説明

国際特許分類[C25D5/48]の内容

国際特許分類[C25D5/48]の下位に属する分類

国際特許分類[C25D5/48]に分類される特許

71 - 80 / 147


【課題】めっき処理した半導体基板をめっき液除去および洗浄する際の異物付着を抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハW(半導体基板)をめっき処理槽1内のめっき液13に浸漬して金属膜を形成する工程と、金属膜が形成されたウェーハWをめっき液13の上方のめっき処理槽1内で純水の噴射および回転を付与してウェーハ表面のめっき液を除去する工程とを含んだ半導体装置の製造方法において、ウェーハ表面のめっき液を除去する工程でさらにウェーハWを振動させる。ウェーハWを振動させることでめっき液を振り落とすので、回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑え、槽の側壁へのめっき液やそれから生じる異物(結晶)の付着、その異物のウェーハWへの再付着を抑えることができる。 (もっと読む)


本発明は、金属成形プロセスで使用されてより少ない摩擦およびかじりに対する改良された耐性を提供するマイクロ多孔性層である。この層は、金属基材上に電気化学的に堆積され、その後、堆積された膜の金属のうちの1種が化学的エッチングにより選択的に除去され、それにより、基材の表面上にマイクロ多孔性層またはナノ多孔性層さえも残して潤滑剤の閉込めを促進し、金属成形プロセス時における改良された潤滑をもたらす薄い多孔性金属膜である。 (もっと読む)


【課題】錫又は錫を主体とした鉛を含有しない金属メッキが施された小型・高密度パッケージング電子部品であるコネクタや端子から、錫メッキの針状ウィスカの発生を抑制する方法を提供する。
【解決手段】錫又は錫を主体とした鉛を含まない金属メッキが施されたコネクタや端子2を還元反応場が形成される溶液7中で超音波を照射する。この方法によって、メッキ工程、加工工程の簡単な後処理として、従来の鉛を含有した金属メッキと同様に針状ウィスカが発生しないコネクタや端子部品を供給することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】従来とは別異の粗化面構造をもつ銅箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金箔基材と、該銅又は銅合金箔基材の少なくとも一部を直接又は間接的に被覆するNiSn合金層とを備えた積層銅箔であって、該NiSn合金層は最外層を形成すると共に複数の針状又は柱状の突起を有する積層銅箔である。該積層銅箔は、銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にNiめっき層及びSnめっき層をこの順に積層する工程1と、該Niめっき層及びSnめっき層の界面に拡散反応によってNiSn合金層を形成する工程2と、残留Snめっき層を除去する工程3とを行うことによって製造することができる。 (もっと読む)


本発明は、バリヤー層を含む物品を製造する方法に関し、上記方法は、イオン性液体及び金属のイオン又は半金属のイオンを含んでいるめっき液を使用して、有機電気活性物質を含む基体の表面に電着により金属の層又は半金属の層を備えること、ここで該金属のイオン又は半金属のイオンは上記電着の間に還元されそして析出されて金属の層又は半金属の層を形成する、を含み、かつ好ましくは上記金属の層又は半金属の層を少なくとも部分的に酸化することを含む。 (もっと読む)


【課題】3価クロムめっきの耐食性を向上させる。
【解決手段】鉄基板10の表面に施された3価クロムめっき30上にシランカップリング剤とシリカゾルとからなる耐食性皮膜40を形成した。 (もっと読む)


【課題】電気めっきにより金属層を形成し、化学的機械研摩(CMP)法で研摩して金属膜パターンを形成する際に、金属膜パターンの組成分布、膜厚分布を小さくしてに電子デバイスの高性能化に対応し、かつ、めっき液、めっき装置への負荷を小さくして生産性を高める金属膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】めっきする被めっき体10となる基板の表面に形成される金属膜パターン20Bを形成するために、基板表面をめっきするめっき工程と、そのめっき工程の後に、めっきにより形成された金属層20Aの膜厚を薄く平坦化するために研摩する研摩工程とを有する金属膜パターンの形成方法であって、めっき工程でめっきする部分に形成される金属層20Aが、被めっき体10表面全体に対してできるだけ小さくする。 (もっと読む)


【課題】表面にクラックを有するCrめっき皮膜が形成された摺動面の、幅方向の端へ流体潤滑剤が抜けていく摺動部材において、良好な低摩擦の摺動特性が得られるようにする。
【解決手段】Crめっき皮膜のクラックは、平均クラック幅を0.1μm以上5.0μm以下とし、クラック密度を600本/cm以上1300本/cm以下とし、且つ摺動面3の幅方向の両端部と、該幅方向の中間部とでは、上記平均クラック幅及びクラック密度が互いに異なり、上記中間部では上記端部よりも平均クラック幅及びクラック密度を共に大きくする。 (もっと読む)


【課題】 摺動性と耐食性に優れたNiメッキ鋼板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 メッキ表面にAl,Si,Pから選ばれる1種以上の元素を含む酸化膜を有し、かつメッキピンホールが封孔されたことを特徴とする摺動性、耐食性に優れたNiメッキ鋼板である。前記の酸化膜の形成およびメッキピンホールの封孔はアノード電解処理によりなされたものであることが望ましい。また本発明は、Niメッキ鋼板を、第三リン酸アルカリ塩を必須として更にケイ酸塩及びまたはアルミン酸塩を含有する水溶液中でアノード電解処理することを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】冷却部材からのCrめっき層の剥がれを抑制、更には防止して、冷却部材を保護することにより、従来よりも長寿命化を図ることが可能な連続鋳造用鋳型を提供する。
【解決手段】上下方向に貫通した空間部11を形成する冷却部材12を有し、空間部11に溶鋼を供給して冷却しながら鋳片を製造する連続鋳造用鋳型10において、冷却部材12の溶鋼接触面側13で、溶鋼の湯面位置を基準として冷却部材12の上端までまたは上方向に少なくとも100mmまで、かつ下方向に少なくとも100mmまでの範囲内には、複数層のCrめっき層14、15が設けられ、しかも積層されたCrめっき層14、15のうち少なくとも最表層のCrめっき層14に、50MPa以上300MPa以下の圧縮の残留応力が加えられている。 (もっと読む)


71 - 80 / 147