【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化スズ（ＳｎＯ₂）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化スズ（ＳｎＯ₂）のモル比が１５：８５〜９０：１０であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と一酸化ケイ素（ＳｉＯ）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と一酸化ケイ素（ＳｉＯ）のモル比が４０：６０〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）のモル比が５０：５０〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部の機械的影響から保護する硬質材料層を少なくとも部分的に備えている改善されたガラスセラミックを提供する。
【解決手段】外部の機械的影響に対して保護する硬質材料層を少なくとも部分的に備えているガラスセラミックであって、その際、− 硬質材料層が、並んで存在しており、かつ互いに混合されている少なくとも２つの相を含有し、− 少なくとも１つのナノ結晶相及び１つの非晶相が存在し、− 硬質材料層が、少なくとも２６ＧＰａの強度及び少なくとも０．５μｍの層厚を有し、− 硬質材料層が、２００℃〜１０００℃の温度範囲内で耐化学薬品性であり、かつ− ガラスセラミックの熱膨張係数αが、硬質材料層の熱膨張係数αから^＋／₋２０％を超えて相違しないガラスセラミックによって解決される。 （もっと読む）

【課題】例えば幅広ビーム源への使用に好適な、実用性に優れるラインプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】ラインプラズマ発生装置１０は、長手方向にマイクロ波を伝搬するための導波管１４と、長手方向に沿って配設され、導波管１４にプラズマを閉じ込めるための長手方向に交差する磁場を発生させるための磁石１６と、を備える。導波管１４は、側壁２４から管内に突き出して長手方向に延びるリッジ部２６を備え、リッジ部２６は側壁２４の外表面に長手方向に延びる凹部２８を形成してもよい。磁石１６は、凹部２８に配設されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 低保磁力を有する垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金、およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂを１種以上、Ｗ，Ｓｎの１種または２種を含み、残部ＣｏおよびＦｅからなり、下記（１）〜（４）を満たすことを特徴とする、垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金。ａｔ．％で、
（１）６≦Ｔｉ％＋Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％＋Ｂ％／２≦２４
（２）Ｚｒ％＋Ｈｆ％≦１４
（３）３≦Ｗ％＋Ｓｎ％≦１９
（４）０．２０≦Ｆｅ％／（Ｆｅ％＋Ｃｏ％）≦０．９０ （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールやパーティクルの発生を抑制することができるとともに、膜特性の均一性の高い膜が得られるＧＴＯスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａ_２Ｏ_３が１〜２０ｍｏｌ％、残部ＳｎＯ_２及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、相対密度が９７％以上、バルク抵抗率が１０００Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置を得る。
【解決手段】スパッタリング処理によって被処理基板１００に対して導電膜１０３を形成するスパッタリング装置は、処理室と、金属製のローラ基部３Ｌおよびローラ基部３Ｌの全周に設けられる樹脂材３Ｒを含む搬送ローラ３と、樹脂材３Ｒの表面を被覆しつつローラ基部３Ｌに電気的に導通された導電部３Ｓと、を備え、処理室内で被処理基板１００に導電膜１０３を形成するとき、被処理基板１００は、導電部３Ｓに当接して搬送ローラ３に搬送され、導電部３Ｓを通して除電されつつスパッタリング処理される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】インジウム、チタン、及び亜鉛を含む酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタ、及び該トランジスタを含む半導体装置を提供する。酸化物半導体層に接するバッファ層としては、チタン、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む金属酸化層を適用することができる。 （もっと読む）