【課題】 半導体装置のリソグラフィー工程においてフォトレジストの下層に使用される感光性レジスト下層膜形成組成物を提供する。
【解決手段】 感光性レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布して焼成して感光性レジスト下層膜を形成する工程、感光性レジスト下層膜上にフォトレジスト層を形成する工程、前記レジスト下層膜とフォトレジスト層で被覆された半導体基板を第１のマスクパターンを用い第１の露光を行う工程、その後第１のマスクパターンとは異なる形状の第２のマスクパターンを用い第１の露光より低い露光量で第２の露光を行う工程、露光後に現像する工程、を含む半導体装置の製造方法に用いる上記感光性レジスト下層膜形成組成物。 （もっと読む）

【課題】限界寸法（ＣＤ）制御及びレジストがコーティングされたウエハの熱処理の最適化をリアルタイムで動的に行う。
【解決手段】複数の温度制御領域に分割されたホットプレート表面の温度プロファイルを設定する工程、及びホットプレート上でウエハを順次熱処理する工程を有する。さらに、熱処理されたウエハ上の複数の検査領域からＣＤ計測データを取得する工程を有する。２以上の熱処理されたウエハについて異なる群の検査領域が選択される。ＣＤ計測データマップが構築され、そのＣＤ計測データマップを用いることによって、ホットプレート表面について調節された温度プロファイルが設定される。従って別のウエハが熱処理される。当該方法はまた、複数のホットプレート上でのウエハの熱処理にも適用されて良い。 （もっと読む）

【課題】集積回路のような電子素子の製造に用いることのできる調節可能なレジストの光学特性を変化させる方法及びシステムに関する。
【解決手段】光計測を用いた測定の精度を改善する方法及びシステムを供する。さらに本発明は調節可能なレジスト層を用いる方法及びシステムを供する。その調節可能なレジスト層は、露光前に第１組の光学特性、及び露光後に第２組の光学特性を供する。 （もっと読む）

【課題】支持体上に高精細かつ高アスペクト比のパターンを形成できるパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に下層膜を形成する工程、該下層膜上にシリコン系ハードマスクを形成する工程、該ハードマスク上に化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程、第一のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第一のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、ハードマスクをエッチングして第一のパターンを形成する工程と、前記第一のパターン上に化学増幅型ポジ型シリコン系レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程、第二のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第二のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、下層膜をエッチングして第二のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】支持体上に高精細かつ高アスペクト比のパターンを形成できるパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に下層膜を形成する工程、該下層膜上にシリコン系ハードマスクを形成する工程、該ハードマスク上に化学増幅型ネガ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程、第一のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第一のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、ハードマスクをエッチングして第一のパターンを形成する工程と、前記第一のパターン上に化学増幅型ポジ型シリコン系レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程、第二のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第二のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、下層膜をエッチングして第二のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光に対して優れた反射防止効果を有し、またエッチング選択比が十分に高く、上層のフォトレジスト膜に形成するレジストパターン形状をほぼ垂直形状にできるフォトレジスト下層膜材料。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物と、式（２）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物とを添加してなるフォトレジスト下層膜材料。
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【課題】非水溶性の有機溶媒を用いることなく、感光剤を含まないポリイミドのパターンを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）基板上にポリイミド前駆体層を形成する工程、（Ｂ）前記ポリイミド前駆体層上にポジ型フォトレジスト層を形成する工程、（Ｃ）前記ポジ型フォトレジスト層を選択的に露光する工程、（Ｄ）前記ポジ型フォトレジスト層の現像後または現像と同時に、下層のポリイミド前駆体層を選択的に除去しパターン化する工程、（Ｅ）前記パターン化されたポジ型フォトレジスト層の全面を露光する工程、（Ｆ）前記パターン化されたポリイミド前駆体層を少なくとも部分的にイミド化することにより塩基性水溶液又は水溶性塩基性物質に対する溶解性を低下させる工程、（Ｇ）前記パターン化されたポジ型フォトレジスト層を塩基性水溶液又は水溶性塩基性物質によって剥離する工程を有するポリイミドパターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、及び該パターン形成方法に好適に用いられる被覆膜形成用材料を提供する。
【解決手段】支持体１上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、第一のレジスト膜２を選択的に露光し、現像して複数の第一のレジストパターン３を形成し、第一のレジストパターン３の表面にそれぞれ水溶性樹脂膜からなる被覆膜４を形成して複数の被覆パターン５を形成し、該被覆パターン５が形成された支持体１上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成し、第二のレジスト膜６を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン５と、第二のレジスト膜６に形成された第二のレジストパターン７とからなるパターンを支持体１上に形成する。 （もっと読む）

【課題】水現像性感光性樹脂組成物を用いた印刷版の製造工程において発生する現像廃水の廃棄方法であって、濃縮釜内での焦げ付きがなく、排水処理作業が簡単であり、かつ安いランニングコストで現像排水を廃棄又は再利用可能にすることができる現像液排水の処理方法を提供する。
【解決手段】現像廃液を気圧が２〜５ｋＰａ、且つ温度が３０℃未満で減圧蒸発せしめて、未露光部の樹脂成分と凝縮液とに分離する廃液処理方法であって、蒸発後の現像廃液中の残存水分率を１０〜２０％の間に濃縮した後に取り出して流動性廃棄物として廃棄することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理中に生ずる昇華物の析出が有効に防止される加熱処理装置を実現する。
【解決手段】 基板３を加熱すると、基板３の表面に塗布されたレジスト液などから溶剤が気化しあるいは樹脂から昇華したものが天板１０の下面のフッ素樹脂被膜１１で凝集する。凝集物はフッ素樹脂被膜１１の表面に形成されるため微細な径となるが、更にフッ素樹脂被膜は滑りやすいので、傾斜に沿って移動し、天板１０の端部から下方に落下する。凝集液滴が落下する位置は基板３よりも外側にしているため、歩留り低下の原因にはならない。 （もっと読む）