【課題】 プラズマ処理室内に配置され、下方側に管構造を備える基板支持装置において、装置構成の大規模化や複雑化を招くことなく、管構造内部での結露を有効に防止する。
【解決手段】 基板支持電極を構成する基板ベース１１と基板支持電極を支持する支持管１４とは、絶縁フランジ１５で互いに絶縁され、また、基板ベース１１の下面１１１に接続される冷却水配管等は、支持管１４の内部で絶縁カラー１６により保持される。また絶縁カラー部１６は絶縁フランジの中空に嵌合している。ここで、基板ベース１１の下面１１１、絶縁フランジ１５の内周面１５２、および絶縁カラー部１６の外周面１６１により形成される下面露出空間Ｓを、防水透湿性材料からなるＯリング１７で水密に封止する。Ｏリングは透湿性を有するので、冷却により生じた水滴Ｄを水蒸気として、下面露出空間Ｓから揮発させることができる。 （もっと読む）

【課題】球状体の温度を正確に把握しつつ、表面の全域に対して表面処理を実施することを可能とする球状体の表面処理用治具、球状体の表面処理方法および球状部品の製造方法を提供する。
【解決手段】球状体の表面処理用治具である治具１は、球状体が固定されて保持される第１固定部１１Ａおよび第２固定部１１Ｂと、球状体が案内されつつ転動することが可能な転がり案内部１２とを備えている。そして、第１固定部１１Ａと第２固定部１１Ｂとは転がり案内部１２により接続されている。 （もっと読む）

【課題】磁性材料を含むマスクを基板を介して磁気吸引することにより前記マスクと前記基板を保持するキャリヤの状態をより確実に制御する。
【解決手段】基板保持装置５００は、キャリヤ４１０と、前記キャリヤ４１０を制御する制御部４２０とを備える。前記キャリヤ４１０は、永電磁石１０１と第１接点１２０ａとを含む。前記永電磁石１０１の極性可変磁石の極性を制御することによって、前記マスク２００および前記基板３００を保持する第１状態と、保持しない第２状態とのいずれかに設定される。前記制御部４２０は、前記第１接点１２０ａと前記第１接点１２０ａに接触して永電磁石１０１のコイルに電流を供給するための第２接点１２１ａとの接触状態を検知する検知部と、前記第１接点１２０ａと前記第２接点１２１ａとを介して前記コイルに電流を供給する電流供給部１５１とを含む。 （もっと読む）

【課題】部材に形成される膜の膜厚分布を高い精度で制御するために好適な技術を提供する。
【解決手段】膜を形成する成膜装置１は、供給源２０から供給される材料によって部材３０に膜が形成されるように部材３０を保持する保持機構４０と、保持機構４０によって保持された部材３０と供給源２０との間に部材３０から離隔して配置されて、部材３０に形成される膜の膜厚分布を制御する制御板１００とを備える。制御板１００は、少なくとも部材３０に対する膜の形成時は、保持機構４０によって保持された部材３０との相対位置が固定される。 （もっと読む）

【課題】永電磁石を有するキャリヤの状態を検知することにより確実な基板操作可能な基板保持装置を提供する。
【解決手段】基板保持装置は、磁性材料を含むマスク２００を基板３００を介して磁気吸引することによりマスクおよび基板を保持するキャリヤと、永電磁石１０１から出る磁界を検知する磁気センサ１８０によりキャリヤの状態を検知する検知部１８５とを備える。キャリヤは、永電磁石を含み、永電磁石は、極性が可変の極性可変磁石と、極性可変磁石の極性を変更するための磁界を発生するコイルと、極性が固定された極性固定磁石とを含み、キャリヤの状態は、コイルが発生する磁界によって極性可変磁石の極性を制御することによって、極性可変磁石および極性固定磁石が発生する磁界によってマスクおよび基板を保持する第１状態と、マスクおよび基板を保持しない第２状態とのいずれかに設定される。 （もっと読む）

【課題】カルーセル式の成膜装置を用いて成膜作業を行う際に、モニター基板の裏面に成膜される事態を回避して正確なモニター計測を行う。
【解決手段】基板保持部材５にモニター用通路２０が基板保持部材５の側面を貫通する形で形成されている。モニター用通路２０の一端部にモニター基板２１がその表面を基板保持部材５上の成膜基板の表面と同じ成膜条件とするように装着されている。成膜基板の成膜時にターゲットからスパッタされた粒子がモニター基板２１の裏面に到達する経路を遮断する経路遮断手段２２が設けられている。これにより、成膜時にモニター基板２１の裏面に成膜される事態を回避でき、正確なモニター計測を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ支持部に切欠き部が不要で、ウェーハ支持部間のピッチが狭い熱処理ボートに、複数のウェーハを同時に移載することができるウェーハ移載装置及び縦型熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェーハ収納容器と熱処理ボートのウェーハ支持部との間でウェーハを移載するウェーハ移載装置であって、把持板が、熱処理ボートのウェーハ支持部間に挿入されて、把持部材のウェーハの着脱により、突き上げ部の支持ピン上にウェーハを支持させる、又は、突き上げ部の支持ピン上のウェーハを把持するものであって、突き上げ部が、熱処理ボートのウェーハ支持部間に挿入されて、ウェーハ支持部と垂直方向に相対移動することにより、支持ピン上のウェーハをウェーハ支持部に載置、又は、ウェーハ支持部上のウェーハを支持ピンにより突き上げて支持するものであるウェーハ移載装置。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】圧電体から成る基板の真空処理方法を提供する。
【解決手段】圧電体から成る処理基板１５を本プロセスであるプラズマ処理時に真空処理装置１内で吸着装置３０が吸着する前に、前プロセスとして処理プラズマの下で処理基板１５の表面の帯電電圧の極性と大きさを測定する。本プロセスの時に、前プロセスで測定した処理基板１５表面の電圧が１ｋＶ以上の場合、電極１１１、１１２にゼロＶを印加し、１ｋＶ未満の場合、電極１１１、１１２に、前プロセスで測定した処理基板１５表面の帯電電圧の極性と逆の極性の電圧を印加して処理基板１５を吸着する。処理基板１５が吸着装置３０の表面よりも大きい場合、裏面全体に金属薄膜を成膜し、熱伝導により降温させる。また、処理基板１５外側の上方に保護リング１８を配置して、プラズマから処理基板１５への熱の流入を防ぎ、処理基板１５の割れを防止する。 （もっと読む）

【課題】成膜方法、基板保持具及び成膜装置において、成膜装置内で発生した塵埃に起因するピンホール欠陥を抑制することを目的とする。
【解決手段】チャンバ内で、基板保持具に保持された基板に対して成膜処理を施す成膜方法において、チャンバ内で前記基板保持具により保持されている前記基板の被保持箇所の近傍で磁石により磁界を発生させてチャンバ内の塵埃を磁石により吸着するように構成する。 （もっと読む）

【課題】成膜されるワークを支持する第一金型と、成膜手段が組込まれる第二金型とを用いて構成される成膜用金型装置において、第一金型がワークと共に成膜されてしまうことを防止する。
【解決手段】ワーク４を成膜するにあたり、ワーク４を第一金型２の凸型面２ａに支持せしめた状態で、第一金型２の凸型面２ａおよび凸部２ｂを第二金型３の成膜チャンバー３ｃ内に突入せしめると共に、第二金型３に、前記ワーク４を支持する第一金型２を成膜粒子からマスキングするマスキング部材１０を設けた。 （もっと読む）