本発明は本質的に：ａ）約６０から約９９モル％までのＳｎＯ_２、及びｂ）約１から約４０モル％までの、ｉ）Ｎｂ_２Ｏ_５、ｉｉ）ＮｂＯ、ｉｉｉ）ＮｂＯ_２、ｉｖ）ＷＯ_２、ｖ）ａ）ＭｏＯ_２とＭｏとの混合物及びｂ）Ｍｏからなる群から選択された材料、ｖｉ）Ｗ、ｖｉｉ）Ｔａ_２Ｏ_５、及びｖｉｉｉ）それらの混合物からなる群から選択される１種又は複数種の材料から構成されており、その際、モル％は全生成物を基準とし、成分ａ）と成分ｂ）の総和は１００である、組成物に関する。本発明はまた、係る組成物の焼結された製品、焼結された製品から製造されたスパッタリングターゲット及び該組成物から製造された透明な導電性被膜に関する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、ＡＩＰ法、ＭＳ法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が抑制され、品質の高い皮膜を形成するのために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、ＡｌとＭ成分、但し、Ｍ成分は４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｓｉ、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、ＡｌとＭ成分及びＡｌの窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 熱的安定性の高い酸化物半導体薄膜層を有する半導体素子の製法を提供することを解決課題とする。
【解決手段】 基板上に、スパッタリング法により成膜された酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する半導体素子の製法であって、前記スパッタリング法による前記酸化物半導体薄膜層の成膜において、酸素を含有したスパッタリングガスを用い、且つ、成膜時に前記基板にバイアス電力を印加することを特徴とする半導体素子の製法である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）、又は（３）及び（４）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
４００≦Ｔｓ（℃）≦４７５・・・（１）、
２０≦Ｖｓ（Ｖ）≦５０・・・・・・（２）、
４７５≦Ｔｓ（℃）≦６００・・・（３）、
Ｖｓ（Ｖ）≦４０・・・・・・（４） （もっと読む）

【課題】基板の成膜領域に非成膜部分が発生するのを回避することができる成膜基板の製造方法及び成膜基板の製造装置を提供すること。
【解決手段】基板１０のうち成膜粒子の照射方向に対する基板保持部材４の影Ｓがこの非成膜領域１０ｂに重なると共に成膜領域１０ａには重ならないように基板保持部材４を配置して当該基板保持部材４によって基板の非成膜領域１０ｂを保持した状態で成膜粒子を照射するので、成膜粒子の照射時に、基板１０の成膜領域１０ａが基板保持部材４の影になるのを防止することができ、成膜粒子が基板保持部材４によって遮られるのを回避することができる。これにより、基板の成膜領域１０ａに非成膜部分が発生するのを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】多孔質材などの多孔質材に被膜をコーティングする場合であっても、簡易的に被膜のコンタミネーションの付着を低減することができるコーティング装置を提供する。
【解決手段】多孔質材ＰＷの処理表面にターゲットＴを対向して配置し、少なくとも多孔質材ＰＷを印加してターゲットＴの粒子を多孔質材ＰＷの処理表面にコーティングするためのコーティング装置１であって、コーティング装置１は、多孔質材ＰＷを介してターゲットＴと対向する位置に少なくともイオン及び前記粒子の通過を遮蔽する遮蔽部材１５を備えており、該遮蔽部材は接地されている。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜の成膜により基板に応力が加わっても、基板が変形せず平坦度を良好とできるＥＵＶマスクブランクの多層反射膜の成膜方法の提供、およびバッファ層及び吸収層の成膜により基板に応力が加わっても、基板が変形せず平坦度を良好とできるＥＵＶマスクブランクの製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法を用いて、基板上にＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法であって、多層反射膜の成膜により基板に加わる応力と逆方向の応力を前記基板が有するように、前記基板を変形させた状態で前記多層反射膜の成膜を実施し、前記多層反射膜の成膜後、前記基板を変形前の形状に戻すことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】ヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生がなくかつ表面状態の良好な銅合金薄膜からなる液晶表示装置用配線および電極、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】希土類元素（Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ）：０．０１〜３原子％を含有し、さらにＡｇ：０．０１〜４原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

基板上に亜酸化クロムの薄膜を堆積させるためのＡＣまたはＤＣスパッタリングターゲットは、クロムの酸化物、金属クロム、および取込まれた酸素を含有する。ターゲットの抵抗率は、２００オーム．ｃｍ以下である。ターゲットは、クロムの酸化物の粉末と粉末状などの金属クロムとの組合せで作製され得るか、または１００％の酸化クロムもしくは亜酸化物材料で始め、当該材料をターゲット作製処理の前もしくは最中のいずれか一方に還元雰囲気に晒して、酸化クロムおよび／もしくは亜酸化物材料のある割合を金属クロムおよび保持酸素に還元して作製され得る。そのようなターゲットにより、不活性アルゴンガスのみの使用でスパッタリング処理を実行して、酸化クロムの薄膜を得ることができる。 （もっと読む）