【課題】本発明は、強度の向上と、熱はけ性の良好な酸化物超電導バルク体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、ＲＥ_１Ｂａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ（ＲＥはＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの１種または２種以上を示す。）なる組成の酸化物超電導バルク体を製造するに際し、酸化物超電導バルク体を構成する元素の原料粉末を加圧成形して圧密する際、原料混合粉末中に溶融凝固法に伴う加熱温度において溶融しない貴金属の補強体を挿入して圧密し、目的の形状の前駆体を得た後、この前駆体に対し、溶融凝固法を適用して結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１×１０^-4Ωｃｍ未満の抵抗率を有する低抵抗ＩＴＯ薄膜とその製造方法等を提供する。
【解決手段】低電圧スパッタリング法、酸素クラスタービーム援用蒸着法、ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ−原子層積層法、及びＭＢＥ（分子線エピタキシー）法のうちから選ばれる成膜法を用いて結晶性基板上に形成する低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法であって、
結晶性基板の最表面の結晶性配列が、Ｉｎ₂Ｏ₃の結晶構造と適合するものであることを特徴とする低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】非鉄製錬中間産物等に含まれる砒素を結晶質のスコロダイト型鉄砒素化合物として固定する反応に、種晶を使用するプロセスにおいて、その種晶の生成工程を短縮すると共に、このプロセスで発生する洗浄液量を削減する合理的な方法を提供する。
【解決手段】 工程Ａ；５価の砒素と２価の鉄が溶解している水溶液に酸化剤を加え、予め得られているスコロダイト型鉄砒素化合物を種晶として鉄砒素化合物を合成し、スコロダイト含有スラリーを得る工程、工程Ｂ；前記スラリーを固液分離して、スコロダイト含有残渣を回収する工程、工程Ｃ；前記スコロダイト含有残渣を洗浄する工程を実施する際に、工程Ｂで回収されたスコロダイト含有残渣の一部、または工程Ａで得られたスコロダイト含有スラリーの一部を、その後に行われる工程Ａの種晶として利用する、鉄砒素化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭酸塩からなる異方性構造を有するナノ構造体を効率良く提供し、所望の異方性構造に容易に制御できるナノ構造体の合成方法およびその合成装置を提供する。
【解決手段】本発明の合成装置は、溶液反応漕１および反応漕１の上部に配置したレーザー発生部２、原料固定部３，反応漕２の上部もしくは側面部に配置した光発生部４、溶液攪拌装置５、ガス導入管６、超音波発生部７および合成系全体を遮光する暗箱８を備える。本発明は、レーザー若しくは超音波を用いた極限エネルギー状態の形成に加え、連続的な光照射を併用する。これにより、低コストで簡素な合成装置を利用しながら、原料、雰囲気、プロセス因子等を制御するだけで炭酸塩からなる異方性ナノ構造体を合成することできる。 （もっと読む）

【課題】高熱電変換効率、高耐熱性、高化学的耐久性、低毒性、安全、安価、の条件を満たす新規熱電変換材料を提供する。
【解決手段】Ｂａ_３Ｃｏ_２Ｏ_６（ＣＯ_３）_ｘで表される複合酸化物で、３００−１１００Ｋの温度域で金属的導電性を示し、１００μＶＫ^−１以上の熱起電力を有する、擬一次元構造で結晶内にＣＯ_３基が存在することを特徴とする複合酸化物。 （もっと読む）

【課題】Ｌｕを主成分とする希土類硼酸塩を用いたシンチレータ用単結晶材料において、出力（明るさ）を維持しつつ発光寿命の短縮化を図る。
【解決手段】Ｌｕ（ルテチウム）を主成分とする希土類硼酸塩に発光元素とＣａをド−プしてなる組成を備えたシンチレータ用単結晶材料を作製した。Ｃａをド−プすることによって、出力（明るさ）を維持しつつ発光寿命の短縮化を図ることができ、Ｃａのド−プ量を変化させることにより、用途に合わせて発光寿命を調整することができる。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも片面に配向化金属層を有するエピタキシャル膜形成用配向基板の表面上に金属薄膜からなり１〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。また、この配向基板配向性改善層を構成する金属と異なる他の金属を、膜厚相当で３０ｎｍ以下付加した後に熱処理を行うと、その表面の平滑性を改善することができる。このとき、基板表面の表面粗さは２０ｎｍ以下となる。 （もっと読む）

【課題】超伝導体層を鋳型緩衝層に直接蒸着させることができる、簡略化された層構造を有する被覆導体の提供。
【解決手段】二軸配向組織化基板と、一般式ＲＥ_2-xＢ_2+xＯ₇（ここで、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種の金属であり、Ｂは、Ｚｒ及びＨｆから選択される少なくとも１種の金属であり、−０．４≦ｘ≦＋０．７である。）を有する材料から構成される鋳型緩衝層と、該鋳型緩衝層上に直接被覆され、ハイブリッド液相エピタキシーにより得られる超伝導体層とを備える被覆導体を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長に適した表面を有するＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系基板の処理方法を提供する。
【解決手段】
Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板（０≦Ｘ＜１）の結晶成長を行う側の表面におけるＯＨ基の存在が略０となっているように形成する。このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、ｐＨ３以下の酸性ウェットエッチングで行われる。以上により、Ｚｎの水酸化物の発生を防ぐことができ、ＺｎＯ系基板上の薄膜の結晶欠陥密度を非常に小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜形成用配向基板の中間層であって、高い配向性を有するエピタキシャル膜を形成可能とするものを提供する。
【解決手段】基材と、基材の少なくとも一方に形成されるエピタキシャル膜との間に設けられるエピタキシャル膜形成用配向基板の中間層において、単層構造又は２層以上の多層構造を有し、基板と接触する層がインジウムスズ酸化物からなる中間層である。この中間層は、多層構造を有することができ、ＩＴＯ層の上に、ニッケル、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、希土類酸化物、酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）、チタン酸ストロンチウム・バリウム（ＳＢＴＯ）、窒化チタン、銀、パラジウム、金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、白金からなる層を少なくとも１層備えることができる。 （もっと読む）