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国際特許分類[G02F1/01]の内容

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【課題】各ユニットが発光素子を備えることなく安価かつ簡単に構成できるようにする。
【解決手段】第1の光導波路150はユニット110〜140を接続する。この光導波路150は、発光部170から供給される、データ情報を有しない、つまりデータ的にnull(無効)な4つの波長の光を導波する。第2の光導波路160は、ユニット110〜140を接続する。この光導波路160は、データ情報を有する4つの波長の光を導波するリング状の光導波路である。変調機能部112〜142は、それぞれ、他のユニットにデータを送るとき、光導波路150から光導波路160に、当該他のユニットに応じた波長の光を、送信データで変調した状態で導波する。受光機能部113〜143は、それぞれ、光導波路160から自己のユニットに応じた波長の光を取り出して受信データを得る。 (もっと読む)


【課題】 中赤外光領域全域で動作する応答速度制御型中赤外光スイッチを提供する。
【解決手段】 弱励起(例えば0.001mJ/cm)下においては、ピコ秒程度の寿命が観測されるのに対し(図5(a))、図4の場合と同様の励起強度(0.1 mJ/cm)下では、数ナノ秒の長い寿命が観測される(図5(b))。すなわち、ピコ秒から10ナノ秒以上の範囲で、励起強度による反射率変化に関する寿命の制御が可能であることがわかる。以上のように、アクセプターイオンの種類および励起強度によって、光誘起金属状態の寿命が変化約5桁にわたって光スイッチの応答速度を変えることができる。 (もっと読む)


【課題】小型化が実現でき且つ調整の容易な光導波路装置、及び、この光導波路装置を用いた光符号分割多重通信システムを提供する。
【解決手段】光導波路装置は、光符号装置又は光復号装置であり、分波合波部300、位相シフト部400、及び遅延反射部500から構成される。分波合波部300の入出力部Aに入力された光パルスは、光チップパルスに分波されて入出力部B〜B16から出力される。これら光チップパルスは、位相シフト部400の位相シフト用光導波路C〜C16を通過して遅延反射部500の遅延用光導波路E〜E16に入力され、反射器F〜F16で反射され、遅延用光導波路E〜E16を逆方向に進んで、位相シフト部400の位相シフト用光導波路C〜C16に戻され、分波合波部300の入出力部B〜B16に入力される。これら光チップパルスは、合波されて入出力部Aから出力される。 (もっと読む)


【課題】 小型で高性能な光学素子を提供する。
【解決手段】 開口31と、少なくとも一方の表面30aに周期的に形成された凹凸形状(同心円状の溝32)とを有し、その凹凸形状の存在によって表面30aに入射されて開口31を透過する光の強度が増強される構造とされた導電性フィルム30と、屈折率周期構造を有するフォトニック結晶20とを備える。フォトニック結晶20には光導波路と、その光導波路と光結合する欠陥構造(点状欠陥22)とが形成され、導電性フィルム30はフォトニック結晶20上に配置されて開口31が欠陥構造と近接される。 (もっと読む)


【課題】マイクロリソグラフィ用の投影露光装置における結像特性に影響を及ぼすことができる改良型光学装置を提供する。
【解決手段】光学装置は、ソケットに装着され少なくとも1つの光学面を有する光学部品、特にレンズ1を備え、この場合、部品内の応力をマニピュレータ3〜5;6〜14によって設定または変更可能である。マニピュレータ3〜5;6〜14は、部品自体、または、部品の周囲を取り囲むホルダもしくはソケット2の周囲領域において、部品の光軸にほぼ平行に力および/またはトルクを付加し、付加された力および/またはトルクの大きさは、応力複屈折を部品に誘起するような強度である。 (もっと読む)


【課題】ヒータ部を簡単な構造で構成することで低コスト化が可能な可変分散補償器を提供する。
【解決手段】グレーティング部を有する光ファイバ5と、上記グレーティング部に所望の温度分布を与えるために加熱する加熱手段7と、上記加熱手段の与える温度分布を制御するための制御手段3,4と、を備え、上記グレーティング部の群遅延時間特性を制御する可変分散補償器であって、上記加熱手段が、上記グレーティング部の長手方向の少なくとも全長に渡って延びる電気的抵抗を有するひと繋がりの導体からなるヒータと、上記ヒータに上記長手方向に沿ったそれぞれの位置で電気的に接続された複数の配線とを有し、上記制御手段が上記各配線に給電を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】この発明は、高速の応答速度を有した可変分散補償器を得る。
【解決手段】制御回路10は、第1および第2記憶領域12,13を備え、分散値を可変するコマンドを受け取ると、分散可変前に複数のヒータ7〜7のそれぞれに供給している複数の第1パルス電流を第1記憶領域12に記憶し、目標分散値にするために複数のヒータ7〜7のそれぞれに供給する複数の第2パルス電流を第2記憶領域13に記憶した後、第2パルス電流と第1パルス電流との差を計算し、その値に勾配係数を乗じ、その値と第2パルス電流との和を計算して複数の第3パルス電流を算出し、算出された複数の第3パルス電流を複数のヒータ7〜7のそれぞれに供給し、その後一定時間経過後に複数の第2パルス電流を複数のヒータ7〜7のそれぞれに供給する。 (もっと読む)


【課題】 導波モード共鳴格子素子への配線などによる機器の複雑化、および大型化を招来することなく、入射光の反射と透過とを切り替え可能な波長選択素子として利用できる導波モード共鳴格子素子を実現する。
【解決手段】 本発明に係る波長選択素子は、格子層1と導波層2を備え、前記格子層1は屈折率の温度係数の異なる格子部材11、および熱反応充填材12により形成されている。従って、制御光L2の非照射と照射とを切り替えることにより、格子層1における光学的な回折格子の機能の有無を切り替える。これにより、前期波長選択素子への配線なしに、該波長選択素子における信号光L1の透過と反射とを制御することができる。 (もっと読む)


【課題】より効率よく通信波長帯域へ適用可能なポラリトン導波路を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基板101の上に、n型の不純物が高濃度に導入されたシリコンからなる膜厚50nm程度のn型半導体層102、p型の不純物が低濃度に導入されたシリコンからなる膜厚20nm程度のp型半導体層103、及び酸化シリコンからなる膜厚30〜50nm程度の絶縁層104がこれらの順に積層されている。また、絶縁層104の上に金属からなる幅1μm程度の電極層105が形成されている。電極層105に正の方向にバイアス電圧を印加すると、p型半導体層103と絶縁層104との界面のバンドが歪み、p型半導体層103の側でバンドの底がフェルミエネルギー以下となり反転分布層が形成される。 (もっと読む)


【課題】 共振器長を安定化したい点に確実に固定して、極めて安定に光周波数コムを発生する。
【解決手段】
光変調を行うレーザー光を通過させる電気光学結晶からなる光変調器を光共振器13内に備える光周波数コム発生器15において、レーザー光に周回当たりπラジアン以上の変調指数の光変調を行うことにより光周波数コムを生成し、上記光周波数コム発生器15から透過光又は反射光として取り出される光周波数コム出力のパワーの直流成分を光検出器18により検出し、その検出電圧と上記光周波数コム発生器15の共振器長の変動に対する上記検出電圧の変化の傾きを指定して、上記検出電圧により上記共振器長を一定に制御する。 (もっと読む)


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