接合表面を有する被接合物どうしを接合するときに、真空チャンバー内において、少なくとも一方の被接合物に金属をスパッタして金属膜を形成することにより、金属膜により当該被接合物の表面活性化された接合表面を形成して、被接合物どうしを接合する。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０であって、少なくとも、線膨張係数がＭｇＯよりも小さく、かつ０．５×１０^−６／Ｋ以上の材料からなるベース基材１３と、該ベース基材１３の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側に貼り合わせ法で形成した単結晶ＭｇＯ層１１と、該単結晶ＭｇＯ１１上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、ロジウム膜、白金膜のいずれかからなる膜１２を有するものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材１０。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、圧電体の配向性が高い圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電素子の製造方法は、鉄酸マンガン酸ビスマスランタンを主成分とする圧電体を含む圧電素子の製造方法であって、第１電極を形成する第１電極形成工程と、第１電極の上方に、前駆体を塗布する塗布工程と、前駆体を、１５０℃以上２００℃以下の温度で熱処理する第１熱処理工程と、第１熱処理工程の後に、前駆体を、３５０℃以上４５０℃以下の温度で熱処理する第２熱処理工程と、第２熱処理工程の後に、前駆体を焼成することにより結晶化させて、圧電体を形成する焼成工程と、圧電体の上方に、第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】放電容量を高める等の蓄電装置の性能を向上させることが可能な蓄電装置の作製方法を提供する。また、蓄電装置等に用いることで性能を向上させることが可能な半導体領域の形成方法を提供する。
【解決手段】導電層上に、ＬＰＣＶＤ法により、結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガスを含む原料ガスの供給を停止した後、結晶性半導体領域を加熱処理する結晶性半導体領域の形成方法である。また、当該結晶性半導体領域を蓄電装置の活物質層として用いる蓄電装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】平面性に優れかつ生産性にも優れる両面金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムを効率よく製造できる成膜方法及びスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】この第１成膜工程に続いて、上記他方の面（第１成膜面）を第２冷却ロール３９に接触させて冷却すると共に、この接触している他方の面とは反対側の一方の面（第２成膜面）に成膜する（第２成膜工程）。この第２成膜工程に続いて、上記一方の面（第２成膜面）を第３冷却ロール４０に接触させて冷却すると共に、この接触している一方の面とは反対側の他方の面に成膜する（第３成膜工程）。これらの工程を順に繰り返しながら、耐熱性樹脂フィルム３２に複数の薄膜を重ねて成膜する。 （もっと読む）

【課題】無欠陥の無電解ニッケルメッキ膜の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ法を用いて、基材上に９９．９９％以上の純度および２．５μｍ以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、無電解メッキを用いて、アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする無電解ニッケルメッキ膜の製造方法。ここで、基材とアルミニウム層との間に９９．９９％以上の純度を有するチタン層を形成する工程をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたIII族窒化物の受光層を形成することのできる半導体積層構造、及びこれを用いた紫外線センサーを提供する。
【解決手段】所定の基材３上において、III族窒化物下地層４と、少なくともGaを含むIII族窒化物層５とを順次に積層し、その上にInおよびAl、あるいは一方を含むIII族窒化物からなるAlyInxGa1-x-yN受光層６を設けた半導体積層構造１、及びこれを用いて表面にショットキー電極７s、およびオーミック電極７oを形成させて紫外線センサー２を作製する。 （もっと読む）