【課題】本発明の課題は、膜応力の発生により、リフトオフ層としてのレジスト層が下地絶縁膜から剥離し、その露呈部分に不要な金属膜が付着してもショート不良になることを防止できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のパターン形成方法は、ソース電極２０上にＰＳＧからなる下地絶縁膜２３を形成し、その上に、金属膜パターン（ＴｉＮｉＡｇ）と異なるエッチング選択比を有する金属としてのＡｌからなる第２の金属層１０２を形成し、その上にリフトオフ層となるレジスト層２４を形成し、レジスト層２４に所定パターンの開口２４ａを形成し、これをマスクとして、第２の金属層１０２および下地絶縁膜２３を順次、ウェットエッチングして開口１０２ａおよび開口２３ａを形成し、その上から金属膜２５を被着後、レジスト層を溶解させ、その上の不要な金属膜を除去した後、第２の金属層１０２をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】ホールパターンを高密度に形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１上に複数の柱状の構造物を形成する工程と、複数の構造物に包囲された領域に窪み部が形成されるように、複数の構造物の側壁に側壁膜を形成する工程と、複数の構造物の上、及び窪み部の底部の側壁膜をエッチングして除去する工程と、側壁膜を残し、複数の構造物を選択的にエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【課題】製造工程が複雑になるのを抑制するとともに、製造が困難で製造に時間がかかるマスクを用いることなく、１回のリソグラフィ工程により接続孔および配線溝を形成するためのパターニングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法であって、配線３を覆うように絶縁膜４、レジスト５、および、感光性シリコンを含有するレジスト６を配置する工程と、クロムマスク２０を用いてレジスト５および６を同時に露光する工程と、レジスト６の露光された部分をシリル化する工程と、現像液を用いてレジスト５の感光部５ｂを除去する工程と、レジスト６のシリル化部６ａおよび６ｂをマスクとして絶縁膜４およびレジスト５の少なくとも一部を除去することにより、絶縁膜４に接続孔７と配線溝８とを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】液状版感光性樹脂凸版の工程間の搬送を搬送機構によって、機械式に自動で行い、液状版感光性樹脂凸版を製版する際に好適に用いることができる、版保持具を提供する。
【解決手段】液状版感光性樹脂凸版２の横幅以上の長さを有する長尺部材３の前面又は後面に、間隔を開けて複数個のクランプ４が、前記長尺部材３との間で前記液状版感光性樹脂凸版２の版頭を挟み込むことができるように、設けられている。前記長尺部材３の側部に側面板７が設けられており、前記側面板７には穴８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の微細パターン形成方法に関する。
【解決手段】より具体的には被食刻層が備えられた基板上に第１〜第３のマスクパターンからなる積層パターンを形成する段階と、前記第３のマスク膜を食刻バリアに利用して第２のマスクパターンを側面食刻する段階と、前記第３のマスクパターンを除去する段階と、前記第２のマスクパターンの上部を露出するスピンオンカーボン層を形成する段階と、前記スピンオンカーボン層を食刻バリアに利用して被食刻層を露出させる段階と、前記スピンオンカーボン層を除去する段階とを含む半導体素子の微細パターン形成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性、剥離性を両立し、タック性に優れ、レジスト膜から発生するアウトガスが少なく、さらにハレーション防止性能に優れたリフトオフ用ネガ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂とエピハロヒドリンの反応物を（メタ）アクリル酸と反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレートと多塩基性カルボン酸又はその無水物との反応物である不飽和基含有ポリカルボン酸樹脂１００重量部に対して、（Ｂ）前記成分（Ａ）以外のエチレン性不飽和化合物を０．５〜５０重量部、（Ｃ）シランカップリング剤を０．０１〜３０重量部、（Ｄ）光重合開始剤を０．５〜２０重量部、及び（Ｅ）光吸収剤を０．０１〜１０重量部含有することを特徴とするリフトオフ用ネガ型レジスト成物、及びこの組成物を用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】感光性樹脂組成物を用いたフォトリソグラフィーにより、工程が簡便で、工程歩留まりが高く、高精度な中空構造を有する成形体を安価に作成する方法を確立すること。
【解決手段】基板上に、波長が４００ｎｍ以上の光に感光しない第１の感光性樹脂層を形成し、第１のマスクを介して波長が４００ｎｍ未満の光を照射する工程、現像処理を施すこと無く、前記工程により感光処理された第１の感光性樹脂層の上に、波長が４００ｎｍ以上の光に感光する固形分９０重量％以上の固形又は半固形の第２の感光性樹脂層を形成し、第２のマスクを介して波長が４００ｎｍ以上の光を照射する工程、前記第１及び第２の感光性樹脂層に一括で加熱処理を施す工程、及び前記第１及び第２の感光性樹脂層の未感光部を一括で現像する工程を有する、中空構造を有する成形体の製造法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、良好な現像性を維持して、かつ耐刷性に優れたポジ型感光性平版印刷版材料を提供することである。
【解決手段】アルミニウム支持体上に、アルカリ可溶性樹脂、酸分解性化合物および酸発生剤を含む画像形成層下層を有し、該画像形成層下層上にアルカリ可溶性樹脂を含む画像形成層上層を有するポジ型感光性平版印刷版材料であって、該画像形成層下層が、該アルカリ可溶性樹脂として、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を含む共重合体を含有することを特徴とするポジ型感光性平版印刷版材料。 （もっと読む）

【課題】エッチングにおけるプロセス変動を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板ＳＢ上に薄膜ＧＴが形成される。この薄膜ＧＴ上にレジスト層ＲＳが形成される。このレジスト層ＲＳ上に中間層ＩＬが形成される。この中間層ＩＬ上にフォトレジストパターンＰＲが形成される。このフォトレジストパターンＰＲがマスクとされて、中間層ＩＬがパターニングされる。パターニングされた中間層ＩＬがマスクとされて、レジスト層ＲＳがパターニングされる。パターニングされた中間層ＩＬおよびパターニングされたレジスト層ＲＳのいずれかがマスクに用いられて上記薄膜ＧＴがエッチングされる。この薄膜ＧＴのエッチングの開始から終了まで薄膜ＧＴのエッチングに用いられるマスクの材料が変わらない。 （もっと読む）