ＭＥＭＳデバイス（１００）が集積回路チップ（１０１）と、リードフレームベースのプラスチック成形本体（１２０）を含むパッケージとを有し、パッケージは本体の厚み（１２１）を通る開口（１２２）を備える。可動フォイル部品（１３０）が本体（１２０）に固定され、開口（１２２）を少なくとも部分的に横切って延びうる。チップ（１０１）は、フォイルを横切って拡がるようにリード（１１０）にフリップ実装され、フォイル（１３０）からギャップにより隔てられうる。リードは、予め製造された個別部品のリードフレーム上にあってもよく、或いは犠牲キャリア上に金属を堆積し、その金属層をパターニングするプロセスフローによって製造されてもよい。その結果のリードフレームは平坦であってもよく、或いは積層型のパッケージ・オン・パッケージデバイスに有用なオフセット構造を有してもよい。
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【課題】静電容量型のセンサ素子の静電容量の変化を検出する静電容量検出回路であって、連続的且つ微小な容量変化をも精度良く検出を可能であり、更に、小型で安価な静電容量検出回路を実現する。
【解決手段】センサ駆動回路１２０で静電容量型のセンサ素子１０に駆動電圧を印加し、
センサ素子の静電容量の変化を連続時間型Ｃ−Ｖ変換回路１１０で電圧信号に変換し、該変換で得た電圧信号から同期検波回路１３０によって信号成分を検出し、更に、平滑回路１４０によって同期検波回路１３０の出力信号を平滑化する。 （もっと読む）

【課題】 外部の圧力を精度良く検出することができ、信頼性に優れた圧力検出装置用基体および圧力検出装置を提供する。
【解決手段】 互いに平行に対向する上面および下面がある内部空間１ａを有し、表面に複数の電極用導体層２を有する絶縁基体１と、内部空間１ａの上面および下面にそれぞれ電極用導体層２の少なくとも１つに電気的に接続されて形成された、互いに対向する上側電極３および下側電極４とを備え、上面および下面の少なくとも一方が、可撓領域１ｅである圧力検出装置用基体であって、可撓領域１ｅの中央部に対応する絶縁層５の表面に、上側電極３および下側電極４とは電気的に独立な、絶縁層５で被覆されていない上側電極３または下側電極４との接触を検知するための検知用電極６を備えた圧力検出装置用基体である。上側電極３または下側電極４と検知用電極６とが短絡することで、ダイアフラムが対向する面に接触したことを検知できる。 （もっと読む）

【課題】 外部の圧力を精度良く検出することができ、信頼性に優れた圧力検出装置用基体および圧力検出装置を提供する。
【解決手段】 上面が可撓領域１ｅである内部空間１ａを有するとともに、電子部品を搭載するための凹部１ｈを有する絶縁基体１と、凹部１ａの底面に形成された複数の電極用導体層２と、内部空間１ａの上面および下面に電極用導体層２の少なくとも１つに接続された、上側電極３および下側電極４と、絶縁基体１の側面または下面に形成された複数の外部電極５とを備え、凹部１ａの側壁部の外側面に、凹部１ａの底面の周囲に対応する部位に設けられた溝６を備えた圧力検出装置用基体である。絶縁基体１の凹部１ａの周囲の側壁部が外部回路基板から引っ張られた場合でも、溝６よりも下の側壁部が変形して、溝６よりも上の絶縁基体１が変形することが抑制される。 （もっと読む）

【課題】水素雰囲気下で使用しても、水素脆化現象による圧力計の破壊がなく、１００ＭＰａ以上の高圧下でも測定が可能な水素圧力測定方法、及びそのためのセンサを提供する。
【解決手段】水素ガスの静水圧を、水素ガス雰囲気に配置された誘電体単結晶材料からなるセンサの静電容量により測定することにより、１００ＭＰａ以上の高圧下でのガス圧の測定を可能とするものであり、好ましくは、該誘電体単結晶として、キュリー温度が室温以下であるものが用いられる。 （もっと読む）

