【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３５】
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【課題】難燃性の多層光画像形成性カバーレイ組成物およびそれに関連する方法の提供。
【解決手段】ａ．リン部分を有する最上層結合剤と、リン部分を有する最上層光開始剤とを含み、１ミクロンから７５ミクロンの厚さを有し、ｉ．２重量パーセントから１０重量パーセントの範囲のリンと、ｉｉ．２重量パーセントから１８重量パーセントの範囲の光開始剤と、ｉｉｉ．２０重量パーセントから７０重量パーセントの量の最上層結合剤とを含む最上層と、ｂ．任意選択的にリン部分を有する最下層結合剤と、任意選択的に少なくとも１つのリン部分を有する最下層光開始剤とを含み、４重量パーセント以下の量でリンを含み、１ミクロンから７５ミクロンの厚さを有する最下層とを含み、合計厚さが２ミクロンから１５０ミクロンの範囲にあることを特徴とする感光性多層回路カバーレイ組成物。 （もっと読む）

【課題】微小異物の発生を抑制し、塗布膜としたときの膜厚の膜厚の均一性（面内均一性）が良好な染料含有ネガ型硬化性組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）染料、（Ｂ）光重合開始剤、及び（Ｃ）ラジカル重合性モノマーを含んでなる混合物を、孔径が０．０２μｍ以上０．２μｍ未満のフィルタを通過させる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】目的とする用途において設計通りの性能を発揮できる重合体、その製造方法、およびレジスト膜に設計通りの性能を発揮させ、かつレジストパターンにおけるディフェクトの発生を抑えることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】調合槽１０（容器）内に貯留された、単量体成分および重合開始剤を含む単量体溶液を、重合槽２０内にて重合温度に保持した溶媒中に滴下し、単量体成分を重合する工程を有する重合体の製造方法において、重合槽２０に滴下する単量体溶液の温度の変動幅を６℃以下に保つ。 （もっと読む）

【課題】レジスト間あるいはレジストとリフトオフ材料間が混ざり合って寸法精度やパターン精度が劣化することを防止すると共に、リフトオフ時に容易に有機溶剤に溶解し、安定した製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に非水溶性フォトレジスト材料１１を塗布形成する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料１１の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成する工程と、上記中間層２０上に非水溶性フォトレジスト材料１２を塗布形成する工程とを有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】目的とする用途において設計通りの性能を発揮できる重合体、その製造方法、およびレジスト膜に設計通りの性能を発揮させ、かつレジストパターンにおけるディフェクトの発生を抑えることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】重合体の分散液をろ過して重合体湿粉を製造する工程と、該重合体湿粉を容器５２に入れて乾燥させる工程とを有し、容器５２として、容器浸漬後の水の電気伝導度（Ｘ）と容器浸漬前の水の電気伝導度（Ｙ）との差（Ｘ−Ｙ）が、１．８μＳ／ｃｍ以下であるものを用いる重合体の製造方法。ただし、容器浸漬前の水としては、電気伝導度が０．５μＳ／ｃｍ以下である純水を用い、容器浸漬後の水の電気伝導度（Ｘ）は、容器の内面積１ｍ² あたり２０Ｌの純水に容器を浸漬し、浸漬開始から１５分後に容器を浸漬した状態で測定した水の電気伝導度とする。 （もっと読む）

【課題】異物の少ない重合体粉末を得ることができる重合体粉末の製造方法、異物の少ない重合体粉末およびレジスト組成物を提供する。
【解決手段】重合体が分散媒に分散した分散液をろ過して重合体湿粉を製造する工程と、減圧乾燥装置５０を用いて重合体湿粉を乾燥させる工程とを有し、前記減圧乾燥装置５０内に気体を流入させる際、孔径が０．１〜１．０μｍのフィルター５２を通過した気体を流入させる重合体粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用、三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型フォトレジスト層の下層を形成するためのレジスト下層膜材料であって、架橋性のポリマーと、一般式 Ａ^-（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ （１） で示される１００℃以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含んでなるレジスト下層膜材料、及びこのレジスト下層膜材料を用いて形成されたレジスト下層膜を備えるレジスト下層膜基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】目標の濃度になるまで溶液を濃縮する工程を有する溶液の製造方法において、目標の濃度からの濃度のずれが少ない溶液を得ることができる製造方法、目的とする用途において設計通りの性能を発揮できる重合体溶液、およびレジスト膜に設計通りの性能を発揮させることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】目標の濃度になるまで溶液を濃縮する工程を有する溶液の製造方法において、溶液の屈折率が、あらかじめ測定された、目標の濃度における溶液の屈折率の±０．１％となるまで濃縮を行う。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用、三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料、を形成する方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型フォトレジスト層の下層を形成するためのレジスト下層膜材料であって、架橋性のポリマーと、一般式 Ｒ¹ＣＦ₂ＳＯ₃^-（Ｒ²）₄Ｎ⁺ （１ａ） で示される１００℃以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含んでなるレジスト下層膜材料、及びこのレジスト下層膜材料を用いて形成されたレジスト下層膜を備えるレジスト下層膜基板を提供する。 （もっと読む）