【課題】 水酸アパタイトの結晶面の性質の差や結晶方位に対する物性の異方性を有効に利用できる、人工関節、人工歯根などの生体インプラント及び細胞培養担体等を提供する。
【解決手段】 人の歯のエナメル質に見られるような高い結晶配向性を有し、かつ、特に生体内で炎症を引き起こすとされる酸化カルシウムが皮膜の少なくとも表面近傍においてほとんど含まれないようなアパタイト複合体、及び当該複合体から成る生体インプラント、細胞培養用担体、及び生体成分に対するアフィニティーの差により該生体成分を特異的に吸着、分離する作用を有する生体成分分析・診断用部材。 （もっと読む）

ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが偶数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲である。
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ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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【課題】 本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るためには、c軸が基板面に対して平行で、a軸（又はb軸）が基板面に対して垂直に配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。
【解決手段】 a軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、Bi系酸化物超電導薄膜の(100) 面と格子定数の整合性の良い（110）面のLaSrAlO₄単結晶基板又は（110）面のLaSrGaO₄単結晶基板を用いてエピタキシャル成長することにある。この方法により、通常得られやすいBi-2212ではなく、Bi系酸化物超電導体でも最も高い超電導転移温度を示すBi-2223のa軸配向膜を選択的に作製することができる。 （もっと読む）

化学式ｓ[L]−ｘ[P]ｙ[M]ｚ[N]ｐ[T]の組成を有する強誘電体セラミック化合物およびその製造方法並びに強誘電体単結晶およびその製造方法を提供する。本発明による強誘電体セラミック及びその単結晶は、圧電性が大きく、電気機械結合係数が高く、かつ、電気光学係数の大きい緩和型強誘電体であり、無線通信用可変素子、光通信用素子、弾性表面波素子やＦＢＡＲ素子、超音波探触子デバイス、微細変位制御用アクチュエータ、不揮発性メモリ素子、小型蓄電池などの製造に有用であり、特に、本発明による単結晶製造方法は、直径５ｃｍ以上の単結晶とその組成が非常に均一なウエハの製造を可能にし、商用化及び大量生産が図られる。
上記の化学式中、[Ｐ]は酸化鉛、[Ｍ]は酸化マグネシウムまたは酸化亜鉛、[Ｎ]は酸化ニオビウム、[Ｔ]は酸化チタンであり、[Ｌ]は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム、リチウム、リチウム酸化物、白金、インジウム、パラジウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄、ストロンチウム、スカンジウム、ルテニウム、銅、イットリウム、イッテルビウムからなる群から選ばれた単一物質またはその混合物であり、ｘ、ｙ、ｚ、ｐ及びｓはそれぞれ、０．５５＜ｘ＜０．６０、０．０９＜ｙ＜０．２０、０．０９＜ｚ＜０．２０、０．０１＜ｐ＜０．２７、０．０１＜ｓ＜０．１を満足する範囲である。
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【課題】 より簡便な方法により窒化物半導体単結晶の結晶度を向上させること。
【解決手段】酸化アルミニウム１に酸化ガリウム２を混合する工程と、該混合物を焼成して酸化アルミニウムと酸化ガリウムとの固溶体３を形成する工程と、該固溶体３を加熱溶融して融液４とする工程と、該融液４を徐冷してＡｌ_ｘＧａ_２−ｘＯ_３（０＜ｘ＜２）単結晶５を形成する工程とを含むことを特徴とする、窒化物半導体単結晶のエピタキシャル成長用基板６の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 極大誘電率温度を低下させたビスマス層状化合物誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】 ペロブスカイトブロック層と酸化ビスマス層とが互いに積層した結晶構造を有するビスマス層状化合物を含んで成る誘電体薄膜であって、該ビスマス層状化合物が組成式：
（Ｂｉ_２Ｏ_２）²⁺（Ａ_ｘＢ_ｍＯ_３ｍ＋１）^2-
で表され、上記組成式中、ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａまたはＢｉを表し、ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏまたはＷを表し、ｍが２以上の正数であり、かつ、ｘがｍ−１より小さい正数であり、そして該化合物の極大誘電率温度Ｔ_ｍが、上記組成式においてｘがｍ−１である対応するビスマス層状化合物の極大誘電率温度より低いことを特徴とする誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】 酸化ストロンチウムイリジウム（ＳｒＩｒＯ₃）に基づく金属酸化物、特にペロブスカイト型のＳｒＩｒＯ₃に基づく金属酸化物の薄膜を提供する。
【解決手段】 有機ストロンチウム（Ｓｒ）化合物１１と有機イリジウム（Ｉｒ）化合物１２とを含有する原料ガスを用いる有機金属化学気相成長法によって、基材３の表面上に、特に立方晶系、正方晶系又は斜方晶系の（１００）面又は（１１０）面である基材３の表面上に、ＳｒＩｒＯ₃、特にペロブスカイト型構造のＳｒＩｒＯ₃に基づく金属酸化物の薄膜を製造する方法とする。 （もっと読む）

本発明は、強誘電体又は非強誘電性の誘電体を用いて圧電セラミックを製造する方法であって、前記誘電体に対して、非晶質の結晶化を進行させる最中に電場を加えて結晶軸が配向した圧電セラミックを製造する過程からなることを特徴とする。詳しくは、Ｌｉ₂ＯとＢ₂Ｏ₃を１：２で混合して溶融させた後に急冷法で非晶質Ｌｉ₂Ｂ₄Ｏ₇を製造し、この非晶質Ｌｉ₂Ｂ₄Ｏ₇の平板の両面にスパッター方法を用いて電極とする金を蒸着させた後に、周波数１〜50Hz、0.1〜10V/mmの電場を加え、450℃以上の電気炉で非晶質を結晶化させる過程からなることを特徴とする。
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【課題】 Ｂｉ₄ Ｔｉ₃ Ｏ₁₂ナノプレート、このＢｉ₄ Ｔｉ₃ Ｏ₁₂ナノプレートの配列体及びその製造方法並びにそれを用いた装置を提供する。
【解決手段】 気相成長法を用い、ＳｒＴｉＯ₃ （００１）面基板上にＶＯ_X からなるフラックス層を堆積し、フラックス層上にＢｉ₄ Ｔｉ₃ Ｏ₁₂を堆積する。直方体形状のＢｉ₄ Ｔｉ₃ Ｏ₁₂単結晶ナノプレートがフラックス層上に直立して形成され、この直方体の３辺の方向は単結晶基板の特定の結晶方向と一致し、形状がほぼ一定であり、且つ、互いに接触せずに密に配列する。ボットムアップ法によるナノ構造体であり、低コストの強誘電体メモリー等への応用が可能である。 （もっと読む）