説明

国際特許分類[G01T1/20]の内容

物理学 (1,541,580) | 測定;試験 (294,940) | 原子核放射線またはX線の測定 (7,738) | X線,ガンマ線,微粒子線または宇宙線の測定 (6,349) | 放射線強度の測定 (5,456) | シンチレーション検出器をもつもの (1,843)

国際特許分類[G01T1/20]の下位に属する分類

国際特許分類[G01T1/20]に分類される特許

1,011 - 1,020 / 1,652


【課題】シンチレータパネルにおいて、反射性の基板上にハロゲンを含む蛍光体層(CsIなど)を成膜すると、高温高湿度環境下での使用で水分が浸入することでハロゲン元素が基板方向に拡散し、ハロゲンと反射性の基板(主にAl)が反応して腐食が発生する。
【解決手段】放射線透過性の基板26と、基板26に接し基板26に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層27と、基板26が蛍光体層27に接する面の反対側の面に接する反射金属層25と、を有し、基板26が蛍光体層27の発光中心波長の光を透過し、反射金属層25が蛍光体層27の発光中心波長の光を反射可能にする放射線用シンチレータパネル。 (もっと読む)


【課題】高感度であるとともに撮影領域を広領域としたイメージインテンシファイアを提供する。
【解決手段】放射線に対して発光する蛍光体を有する複数の針状のシンチレータからなる入力側シンチレータ17と、複数本の光ファイバを束ねてなり入力側シンチレータ17から放出された光を伝送するFOP12と、FOP12から伝送された光を受光して電子を放出する受光センサ13と、放出された電子を増幅するイメージインテンシファイア管4と、増幅された電子を光に変換する出力側シンチレータ22とを具備し、複数本の光ファイバをテーパー状に束ねてファイバ群16を構成して入力側シンチレータ17及びファイバオプティックプレート12間に設置し、入力側シンチレータ17からの光をファイバ群16に入力するとともに、ファイバ群16からファイバオプティックプレート12へ伝送させた。 (もっと読む)


【課題】物理的に強く良好な遮光性をもった放射線測定装置を実現する。
【解決手段】転写先部材としての発光プレート16上に、熱転写方法によって発光皮膜14が転写される。発光プレート16はβ線検出用の第1シンチレータ材料を有する。発光皮膜14は、保護層24、遮光層26及び発光層28を有する。発光層28は、接着発光層であり、接着材料と、それに添加されたα線検出用の第2シンチレータ材料と、を有する。発光皮膜14を透明部材の表面、光電子増倍管の受光面等に熱転写法によって直接的に形成することもできる。遮光層26が保護層24と転写先部材との間において挟まれ、それが物理的に保護される。 (もっと読む)


【課題】飽和特性を向上させたフォトン計数及びエネルギーデータを提供できるCT検出器モジュールを提供する。
【解決手段】CT撮像システム(10)向けの検出器モジュール(20)は、X線(16)を光学フォトンに変換するためのシンチレータ(58)を含む。シンチレータ(58)は、光学フォトンを受け取りこれを対応する電気信号出力に変換するために内部ゲインを有する半導体式光電子増倍器(53)と光学的に結合させている。本発明の一態様では、CT撮像システムは、その内部を通過して並進させる患者を受け入れるように設計されたボアをその中を貫通して有するガントリと、ガントリ内に配置されると共に患者に向けてX線を放出するように構成されたX線源と、患者によって減衰を受けたX線を受け取るためにガントリ内に配置された上述の検出器モジュールと、を含む。 (もっと読む)


【課題】記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、電荷発生層において発生した電荷を蓄積する蓄積容量および蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのTFTスイッチを有する多数の画素とTFTスイッチをON/OFFするための多数の走査配線と走査線に直交する蓄積容量に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ配線とを備えた検出層とが積層された画像検出器において、解像度を向上させる。
【解決手段】データ配線16間の間隔Pssを走査配線15間の間隔Pggよりも広くする。 (もっと読む)


【課題】対象管体の内面の放射線汚染検査をより簡易にでき得る放射線検査装置を提供する。
【解決手段】放射線検査装置は、中空位置で保持されたセンサユニット18と、当該センサユニット18に分離自在の挿入ユニット20を備える。対象管体は、挿入ユニット20に設けられたガイドパイプ60に事前に挿入され、当該ガイドパイプ60とともにセンサユニット18に挿入される。センサユニット18には、下側からの対象管体およびガイドパイプ60の挿入を受け付ける挿入口26と、当該挿入口26の真上位置において吊り下げ保持された線状の放射線センサであるファイバシンチレータ34と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 少なくとも信号配線の寄生容量を低下させ、感度の向上、ノイズの減少を図る。
【解決手段】 本発明の撮像装置は、絶縁基板上に配置された複数の画素を有し、前記複数の画素はそれぞれ、複数の薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタ上に配置された変換素子と、前記複数の薄膜トランジスタと前記変換素子との間に配置された複数の絶縁膜と、を含み、前記複数の薄膜トランジスタは、前記変換素子にゲート電極が電気的に接続された読み出し用薄膜トランジスタと、前記読み出し用薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された第1の選択用薄膜トランジスタと、を含み、入射した光又は放射線を変換素子が変換して得られる電荷に対応した信号が転送される信号配線及び第1の選択用薄膜トランジスタのゲート電極に駆動信号を供給するゲート配線の少なくとも一方が前記複数の絶縁膜の間に配置されている。 (もっと読む)


【課題】高感度のアモルファスシリコンフォトダイオードおよびその製造方法ならびにそのアモルファスシリコンフォトダイオードを用いた低被爆量型のX線撮像装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に形成された第1導電型アモルファスシリコン層と、前記第1導電型アモルファスシリコン層の上に形成されたi型アモルファスシリコン層と、前記i型アモルファスシリコン層の上に形成された第2導電型のアモルファスシリコン層と、前記絶縁性基板と前記第1導電型アモルファスシリコン層との間において、その周端面が前記第1導電型のアモルファスシリコン層の周端面よりも内側となるように設けられた金属電極と、を備えたことを特徴とするアモルファスシリコンフォトダイオードが提供される。 (もっと読む)


【課題】Prを含む酸化物ガーネット単結晶からなるシンチレータ用発光材料の発光特性を向上させる。
【解決手段】一般式(PrxRE1-x)3(Al1-yGay)5O12(ただし、REはY、Sc、Yb、Luから選ばれた1種または2種以上である。Prの濃度Xの範囲は0.0001≦x≦0.0500。Gaの濃度yの範囲は0.0000≦y≦1.0000)で表されるシンチレータ用酸化物ガーネット単結晶の製造方法であり、育成されたシンチレータ用酸化物ガーネット単結晶を、Oを含有するNまたはArガス雰囲気において熱処理する。 (もっと読む)


【課題】プラスチックマトリックスに埋め込まれたシンチレーション化合物のナノスケール粒子を含むシンチレーション検出器を提供する。
【解決手段】ナノスケール粒子は、金属酸化物、金属オキシハライド、金属オキシサルファイド、または金属ハロゲン化物から作製してよい。ナノスケール粒子の調製方法を提供する。粒子は、プラスチックマトリックスに組み込む前に、有機化合物またはポリマーでコーティングしてもよい。二酸化チタンのナノスケール粒子を組み込むことによって、プラスチックマトリックスとナノスケール粒子の屈折率を一致させるための技法も提供する。シンチレータを1個または複数の光検出器に結合して、シンチレーション検出システムを形成してもよい。 (もっと読む)


1,011 - 1,020 / 1,652