車両の変速機のクラッチを制御するための弁（１）であって、ハウジング切欠き内で運動可能な制御スプール（４）が設けられており、該制御スプールが、少なくとも１つの制御通路（５）を制御する形式のものにおいて、制御スプールが、周期系の第８副族の少なくとも１種の金属と周期系の第５主族の１種の非金属とを有する少なくとも１つの被覆体を備えていることを特徴とする、車両の変速機のクラッチを制御するための弁が提案される。
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【課題】超硬合金のための複合粉末製品の提供。
【解決手段】超硬切削工具及び耐磨耗製品のために適当な複合粉末製品が記載される。該製品は、硬質相上にコバルト又はニッケル又はコバルトとニッケルの混合物のコーティングが付着させられるところの、金属炭化物、金属窒化物、金属炭窒化物等内から選択される硬質粒子相を含む。硬質粒子相は０．１ないし１０μｍ、好ましくは０．１ないし２μｍの粒径を有する。 （もっと読む）

【課題】初期摺動特性等の諸特性が改善された無電解ニッケルめっき膜を提供すること。
【解決手段】表面にリン酸塩被膜を有する無電解ニッケルめっき膜の形成方法。硫黄含有化合物を含む無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を所定時間浸漬して無電解ニッケルめっき膜を形成し、次いで、前記無電解ニッケルめっき膜をリン酸塩溶液と接触させることにより前記無電解ニッケルめっき膜上にリン酸塩被膜を形成する。表面にリン酸塩被膜を有することを特徴とするニッケル合金めっき膜。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体に適用した場合に、垂直方向の記録磁界を優先的に強め、かつ急峻化することができる軟磁性薄膜、その生産性の高い製造方法、トラック走行方向の磁化応答性に優れた高品質の垂直磁気記録媒体およびこの垂直磁気記録媒体を備えた垂直磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 本軟磁性薄膜は、金属イオンとしてＣｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンを含有し、錯化剤およびホウ素系還元剤を含有し、金属イオンの濃度比率が、モル単位で、０．１５≦（Ｎｉイオン／全金属イオン）≦０．４０、０．５０≦（Ｃｏイオン量／全金属イオン量）≦０．８０および、０．０５≦（Ｆｅイオン量／全金属イオン量）≦０．１５である無電解めっき浴中に基板を浸漬し、基板面に平行な５〜２０００Ｏｅの範囲の磁場中で無電解めっきを行って得ることができる。 （もっと読む）

【課題】苛酷な高温高湿環境に曝された後に、ＤＣ帯電法によって、例えば６００ｄｐｉの中間調画像のような高精細画像を出力した場合においても、均一な帯電が行える帯電ローラ、及び該帯電ローラを用いた帯電方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、鋼材からなる芯金１と、該芯金上の導電性弾性体２を有する帯電ローラにおいて、該鋼材の表面が、ピンホールの無いニッケルめっきで被覆されていることを特徴とする帯電ローラ、及び該帯電ローラを用いた帯電方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性裏打ち膜を無電解メッキ法により形成する際に、軟磁性裏打ち膜に磁壁が発生するのを防止できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板１上にコバルト、ニッケル及び鉄を組成元素として含む軟磁性裏打ち膜２を無電解メッキ法により形成する工程を備える。無電解メッキ法に用いられるメッキ液は、軟磁性裏打ち膜２の組成元素のイオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン及び鉄イオンを含み、更に、鉄イオンのモル濃度をコバルトイオンとニッケルイオンの合計モル濃度で割った値が０．５〜１０の範囲に設定されている。 （もっと読む）

【課題】めっき形成された金属皮膜に微細なクラックが生じるのを回避することができるようにする。
【解決手段】Ｚｎ成分が含有されたセラミック素体６の表面に導電部７が形成され、無電解Ｎｉめっきにより前記導電部７上にＮｉ−Ｐ皮膜８が形成されたセラミック多層基板において、無電解Ｎｉめっきを施す前に錯化剤溶液で被めっき物を処理してＺｎ成分を溶出させ、これによりＮｉ−Ｐ皮膜８中のＺｎ元素の含有量を０．６重量％以下に制御する。このようにＺｎの溶出処理を行なうことにより、セラミック素体６の表面６″からの深さＡが少なくとも５μｍ以下の表層部６′におけるＺｎ定元素の含有量は、表層部６′以外の領域よりも少なく、かつ表層部６′におけるＺｎ元素の含有量が、セラミック素体６の内部から表面６″側へ略傾斜状に減少するように形成されている。
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マイクロ電子機器の製造における金属基材の基板上にＣｏ、Ｎｉまたはその合金を沈積するための無電解メッキ方法とそのための組成物が開示され、該組成物は、ＣｏとＮｉイオンからなる群から選択される沈積イオン源、沈積イオンを基板上に金属へ還元する還元剤およびヒドラジン基材のレベリング剤からなる。 （もっと読む）

本発明は、広範囲多ピン化及び狭ピッチ化に対応するために必要な、高さばらつきの少ない高アスペクト比のドーム型バンプの形成を可能にする異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴、異方成長ニッケルバンプを有する製品の形成方法、異方成長ニッケルバンプが形成された物品及び無電解ニッケルめっき浴用異方成長促進剤を提供することを目的とする。本発明は、異方成長促進効果を有する量の異方成長促進剤を含有することを特徴とする異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴を提供する。
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【課題】ダイヤモンド電極及びこれを用いた無電解ニッケルめっき浴の管理方法並び測定装置の提供。
【解決手段】ホウ素のドーズ量が1×10¹⁹〜2×10¹⁹ atoms/cm³であるホウ素ドープダイアモンド電極からなる作用電極、並びに対向電極及び参照電極を、ポテンショスタットに接続してなる測定装置を用い、まず（１）試料溶液中で作用電極電位を、試料溶液中のＮｉイオンが電極上にＮｉとして析出される還元側条件に所定時間保持し、（２）次いで、試料溶液中で、作用電極電位を、析出したＮｉ表面がオキシ水酸化ニッケル（ＮｉＯＯＨ）となる酸化側条件に所定時間保持し、（３）さらに、試料溶液中で、作用電極電位を微分パルスボルタンメトリー法に基づき、前記（２）段階における作用電極電位を開始電位として所定電位まで電位走査することにより、めっき浴中に含まれるニッケル濃度を求める。 （もっと読む）