【課題】１５０℃から１８０℃の高温環境下で長時間晒されても、接触抵抗値の増加を抑え、めっき剥離を防止できるＳｎめっき付き銅又は銅合金を提供する。
【解決手段】Ｎｉ層２の平均厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さが０．５５μｍを超え１．０μｍ以下、Ｓｎ層５の平均厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下である。Ｃｕ−Ｓｎ合金層が組成の異なる２つの層からなり、Ｎｉ層に接する層３がε相からなり、平均厚さが０．５μｍを超え０．９５μｍ以下であり、Ｓｎ層と接する層４がη相からなり、平均厚さが０．０５μｍ以上０．２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】特に、残留応力を低減しためっき層を形成することにより、応力腐食を防ぎ、耐食性に優れ、安定した電気接点を提供する。
【解決手段】引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂの積層めっき膜によりめっき層を形成して、下地層３あるいは貴金属めっき層４とする。さらに、引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂを複数積層しためっき構造とする。これにより、めっき内部に残留応力を低減しためっき層を得ることができ、さらに熱処理を行うことにより、残留応力をさらに除去することができる。めっきに用いるめっき浴の種類、またはめっき浴に添加する光沢剤の種類、めっき中の電流密度を変えることにより、引張り応力めっき層、および圧縮応力めっき層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 高耐熱性及び好適なへたり性を備えたプリント基板端子用の銅合金すずめっき材。
【解決手段】Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎの順で電気めっきを施した後リフローめっきされた銅又は銅合金条であり、Ｎｉ相０．１〜０．８μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金相０．１〜１．５μｍ、Ｓｎ相０．１〜１．５μｍであり；Ｃｕ−Ｓｎ合金相はＮｉを０．０５〜３．０ｗｔ％を含み、Ｓｎ相との界面において面積が３μｍ²未満の微細な結晶粒と３μｍ²以上の粗大な結晶粒が混在し、３μｍ²未満の各結晶粒の総面積をＳ_X、３μｍ²以上の各結晶粒の総面積をＳ_Yとしたとき、２０≦Ｓ_X／（Ｓ_X＋Ｓ_Y）×１００≦６０が成り立つプリント基板端子用に好適なへたり性をもつ銅合金すずめっき材であり、２〜２２重量％のＺｎを含有してもよく、更に必要に応じてＮｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ａｇ及びＭｎの群から選ばれた１種以上を合計で２．０重量％以下含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】めっき法を用いて放熱板を製造する優れた製造方法を提供する。
【解決手段】銅基板をクロムめっき浴に浸漬してクロム層を形成した後に、クロム層に付着したクロムめっき液を洗浄する工程を行う。次に銅めっき浴に浸漬してクロム層上に銅層を形成する工程を行う。この工程を繰り返す結果、銅基板上にクロム層が積層され、さらにクロム層上に銅層が積層され、放熱板が製造される。その製造方法で製造された放熱板は、高密度・微細化が進む電子部品に適切に対応しえるものになりえて、安価で且つ工業的に優れたものになる。 （もっと読む）

【課題】耐酸性（耐食性）に優れたニッケルめっき材を簡易且つ安価に製造することができる、ニッケルめっき材の製造方法を提供する。
【解決手段】ニッケルめっき液を使用して電気めっきを行うことによりニッケルめっき皮膜を金属素材上に形成する工程（ニッケルめっき皮膜形成工程）と、大気雰囲気のような酸素を含む雰囲気中において、ニッケルめっき皮膜の表面に酸溶液をシャワー状に注ぎかける工程（酸処理工程）とを、それぞれ複数回繰り返した後、金属素材上に形成されたニッケルめっき皮膜を水洗し、乾燥して、ニッケルめっき材を得る。 （もっと読む）

【課題】事前メッキリードフレームにおいて高価なメッキ層の厚さを減少させることができるリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関するものである。本発明のリードフレームは、下地金属層（１０）と、該下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層で形成され、表面粗度が与えられた銅メッキ層と、該銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層（１００）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】安定した接触抵抗を有するとともに、剥離し難く、また、コネクタとして用いる場合に挿抜力を小さくかつ安定させることができる導電部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の表面に、Ｆｅ系下地層２を介して、Ｎｉ系薄膜層３、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４、Ｓｎ系表面層５がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４はさらに、Ｎｉ系薄膜層３の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層６と、Ｃｕ_３Ｓｎ層６の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層７とからなり、これらＣｕ_３Ｓｎ層６及びＣｕ_６Ｓｎ_５合金層７を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層４の凹部８の厚さＸを０．０５〜１．５μｍとする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ電解めっき下地膜の緻密性を向上させることができ、あるいは貴金属膜が薄くても耐食性を向上させることができる電気接点を提供する。
【解決手段】表面にＮｉ下地膜４および貴金属膜５がめっきされた電気接点１において、Ｎｉ下地膜４の下に、Ｎｉを含む微結晶めっき膜３を形成する。Ｎｉ下地膜４は、Ｎｉを含む微結晶めっき膜３の上にエピタキシャル成長することにより、微細な結晶を有する緻密膜となり、母材の拡散を抑えつつ膜厚が低減できる。電気接点のＮｉ下地膜４の上にＮｉを含む微結晶めっき膜３を形成する。この微結晶めっき膜３上にめっき形成される貴金属膜５は、微細な結晶を有する緻密膜であり、貴金属膜の膜厚を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ＮｉあるいはＮｉ合金の下地めっき膜に形成されたピンホール内に貴金属めっき膜を析出させて適切に封孔することができる電気接点の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）工程では、母材金属１上に電解めっき法にてＮｉあるいはＮｉ合金の下地めっき膜２をめっき形成する。（ｂ）工程では、前記下地めっき膜２の表面に、貴金属めっき膜３の初期めっき膜３ａを電流密度を高くした状態で電解めっき法にてめっき形成する。これにより初期めっき膜３を微結晶化できる。続いて、（ｃ）では、貴金属めっき膜３の残りのめっき膜３ｂを電流密度を低くした状態で電解めっき法にてめっき形成する。これにより下地めっき膜２に形成されたピンホール２ａを貴金属めっき膜３にて適切に封孔することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ウィスカー発生が抑制された、Ｃｕ−Ｚｎ合金のＣｕ／Ｎｉ二層下地リフローＳｎめっき条を提供すること。
【解決手段】平均濃度で１５〜４０質量％のＺｎを含有する銅合金を母材として、表面から母材にかけてＳｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｎｉ相の各層でめっき皮膜が構成されるＳｎめっき条において、該Ｓｎ相の表層のＺｎ濃度を０．１〜５．０質量％に調整する。母材は、更にＳｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ａｌ及びＴｉから選ばれた任意成分を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。又、母材は１５〜４０質量％のＺｎ、８〜２０質量％のＮｉ、０〜０．５質量％のＭｎを含有し残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金でもよく、更に上記任意成分を合計で０．００５〜１０質量％含有することができる。 （もっと読む）