【課題】 本発明は、ＲＥ１２３相の熱分解工程を含まず、高温かつ長時間の溶融が不必要なプロセスを開発し、大型でかつ高性能、かつ、機械的特性に優れた超電導バルク体を作製する方法を提供する。
【解決手段】 ＲＥ−Ｂａ−Ｏ系化合物（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上）とＢａ−Ｃｕ−Ｏ系液相原料を出発原料とし、液相成分を溶融した後、結晶成長させることを特徴とするＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成された膜の特性を向上させることが可能な薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 超電導線材１は、基板２と、基板上に形成された１層または２層以上の中間薄膜層（中間層３）と、中間薄膜層（中間層３）上に形成された単結晶性薄膜層（超電導層４）とを備える。中間薄膜層（中間層３）のうちの少なくとも１つにおいて単結晶性薄膜層（超電導層４）と対向する上部表面（被研磨面１０）は研磨加工されている。 （もっと読む）

熱電変換素子等の機能素子では、エピタキシャル成長に適した基体と使用に際して望ましい基体とが一致しないことがある。本発明では、基体上に形成した所定の層状構造を水蒸気の作用によって分離することとした。本発明の結晶膜の製造方法は、基体上に層状構
造を含む結晶膜を前記層状構造が前記基体と接するようにエピタキシャル成長させる工程と、水蒸気供給源から供給される水蒸気をチャンバー内において前記層状構造に接触させる工程と、前記層状構造と前記基体とを分離することにより、前記結晶膜を得る工程と、を含む。そして、前記層状構造は、アルカリ金属を含む層と、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｖ，ＮｂおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含む層と、を含む。 （もっと読む）

ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法であって、この方法は、
ａ）Ｘ−Ｂａ−Ｌ−Ｏ又はＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｌ−Ｏ材料をＸ−１−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料と混合するステップと、
ｂ）この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、１各Ｘは希土類（ＩＩＩＢ族）元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各ＬはＵ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ及びＳｎから選択される、ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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【目的】 カーボン製の育成容器を用いて再現性良く育成容器と育成結晶との固着を防止できる硼酸リチウム単結晶の育成方法を提供する。
【構成】 グラファイトなどの六角平面格子を基本結晶構造とするカーボン、またはセルローズカーボン、グラッシーカーボンもしくはビトロカーボン等のガラス状硬質炭素などからなるカーボン製の育成容器４を用いて、種結晶２または育成結晶１と原料融液３との固液界面の温度よりも原料融液３の温度の方が高く、かつ原料融液３の最高温度が１００５℃以下、好ましくは９８５℃以下となるような温度勾配を設けながら垂直ブリッジマン法などにより結晶成長を行うようにした。
【効果】 歩留り良くクラックのない良質の硼酸リチウム単結晶が再現性良く得られる。 （もっと読む）

【目的】 本発明は結晶配向性に優れ、臨界温度と臨界電流密度が高い酸化物超電導導体を製造する方法の提供を目的とする。
【構成】 本発明は金属基材上にＢｉ系酸化物超電導体の原料粉末層を形成し、これを加熱炉において溶融させて溶融凝固層を形成した後に、再度レーザビームによる部分溶融加熱による一方向凝固を行なって酸化物超電導層を形成するものである。
【効果】 本発明によれば、金属基材の構成元素が酸化物超電導層側に拡散することが抑制され、厚さの均一な結晶配向性に優れた酸化物超電導層が得られる。よって臨界温度と臨界電流密度の高い、超電導特性の優れた酸化物超電導導体が得られる。 （もっと読む）