【課題】希釈対象である薬剤の量の誤差を少なくすることによって、濃度調整を容易とする。
【解決手段】希釈タンク２と、希釈タンク２内の液体を循環させる循環用配管４と、循環用配管４の一端から希釈タンク２内の液体を吸引し他端から当該液体を希釈タンク２内に戻すためのポンプ３と、を備える希釈装置１を用いた薬剤（例えば現像液の原液等）の希釈方法であって、薬剤を希釈するための希釈液の一部を、少なくとも、サクション管４’内が満たされるまで希釈タンク２内に導入する第１の希釈液導入工程と、前記薬剤を希釈タンク２内に導入する薬剤導入工程と、希釈液の残部を前記容器内に導入する第２の希釈液導入工程と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】使用する処理液が発泡性を有する場合でも、処理液に発泡を抑える添加剤等を特に加えることなく、発泡を抑制し、安定な運転が可能な水平搬送処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理液を貯蔵するタンクと、前記処理液をタンクから導出する供給配管と、この供給配管からの処理液を被処理体に噴霧処理するチャンバーと、このチャンバー内で前記被処理体を搬送する搬送手段と、前記チャンバーで噴霧処理した後の処理液を前記タンクに戻す連絡部とを備え、前記処理液がチャンバーとタンクとを循環する水平搬送処理装置において、前記タンクの液面より上方に、タンク内に貯蔵された処理液の液面に処理液を噴霧する消泡ノズルを配置した水平搬送処理装置。 （もっと読む）

【課題】電子線用レジストの現像ローディング評価パターンにおいて、電子線露光時のfoggingの影響と現像ローディングの影響が発生する密なパターン領域を持つフォトマスクから、現像ローディングの影響のみを、工程を増やさず抽出することが出来、現像条件の最適化を行うことが出来る現像ローディング評価パターン、それを用いた評価方法、現像ローディング評価用マスク、および現像方法を提供することを課題とする。
【解決手段】電子線露光量に対応したパターン密度を有する複数個のダミーパターン部Ｂ、Ｃと、ダミーパターン部に近接して設けられた寸法測定パターン部Ａ、Ａ´と、を備えたことを特徴とする現像ローディング評価パターン。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、ネガ画像の形成において、残渣系の欠陥を著しく低減できる、ネガ型現像液を用いたネガ画像形成方法を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、レジスト組成物を塗布する工程、（イ）活性光線又は放射線を照射する工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法であって、ネガ型現像液を２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２以下の範囲で吐出することを特徴とするネガ画像形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は着色されたシリコーンゴム層を有する水なし平版印刷版原版に対し、従来よりも高い版裏面洗浄性を有し、現像機の大型化やコスト増といった影響が少ない現像機を提供することを課題とする。
【解決手段】着色されたシリコーンゴム層を有する水なし平版印刷版原版を搬送ロールで搬送しながら、上記シリコーンゴム層をブラシロールで擦って現像する印刷版原版の現像方法において、ブラシロールを回転および／またはロール方向に往復させ、画像部におけるシリコーンゴム層を物理的に除去するとともに、印刷版原版裏面に接触する搬送ロールおよび／またはブラシ受けロールを洗浄する機構を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】微細なシリコーン層のパターンを有する印刷版の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持体上に少なくとも感光層または感熱層と、シリコーン層をこの順に有する印刷版原版を、露光または加熱した後、シリコーン層を選択的に除去してシリコーン層のパターンを形成する印刷版の製造方法であって、現像液の存在下において、見掛比重が０．１５以上の編物布、織物布または不織布でシリコーン層表面を摩擦することにより前記シリコーン層の選択的除去を行うことを特徴とする印刷版の製造方法。 （もっと読む）

【課題】現像液を基板に均一性高く供給して、歩留りの低下を抑えることができる現像装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持する基板保持部と、現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化させる表面処理液霧化手段と、霧化した前記表面処理液を前記基板に噴霧する第１の噴霧ノズルと、前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行うための現像液吐出ノズルと、を備えるように現像装置を構成する。霧化した表面処理液は、液状のままの表面処理液に比べて、基板に対する表面張力が低いので、基板上で凝集することが抑えられるため、容易に基板全体に供給することができ、基板の濡れ性を高めることができる。その結果として、現像液を均一性高く基板に供給することができ、歩留りの低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理をウェーハの被処理面に対して均一に、且つ、処理の長時間化を抑制しながら行うことができる。
【解決手段】内部に処理液３を貯留し、処理液３によりウェーハ４の被処理面４ａに対する処理が行われる処理槽２を備える。処理槽２内の処理液３に被処理面４ａが浸漬されるように、被処理面４ａを下向きにしてウェーハ４を保持する保持部５を備える。処理液３を処理槽２内へ供給する供給手段（例えば、循環ポンプ６及び供給配管７）と、回転することによって処理槽２内の処理液３を撹拌する回転部材（例えば、スターラ２１）を備える。供給手段は、ウェーハ４の被処理面４ａに向かう上向きの噴流２０が処理槽２内に形成され、且つ、処理槽２の上端２ａから処理液３がオーバーフローするように、処理液３を処理槽２内へ供給する。回転部材は、噴流２０の経路を避けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】処理液供給ノズルから基板例えば半導体ウエハへの処理液の供給を行うにあたり、処理液供給ノズル内の処理液の乾燥を防止する。
【解決手段】ノズルユニット４の処理液供給ノズル４Ａ〜４Ｊの先端内部の処理液層の外側に空気層と処理液の溶剤層とを形成する。次いで前記処理液供給ノズル４Ａの前記溶剤層を待機ユニット６の液排出部に排出し、次いでこのノズル４ＡからウエハＷ表面に処理液を供給して塗布処理を行う。この後ノズル４Ａ内に残存する処理液を吸引し、次いでノズルユニット４の各ノズル４Ａ〜４Ｊの先端を、待機ユニット６の溶剤貯留部の溶剤内部に浸漬し、前記一のノズル４Ａを吸引することにより、当該ノズル４Ａの先端内部の処理液層の外側に空気層と溶剤層とを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される被処理膜のパターンの線幅を基板面内で均一にする。
【解決手段】検査用ウェハの被処理膜にパターンを形成する（ステップＳ１）。被処理膜のパターンの線幅を測定する（ステップＳ２）。線幅測定結果に基づいて、ＰＥＢ装置における加熱温度を補正する（ステップＳ３）。外周部の線幅測定結果が目標線幅より大きい場合には、現像処理においてウェハの外周部に供給する現像液の供給量を増加させ、当該現像液の供給量を補正する（ステップＳ４）。外周部の線幅測定結果が目標線幅より小さい場合には、現像処理後においてウェハの外周部に処理液を供給させ、当該処理液の供給量を設定する（ステップＳ５）。ウェハにフォトリソグラフィー処理を行い、レジストパターンを形成する（ステップＳ６）。ウェハにエッチング処理を行い、被処理膜に所定のパターンを形成する（ステップＳ７）。 （もっと読む）