超小型電子デバイスの製造において金属基材の基板上にＣｏまたはＣｏ合金を析出するための無電解めっきの方法および組成物であって、Ｃｏイオンの供給源、基板上へ析出イオンを金属に還元する還元剤、およびオキシム基剤の化合物安定剤を用いるものである。 （もっと読む）

【課題】近年の電子機器の急激な進歩や発展に伴って、異方性導電材料として用いられる導電性微粒子の接続抵抗において、更なる低減化が求められてきている点に鑑み、導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性微粒子、及び、異方性導電材料を提供する。
【解決手段】基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成されたニッケルからなる導電層とからなる導電性微粒子であって、前記導電層は、表面に突起を有するものであり、かつ、少なくとも前記突起はアルミニウム及び／又は亜鉛を含有する導電性微粒子。 （もっと読む）

【解決手段】 被めっき物上に形成された無電解ニッケル−リンめっき皮膜の厚さ方向に配向した柱状晶により構成されている無電解ニッケル−リンめっき皮膜、及び水溶性ニッケル塩と、次亜リン酸及び／又はその塩と、アミノカルボン酸及び／又はその塩とを含み、アミノカルボン酸以外の有機カルボン酸及びその塩を含まない無電解ニッケル−リンめっき浴。
【効果】 本発明の無電解ニッケル−リンめっき皮膜は、柔軟性に優れ、内部応力が小さく、しかも加熱しても内部応力が増加しにくいものである。また、このめっき皮膜が形成されたフレキシブル基板は、皮膜が柔軟性に富み、皮膜に亀裂、剥離が発生しにくいものとなり、このめっき皮膜が形成されたシリコンウェハ基板は、皮膜の内部応力が小さく、加熱処理によるシリコンウェハ基板の反りが発生しにくいものとなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定性が良好であって、かつ均一な無電解コバルトめっき皮膜を形成し得る新規な無電解コバルトめっき液を提供することを主な目的とする。
【解決手段】１）水溶性コバルト化合物、２）水溶性次亜リン酸化合物、３）脂肪族ジカルボン酸、脂肪族トリカルボン酸、アミノカルボン酸及びこれらの塩からなる群より選択された少なくとも１種の脂肪族カルボン酸類、並びに４）硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、ホウ酸及びホウ砂からなる群より選択された少なくとも１種の無機添加剤、を含有する水溶液からなる無電解コバルトめっき液。 （もっと読む）

【課題】苛酷な高温高湿環境に曝された後に、ＤＣ帯電法によって、例えば６００ｄｐｉの中間調画像のような高精細画像を出力した場合においても、均一な帯電が行える帯電ローラ、及び該帯電ローラを用いた帯電方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、鋼材からなる芯金１と、該芯金上の導電性弾性体２を有する帯電ローラにおいて、該鋼材の表面が、ピンホールの無いニッケルめっきで被覆されていることを特徴とする帯電ローラ、及び該帯電ローラを用いた帯電方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置。 （もっと読む）

【課題】 軟磁性裏打ち膜を無電解メッキ法により形成する際に、軟磁性裏打ち膜に磁壁が発生するのを防止できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板１上にコバルト、ニッケル及び鉄を組成元素として含む軟磁性裏打ち膜２を無電解メッキ法により形成する工程を備える。無電解メッキ法に用いられるメッキ液は、軟磁性裏打ち膜２の組成元素のイオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン及び鉄イオンを含み、更に、鉄イオンのモル濃度をコバルトイオンとニッケルイオンの合計モル濃度で割った値が０．５〜１０の範囲に設定されている。 （もっと読む）

マイクロ電子機器の製造における金属基材の基板上にＣｏ、Ｎｉまたはその合金を沈積するための無電解メッキ方法とそのための組成物が開示され、該組成物は、ＣｏとＮｉイオンからなる群から選択される沈積イオン源、沈積イオンを基板上に金属へ還元する還元剤およびヒドラジン基材のレベリング剤からなる。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 密着性の高い無電解ニッケルメッキ層を形成する方法における各処理工程で使用する処理液の提供。また、前記方法による液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板とＬＣＤの提供。
【解決手段】アルカリ洗浄、テクスチャー処理、センシタイジング、アクチベーティング、及び、無電解ニッケルメッキからなる工程を経てガラス表面にニッケルメッキ層を形成する方法において、アルカリ洗浄液は、フッ化カリウム、酸性フッ化カリウム及び水酸化カリウム含有水溶液を、テクスチャー処理液は、酸性フッ化アンモニウム及び酸性フッ化カリウム含有水溶液を、センシタイジング処理液は、第一スズイオン及びパーフルオロアルキル基含有界面活性剤を含有する水溶液を、表面調整処理液は、フッ化カリウム含有水溶液を使用する。前記方法によりブラックマトリックスを形成したＬＣＤ用ガラス基板を製造し、このガラス基板を使用したＬＣＤを製造する。 （もっと読む）

本発明は、金属塩と、金属錯化剤と、還元剤と、アンモニア水及びチオ硫酸塩を含有する組成液並びにチオ尿素からなる群のうち少なくとも１つとを含有することを第１の無電解メッキ液中に被処理物を曝すことにより前記被処理物の表面上に第１メッキ層を形成し、フッ素樹脂、金属塩、金属錯化剤、及び界面活性剤を含有する第２の無電解メッキ液に前記被処理物をさらに曝すことにより前記第１メッキ層上に第２メッキ層を形成することにより、被処理物との密着性が極めて良好なフッ素樹脂コーティングを有する被処理メッキ物を提供する。
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