【課題】 低抵抗かつ高反射率の特性と共に表面粗さが小さく、高い耐硫化性及び耐塩化性を兼ね備えた導電性膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜が、ＩｎおよびＳｎのうち１種または２種を合計で：０．１〜１．５原子％、Ｓｂ：０．１〜１．５原子％を含有し、さらにＧａ，Ｍｇの内の１種または２種を合計で０．５〜３原子％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されている。この導電性膜は、表面に有機ＥＬ素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機ＥＬ層を含む電界発光層が積層される有機ＥＬ素子用の反射電極膜として好適である。 （もっと読む）

【課題】円筒形状のＣｕ−Ｇａ合金からなる高品質で量産が可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】溶解容器５内のＣｕとＧａを加熱手段で溶解して溶湯Ｍを形成し、前記溶解容器の底部に形成された円環状の開口７を開閉自在に覆うことができる引下部材６を所定の速度で引き下げることにより、前記開口を開放すると共に前記溶解容器内の前記溶湯を凝固させながら連続的に円筒形状のスパッタリングターゲットとなる凝固材を抜き出すに際して、前記溶解容器内の前記開口付近の前記溶湯を流動可能な半凝固状態とし、且つ前記溶解容器の前記開口から外部に出た直後に流動性のない凝固状態となるように、前記加熱手段によって温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】フィルム状ガラスの両面上に膜が形成されており、反りが抑制された膜付フィルム状ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム状ガラス１をターゲット２の表面２ａに対して垂直に保持した状態でターゲット２の上を通過させながらフィルム状ガラス１の両面１ａ、１ｂの上に成膜する。とくに、フィルム状ガラスを、スパッタリング法、ＣＶＤ法または真空蒸着法により成膜を行うことが好ましく、さらにターゲット上を通過する軌道に沿って旋回させながらフィルム状ガラスの両面の上に成膜することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を有し、ＷＯ_ｘ膜をＤＣスパッタにより成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、ＷＯ_２相とＷ_１８Ｏ_４９相との２相以上からなる組織を有した酸化タングステンの焼結体であり、ＷＯ_２相の組織中の割合が、５％以上である。このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＷＯ_２と、Ｗ_１８Ｏ_４９及びＷＯ_３の少なくとも一方とを含有した酸化タングステン粉を作製する工程と、該酸化タングステン粉を真空中でホットプレスにて焼結し、酸化タングステンの焼結体とする工程とを有し、前記酸化タングステン粉中の前記ＷＯ_２の含有量を、５〜９５ｍｏｌ％とする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗であると共に耐塩化性及び耐熱性に優れた導電体膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】導電体膜３が、Ｍｇを、０．５〜２質量％含有し、さらにＥｕを、０．０５〜１質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されている。この導電体膜３の製造方法は、Ｍｇを、０．５〜２質量％含有し、さらにＥｕを、０．０５〜１質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されているスパッタリングターゲットを用いてスパッタにより成膜する。 （もっと読む）

【課題】 本発明により室温でのＢｓに対する高温でのＢｓの低下幅が小さい垂直磁気記録媒体用軟磁性合金、およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、原子番号が５７〜７１のランタノイドに属する元素を１種以上と、Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｂの１種もしくは２種以上または／およびＣ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｗの１種もしくは２種以上を含み、残部Ｃｏ，Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、下記の式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とした垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層に用いる合金。（１）０．５≦ＴＬＡ≦１５、（２）５≦ＴＬＡ＋ＴＡＭ、（３）ＴＬＡ＋ＴＡＭ＋ＴＮＭ≦３０ （もっと読む）

【課題】透明樹脂基材に吸着しているガスの放出を抑え、ロール巻取りの際の巻きシワを抑制することができる透明薄膜積層体の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】基材巻出し室１の基材ロール２より透明樹脂基材３を巻出し、搬送ロール４を通過後、スパッタ室５のアノードドラム６を通過させる。その際にカソード７ａ、７ｂ、７ｃとの間に電力を印加しスパッタリングで透明導電性膜の成膜を行ない、搬送ロール４を通してフィルム巻き取り室８で再びロール９に巻き上げることにより、長尺、具体的には数１００ｍ以上、場合により数１０００ｍの透明薄膜積層体を連続的に製造する。基材ロール２に巻かれている透明樹脂基材３は、基材巻出し室１の調温装置１ａによって温度０℃に冷却する。また、搬送ロール４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとアノードドラム６及びスパッタ室５内雰囲気の温度を、調温装置１２により、透明樹脂基材３と同じ０℃に冷却する。 （もっと読む）

【課題】 本発明により、室温で低いＢｓを示すとともに、高温においてＢｓの低下幅が小さい垂直磁気記録媒体用軟磁性合金およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供できる。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｐ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｎを１種以上、残部Ｃｏ、Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、下記の式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とした垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材。（１）０≦Ｆｅ％／（Ｆｅ％＋Ｃｏ％）≦０．５
（２）５≦Ｔｉ％＋Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｖ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％＋Ｂ％／２
（３）０．３≦０．８１３×Ｆｅ％／（Ｆｅ％＋Ｃｏ％）−０．０６２×ＴＮＭ＋１．７５１≦１．２ （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に導入するべき導入ガスの流量値が大きくても、その流量値の近傍の狭い区間で流量を高速制御でき、例えば、真空チャンバ内のプラズマを所望の状態で保ち続けて、成膜等に最適な状態を維持することが可能なプラズマ制御装置及び流量制御装置を提供する。
【解決手段】前記真空チャンバＶＣ内に導入される導入ガスが流れる第１流路Ｌ１上に設けられた第１バルブ１１と、前記第１バルブ１１を経由して前記真空チャンバＶＣ内に導入される前記導入ガスの流量が第１流量となるように当該第１バルブ１１の開度を制御する第１バルブ制御部１２と、プラズマモニタ３と、前記導入ガスが流れる第２流路Ｌ２上に設けられた第２バルブ２１と、前記プラズマモニタ３で測定される測定プラズマ強度と、予め設定された設定プラズマ強度との偏差に基づいて前記第２バルブ２１の開度を制御する第２バルブ制御部２２と、を備えた。 （もっと読む）