【課題】 外部の圧力を精度良く検出することができ、信頼性に優れた圧力検出装置用基体および圧力検出装置を提供する。
【解決手段】 上側電極３または下側電極４の少なくとも一方は、可撓領域１ｅと可撓領域１ｅの外側との境界線の内側に形成されるとともに可撓領域１ｅの外側にかけて複数の引出し部５で引き出されており、複数の引出し部５は、可撓領域１ｅと可撓領域１ｅの外側との境界線上において、それぞれ同じ幅で、かつ等間隔に配置されている圧力検出装置用基体である。加工硬化による上側電極３と下側電極４との距離の変化を低減するとともに、絶縁基体１が破損する可能性を低減することができ、外部の圧力を長期間にわたって精度良く検出することができる信頼性に優れた圧力検出装置用基体および圧力検出装置となる。 （もっと読む）

フィールドデバイスの静電容量式ゲージ圧センサは、プロセス媒体のゲージ圧を測定する。センサボディは第１および第２のチャンバを含んでいる。第２のチャンバは真空の圧力センサ用真空誘電体を形成する。大気基準ポートがセンサボディ内に形成され、第１チャンバを環境大気圧と平衡させる。センサのプロセス媒体入口はプロセス媒体供給源に接続される。第２のチャンバと媒体入口との間に、導電性かつ可撓性のダイアフラムを設ける。容量性プレートが第２のチャンバ内に配置され、ダイアフラムの撓みで静電容量が変化する。フィールドデバイスは、さらにプロセス媒体のゲージ圧を示すセンサ信号を発生するセンサ回路と、プロセス通信ループを介してセンサ信号に関連する情報を送信する送信回路とを含む。
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【課題】被測定媒体が感圧ダイアフラムに付着して堆積した場合でも感圧ダイアフラムの撓みを抑制して零点シフトを抑制するようにした静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】被測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出する圧力センサチップを備えた静電容量型圧力センサ１０において、圧力センサのセンサダイアフラム１１４の一面１１４ｂは被測定媒体を導入する圧力導入室側をなし、他面１１４ａはコンデンサ部を形成するコンデンサ室側をなし、コンデンサ室側のダイアフラム固定部１６，１７との境界をなすセンサダイアフラム１１４の周縁部１１４ｆとセンサダイアフラムの中央部１１４ｇとが異なる材料から成り、中央部１１４ｇの材料１１５は、周縁部１１４ｆの材料よりも剛性の低い材料としている。 （もっと読む）

【課題】被測定媒体が感圧ダイアフラムに付着して堆積した場合でも感圧ダイアフラムの撓みを抑制して零点シフトを抑制するようにした静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】被測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出するダイアフラム構造の圧力センサチップを備えた静電容量型圧力センサ１０において、圧力センサのセンサダイアフラム１１１の一面１１１ｂは被測定媒体を導入する圧力導入室側をなし、他面１１１ａはコンデンサ部を形成するコンデンサ室側をなし、センサダイアフラムはコンデンサ室側のダイアフラム固定部１６，１７との境界をなす周縁部１１１ｆから中央部１１１ｇに向って剛性が低くなっている。 （もっと読む）

【課題】被測定媒体が感圧ダイアフラムに付着して堆積した場合でも感圧ダイアフラムの撓みを抑制して零点シフトを抑制するようにした静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】被測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出する圧力センサチップを備えた静電容量型圧力センサ１０において、圧力センサのセンサダイアフラム１１６の一面１１６ｂは被測定媒体を導入する圧力導入室側をなし、他面１１６ａはコンデンサ部を形成するコンデンサ室側をなし、センサダイアフラム１１６の固定部にセンサダイアフラム１１６の温度分布を変える加熱手段２０１を設け、当該加熱手段によって加熱されたセンサダイアフラムの温度分布により、センサダイアフラムに異質な堆積物が堆積することに起因して当該センサダイアフラムの周辺部と中央部で発生する撓みを相殺する。 （もっと読む）