【課題】本発明は、薄肉部分を有する部品の成形において、シルバーや曇りなどの発生を抑制し、かつ、金属蒸着、例えばアルミ蒸着後において、熱エージング前後の外観、特に表面反射率の保持に優れ、さらに剛性および耐熱性にも優れた高輝度・低ガス性薄肉樹脂反射鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の高輝度・低ガス性薄肉樹脂反射鏡は、樹脂組成物からなる高輝度・低ガス性薄肉樹脂反射鏡であって、前記反射鏡が金属蒸着されたものであり、前記金属蒸着された部分の成形品厚みが平均２ｍｍ以下であり、前記金属蒸着された部分（蒸着面）の初期表面反射率が９０％以上であり、前記金属蒸着された部分の表面粗さが１２ｎｍ以下であり、かつ前記樹脂組成物についてフォギング試験を行った後のガラス板のヘイズ値が１．０以下である。 （もっと読む）

【課題】イオン液体代替の、より環境負荷が小さく安定的に金属微粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】微粒子の製造方法は、液体高分子ポリエチレングリコールに貴金属、Ｓｉ及びＣｄの少なくともいずれかをスパッタリングする。また、この手段において、貴金属は、金、銀、銅、白金の少なくともいずれかを含むことが好ましい。また、この手段において、高分子ポリエチレングリコールの数平均分子量は、２００以上８００以下の範囲にあることが好ましい。また、本手段において、スパッタリングの後、加熱処理を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】表面延設方向における電気絶縁性を示す絶縁物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁物品は、電気絶縁性をもつ材料で形成された基部２と、基部２の表面の上に積層されクロムを母材とすると共に網目状クラックが形成された金属光沢をもち且つ網目状クラックにより膜延設方向における電気絶縁性が高められたクロム膜３とを有する。網目状クラックによりクロム膜３の膜延設方向（Ａ１方向）における電気絶縁性が高められている。 （もっと読む）

【課題】配線形成時に配線形成用溝の間口を閉塞させないで配線形成用溝内に連続したＣｕ膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線形成用溝形成工程では、層間絶縁膜１０に配線形成用溝３１を形成する。バリアメタル膜形成工程では、配線形成用溝３１が形成された層間絶縁膜１０上の全面にバリアメタル膜１４を形成する。Ｃｕ膜形成工程では、配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上の膜厚に比して配線形成用溝３１内の底部の方が厚くなるように、バリアメタル膜１４上にＣｕ膜１５を形成する。リフロー工程では、バリアメタル膜１４上のＣｕ膜１５をリフローさせ、配線形成用溝３１内に埋め込む。そして、除去工程では、少なくとも配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上のバリアメタル膜１４をＣＭＰ法によって除去する。 （もっと読む）

【課題】短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、回転可能な基板ホルダー１０３と、基板ホルダー１３０に対して斜めに配置されたターゲットホルダー１０７ａ〜１０７ｄと、ターゲットホルダーと基板ホルダーの間に設けられ、回転軸Ｘに対して２回対称に配置された２個の孔を有する第１シャッター１１５および第２シャッター１１６とを備える。ターゲットホルダー１０７ａ、１０７ｃは、回転軸Ｘに対して２回対称な位置に配置される第１群のターゲットホルダーであり、ターゲットホルダー１０７ｂ、１０７ｄは、第１群のターゲットホルダー同士の間に回転軸Ｘに対して２回対称に配置される第２群のターゲットホルダーである。 （もっと読む）

【課題】半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、Ｂｅ，Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃｅの総計が５００ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物であることを特徴とするＣｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ビットパターンを高密度に集積した場合にも，熱安定性と記録性に優れ，ビットパターンのトラック周期よりも広い記録素子及び再生素子の磁気ヘッドを用いることができるようにする。
【解決手段】円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を，上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。外周部は高出力層を除去して熱安定性を向上した熱安定性領域２２とし，中心部は再生領域２１とする。また，外周部と中心部の間に垂直磁気異方性と飽和磁束密度を小さくした反転制御領域２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】液晶ポリマーフィルムの表面を、２．６〜１５Ｐａのガス圧の酸素雰囲気又は窒素雰囲気下でプラズマ処理した面に、乾式めっき及び／又は湿式めっきにより形成された金属導体層を備えた銅張積層板。液晶ポリマーフィルムのプラズマ処理後の表面粗さが、算術平均粗さＲａが０．１５μｍ以下であり、かつ二乗平均平方根粗さＲｑが０．２０μｍ以下である上記銅張積層板。
【解決手段】液晶ポリマーフィルムの表面を、２．６〜１５Ｐａのガス圧の酸素雰囲気又は窒素雰囲気下でプラズマ処理したした後、乾式めっき及び／又は湿式めっきにより金属導体層を形成することを特徴とする銅張積層板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板にイオンボンバード処理を施した後、この透明基板上にイオンプレーティングにより厚さ５〜２０ｎｍ、好ましくは厚さ５〜１０μｍの銀を含む金属薄膜を蒸着させて、抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、波長３００ｎｍおよび５００ｎｍの光の透過率が７０％以上、好ましくは８０％以上である透明導電薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、体積抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、波長３００ｎｍと波長５００ｎｍとピーク波長のいずれかの光の透過率が７０％以上である。波長７００ｎｍおよび８００ｎｍの少なくとも一方の光の透過率が６０％以上であるのが好ましく、ピーク波長の光の透過率が８０％以上であるのが好ましい。金属薄膜は、銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる１種以上を含むのが好ましく、金属薄膜中の銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる１種以上の含有量が１０体積％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）