【課題】電解めっき処理法に用いられるアノード電極の乾燥を抑制する技術を提供する。
【解決手段】めっき浴槽に設けられた開口部を覆ってめっき処理対象物を配置する段階、当該めっき浴槽の前記開口部に於ける前記めっき処理対象物の表出部ならびに当該めっき浴槽内に配置されためっき電極を浸す様に当該めっき浴槽内にめっき液を導入する段階、前記めっき電極を用いて前記めっき処理対象物にめっき処理を施す段階、前記めっき浴槽内の前記めっき液を排除する段階、前記めっき浴槽の前記開口部を覆ってめっき処理非対象物を配置する段階、前記めっき浴槽内に配置された前記めっき電極を浸す様に当該めっき浴槽内にめっき液を導入する段階を備える。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として１〜２０ｇ／Ｌと、
（ｂ）Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物又はＡｓ化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として０．１〜１００ｍｇ／Ｌと、
（ｃ）亜硫酸ナトリウムが５〜１５０ｇ／Ｌと、
（ｄ）無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として１〜６０ｇ／Ｌと、
（ｅ）所定の置換芳香族化合物が０．１〜２００ｍｍｏｌ／Ｌと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 （もっと読む）

【課題】めっき液中のスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】アノード４として含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノード４を用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うに際し、アノードとして含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ工程において、安定した給電が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、有効チップ領域である第１の領域２０と、第１の領域２０の周縁を囲む第２の領域３０と、を有した半導体ウエハー１を用意する工程と、第２の領域３０に樹脂突起４０を形成する工程と、第１の領域２０及び第２の領域３０に第１の導電層５０を形成する工程であって、第１の導電層５０は樹脂突起４０の上に位置する第１の部分５１を有するように、第１の導電層５０を形成する工程と、第１の導電層５０の上にレジスト層６０を形成する工程と、少なくとも第１の導電層５０の第１の部分５１の上に位置するレジスト層６０を除去する工程と、第１の導電層５０の第１の部分５１に給電して、電解メッキにより第１の導電層５０の上に第２の導電層９０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ含有膜の表面に形成される金属含有膜の成膜性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を含むものである。基板（半導体素子や層間膜が形成された半導体基板など）にＲｕ含有膜を形成する工程（Ｓ１００）、Ｒｕ含有膜の表面と接するように、Ｒｕより酸化還元電位が低い金属を含有する膜を形成する工程（Ｓ１０２）、基板をめっき液に浸漬させて、当該膜にめっき液を接触させる工程（Ｓ１０４）、基板をめっき液に浸漬させた状態で、当該膜を電気分解により除去してＲｕ含有膜を露出させるとともに、露出したＲｕ含有膜の表面に金属含有膜を電解めっきにより形成する工程（Ｓ１０６）。 （もっと読む）

【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属（Ａ）との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 （もっと読む）

【課題】レアメタルの使用量を抑えつつ、鉛フリーはんだに対するはんだ付け性（濡れ性）の向上はもとより、ウィスカの発生を抑制ないし防止することができるめっき被膜材を提供する。
【解決手段】導電性基材４に第１めっき層１ａを形成し、該第１めっき層１ａの表面に第２めっき層２ａを形成しためっき材からなるリードフレーム１０ａであって、前記第１めっき層１ａが、スズ、スズ−銀合金、スズ−ビスマス合金、スズ−銅合金、及びスズ−銀−銅合金の群から選ばれる少なくとも１種からなり、第２めっき層２ａがインジウムからなり、前記第１めっき層の厚さを５μｍ超１０μｍ以下とし、かつ第２めっき層の厚さを０．０５μｍ以上０．４μｍ以下としたリードフレーム１０ａ。 （もっと読む）

【課題】はんだを使用せずに、より高温の環境においても、積層される上下の部材の熱応力を効果的に緩和することのできる金属基複合材料を使用した積層構造体を提供する。
【解決手段】材料Ａ１と、材料Ｂ５と、材料Ａ１と材料Ｂ５との間に挟まれた材料Ｃ４とからなり、材料Ａ１および材料Ｂ５の線膨張係数が、α_ａ＜α_ｂの関係を満たし（ここで、α_ａは材料Ａ１の線膨張係数を表し、α_ｂは材料Ｂの線膨張係数を表わす）、材料Ｃ４は２元素からなるマトリックス材および微粒子を含み、緻密状態２および多孔質状態３を含み、材料Ｃ４の材料Ａ１に接する側が緻密状態２であり、材料Ｂ５に接する側が多孔質状態３であることを特徴とする積層構造体１０。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が５以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）