【課題】耐食導電性に優れる耐食導電材を効率的に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電材の製造方法は、Ｔｉ系基材の少なくとも一部を、Ｎｉを主成分とするＮｉメッキ液中に浸漬して、そのＴｉ系基材の表面にＮｉメッキ層を形成するメッキ工程と、このメッキ工程後のＴｉ系基材を窒化処理を施す窒化工程とを備えてなり、前記Ｔｉ系基材の少なくとも一部の表面にＴｉ、ＮｉおよびＮを必須構成元素とする耐食性または導電性に優れる耐食導電性皮膜が形成された耐食導電材が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金の局所的な溶解を防ぐこと。
【解決手段】半導体基板の表面に形成されたアルミニウムを主成分とする電極の表面を、硝酸濃度が９ｍｏｌ／リットル以上２０ｍｏｌ／リットル以下の硝酸溶液に浸漬することでデスマット処理を行う（ステップＳ３）。ついで、電極の表面に第１ジンケート処理を行い亜鉛置換膜を形成し（ステップＳ４）、この亜鉛置換膜を、硝酸濃度が９ｍｏｌ／リットル以上２０ｍｏｌ／リットル以下の硝酸溶液に浸漬することで剥離する（ステップＳ５）。ついで、電極の表面に第２ジンケート処理を行い電極の表面に亜鉛置換膜を形成し（ステップＳ６）、この亜鉛置換膜の表面に無電解めっき処理によってめっき皮膜を形成する（ステップＳ７）。 （もっと読む）

本発明は、ＡｌまたはＣｕ表面上に、接合可能な金属被覆を以下に記載の順で有する基板に関する：（ａ）Ｎｉ−Ｐ層、（ｂ）Ｐｄ層、および任意的に、（ｃ）Ａｕ層、ここで、Ｎｉ−Ｐ層（ａ）の厚さは０．２〜１０ｍであり、Ｐｄ層（ｂ）の厚さは０．０５〜１．０ｍであり、そして任意的なＡｕ層（ｃ）の厚さは０．０１〜０．５ｍであり、そしてＮｉ−Ｐ層（ａ）のＰ含量は１０．５〜１４重量％である。得られるＮｉ−Ｐ／Ｐｄ積層の堆積内部応力は、３４．４８ＭＰａ（５，０００ｐｓｉ）以下である。さらに、このような基板の調製プロセスを記述した。 （もっと読む）

【課題】 特に、酒石酸ナトリウムカリウムの濃度を調整して、表面側に数ｎｍの酸化防止膜を形成することが可能なＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本実施形態のＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜１には、表面１ａ側に、ＣＯＯＨ、ＦｅＯ₂、ＦｅＯ及びＮｉＯを含む数ｎｍの膜厚の酸化防止膜２が形成されている。これにより、メッキ膜中の酸化を抑制でき、磁気特性の経時変化を小さくでき、安定した磁気特性を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】数μｍ〜百数十μｍの大きなトレンチ又はビアホールに対しても、ボイドやシーム等の欠陥を生じさせず、良好なめっき埋め込み性を有し、さらに長時間に亘って安定した性能を維持することができる無電解めっき液を提供する。
【解決手段】少なくとも、水溶性金属塩と、その水溶性金属塩に由来する金属イオンの還元剤と、錯化剤とを有する無電解めっき液であって、炭素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、窒素原子をそれぞれ任意の数含む脂肪族環状基または芳香族環状基、または該環状基に任意の１種類以上の置換基が１つ以上結合した環状基、を少なくとも１つ有する硫黄系有機化合物をレベラーとして含有している。 （もっと読む）

本発明の第１主題は、１つ又はそれ以上の酸化還元溶液を基材上にスプレーすることにより、非電解的に基材の表面を金属被覆する方法である。本発明の方法は、工業化可能であり、自動化可能であり、クリーンであり、多層基材に適用可能であり、固着性や装飾的外観に関しても最適である。この目的を達成するため、本発明は、次のステップを含む。ａ）金属被覆の前に基材の表面張力を減少させるための物理的処理あるいは化学的処理、ｂ）１つ又はそれ以上の酸化還元溶液を１つまたそれ以上のエアロゾルの形でスプレーすることにより、ステップａ）において処理された基材表面の非電解的金属被覆処理、ｃ）金属被覆された基材表面上の保護膜の形成処理。本発明の他の主題は、本発明の方法を実現する小型機器、及び得られる製品であり、特に、化粧用の中空ガラスのフラスコ、家庭電化製品や飛行機のための部品、導電性トラックや無線周波数用アンテナ、電磁気スクリーニングのためのコーティングなどの電子部品である。 （もっと読む）

【課題】横力等の偏った力が作用している状態での動作精度の低下が抑制されると共に、優れた耐久性を有する可変減衰力ダンパ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可変減衰力ダンパ１０は、磁性流体（ＭＲＦ）が充填されるシリンダチューブ１２と、シリンダチューブ１２の内部に摺動自在に配置されるピストン１６と、ピストン１６に連結されると共にシリンダチューブ１２の一端から突出するように配置されるピストンロッド１３と、シリンダチューブ１２の一端を閉塞すると共にピストンロッド１３を摺動自在に支持するロッドガイド１９とを具備する。ロッドガイド１９を、所定の基材部３１と、基材部３１の表面に設けられた熱処理されたフッ素樹脂含有Ｎｉめっき膜３２とを有する構造とし、ピストンロッド１３をフッ素樹脂含有Ｎｉめっき膜３２に対して摺動させる。 （もっと読む）

【課題】パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い選択的な無電解めっき方法、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地の金属より卑な金属を無電解めっき方法により選択的に積層する方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３を、表面に導電体２を有する被めっき体へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法である。また、無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３が分散し、攪拌しているめっき液中へ、表面に導電体２を有する被めっき体を浸漬することを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法。 （もっと読む）

【課題】貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い無電解めっき方法であり、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地金属上に無電解めっきにより金属を積層する方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３を、導電体２へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体２への無電解めっき方法及び活性化前処理方法である。また、無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３が分散し、攪拌しているめっき液中へ、導電体２を浸漬することを特徴とする導電体２への無電解めっき方法及び活性化前処理方法。 （もっと読む）

【課題】表面処理後、成形部品の一部のみが無電解めっきを受容可能になるが、他の部分は受容可能にならない。
【解決手段】本発明は、二重ショット成形プラスチック部品の非めっき等級樹脂部分に触媒毒を組み込み、触媒毒を含有している該部分上に任意の無電解めっき化学物質が析出する傾向を遅延させる方法に関する。 （もっと読む）