【課題】圧電膜、圧電膜素子、圧電膜素子を用いた液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置を提供する。
【解決手段】一般式ＡＢＯ₃で構成されるペロブスカイト複合酸化物から成るエピタキシャル酸化物膜であって、互いに結晶方位のずれを有するＡドメインとＢドメインを少なくとも有し、ＡドメインとＢドメインの結晶方位のズレが２°未満であるエピタキシャル酸化物膜を圧電膜として用いて液体吐出ヘッドの吐出圧力発生素子用として好適な圧電膜素子を得る。 （もっと読む）

【課題】ＳＣＡＭ（ＳｃＡｌＭｇＯ４：スカンジウム・アルミニウム・マグネシウム・オキサイド）結晶基板の簡便かつ安価な製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア（０００１）の薄膜成膜用基板１を真空チャンバー内に導入し、導入後に、パルスドレーザー蒸着法によって、フラックスをターゲットとして、薄膜成膜用基板１上にフラックスの薄膜２を作製し、その後スカンジウム（Ｓ）、アルミニウム（Ａ）及びマグネシウム（Ｍ）を含むＳＡＭ成分をターゲットとして、薄膜成膜用基板１をフラックスが溶融する温度で加熱しながら薄膜成膜用基板の薄膜上にＳＡＭ成分の薄膜３を積層して、ＳＣＡＭ単結晶膜４を有するＳＣＡＭ薄膜基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】磁性体と半導体の両方の性質を備えるイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜の伝導性を制御する。
【解決手段】本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、パルスレーザー堆積法によって単結晶基板上にｃ軸配向して成長されたイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜であって、組成式が、
｛ｘＦｅＴｉＯ_３・（１−ｘ）Ｆｅ_２Ｏ_３｝（但し、ｘは全体に対するイルメナイトＦｅＴｉＯ_３の構成比を表し、０〜１の間の値をとる。）で表されることを特徴とする。
本発明に係る強磁性酸化物半導体薄膜は、所望の伝導性を有し、かつｃ軸配向したイルメナイト・ヘマタイト固溶体秩序相薄膜からなる。本発明に係る方法により製造された薄膜はｃ軸方向に高配向しており、単結晶と同程度の品質を具備している。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するＬＴＧＡ（Ｌａ−Ｔａ−Ｇａ−Ａｌ酸化物）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３の内部にＬＴＧＡ種結晶５を充填すると共に、ＬＴＧＡ種結晶５上にＬＴＧＡ原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ＬＴＧＡ原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてＬＴＧＡ単結晶を育成する育成工程とを備え、ＬＴＧＡ原料６は、ＬＴＧＡ種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれＬＴＧＡ種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】臨界電流値を向上することのできる超電導薄膜材料の製造方法、超電導機器、および超電導薄膜材料を提供する。
【解決手段】超電導薄膜材料の製造方法は、気相法により超電導層３を形成する気相工程と、超電導層３に接するように、液相法により超電導層４を形成する液相工程とを備えている。超電導層３と金属基板１との間に中間層２を形成する工程がさらに備えられていることが好ましい。金属基板１は金属よりなっており、かつ中間層２は岩石型、ペロブスカイト型、またはパイロクロア型のいずれかの結晶構造を有する酸化物よりなっており、かつ超電導層３および超電導層４はいずれもＲＥ１２３系の組成を有していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高圧ガス雰囲気下において浮遊溶融帯方式で、新規単結晶を得ることができる単結晶製造装置及びそれを用いた高圧単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】１１気圧以上の高圧ガス加圧下において浮遊溶融帯方式の単結晶製造装置で、斜方晶（Ｏｒｔｈｏｒｏｍｂｉｃ; オーソロンビック）のＧａ_2-X Ｆｅ_X Ｏ₃ の単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】情報保存容量の超高密度化及び長期的な情報保存が可能な強誘電体保存媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】相異なる分極特性を有する酸化物の単位原子層を積層して、積層（垂直）方向への特定イオンの規則的な配列を通して人工格子の単位構造（スーパーセル）の結晶構造及び対称性を調節することによって異方性（anisotropic）の大きなスーパーセルを形成する。スーパーセル自体が単一分極を有する一つのブロックとして垂直方向に上下２方向にのみ電気分極が発現されるようにし、かかる特徴を有するスーパーセルブロックからなる酸化物人工格子を製造する。酸化物人工格子が１８０°ドメイン構造のみを有するようにすることで、異方性の大きな単一の分域（ドメイン）をナノスケールに形成することができ、情報保存容量の超高密度化及び長期的な情報保存が可能となる。 （もっと読む）

【課題】光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法及びこの結晶から切り出された波長変換素子において、良好な育成歩留まりが得られ、安定した供給を可能すること。
【解決手段】四ほう酸リチウム単結晶Ｃのｃ軸から所定の角度だけ傾けた方位に切り出した種結晶Ｓを用いてチョクラルスキー法により光学用四ほう酸リチウム単結晶Ｃを育成する方法であって、前記方位を、５６度から６２．５度の範囲内に設定する。さらに、この光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法で作製された光学用四ほう酸リチウム単結晶Ｃから波長変換素子を切り出す。 （もっと読む）

【課題】活性酸素種であるＯ_２⁻イオンラジカル及び／又はＯ⁻イオンラジカルを十分に高濃度に包接するマイエナイト構造の結晶であって、気泡やコロイドなどの欠陥の発生が十分に抑制されたカルシア・アルミナ系酸化物結晶を提供する。
【解決手段】化学組成が下記一般式（１）で表されるマイエナイト型の骨格構造を有しており、かつ、下記式（２）で表される条件を満足するカルシア・アルミナ系酸化物結晶。
Ｃａ_１２Ａｌ_１４−ｘＩｒ_ｘＯ_３２ （１）
０．００１≦ｘ≦０．０１ （２） （もっと読む）

【課題】 電解研磨または化学研磨によって金属基材の表面粗さを改善し、優れた超電導特性を有する酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】 Ｍｏを含まないＮｉ−Ｃｒ合金からなり、その表面が電解研磨または化学研磨された金属基材上にイオンビームアシスト法によって多結晶中間薄膜が設けられ、該多結晶中間薄膜上に酸化物超電導体薄膜が設けられてなることを特徴とする酸化物超電導導体。 （もっと読む）