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国際特許分類[G03F7/30]の内容

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【課題】基板の現像処理を基板面内で均一に行い、レジストパターンの寸法の基板面内における均一性を向上させる。
【解決手段】現像液ノズル33と純水ノズル40からウェハWの中心部に現像液Dと純水Pをそれぞれ供給し、現像液Dと純水Pの混合液CをウェハW全面に拡散させる(図4(a))。純水ノズル40からウェハWの中心部に純水Pを供給し(図4(b))、純水PをウェハW全面に拡散させる(図4(c))。現像液ノズル33からウェハWの外周部に現像液Dを供給した後(図4(d))、現像液ノズル33をウェハWの中心部に移動させながら、ウェハWに現像液Dを供給する。そして、ウェハW全面に現像液Dを拡散させ、ウェハWの現像処理を行う(図4(e))。 (もっと読む)


【課題】感光膜の感度にばらつきがあったとしても、所望のリソグラフィ尤度を確保し、パターンカテゴリ間の寸法差を抑えるとともに、パターン寸法を高精度に制御可能な現像方法、及びフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】この現像方法は、基板上に形成され、露光された感光膜を所定の膜厚まで現像する第1の現像処理を行う工程と、前記第1の現像処理によって現像された前記感光膜の前記所定の膜厚と前記感光膜の露光量から前記感光膜の感度情報を取得する工程と、前記感度情報から第2の現像処理を行った後のパターン寸法を予測し、前記第2の現像処理における現像条件の第1の許容範囲を決定する工程と、前記第1の許容範囲と、複数種のパターン間における現像処理後のパターン寸法のばらつき量から決定される前記第2の現像処理における現像条件の第2の許容範囲とを共に満たすように前記第2の現像処理における現像条件を決定する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】現像液から発生する気泡を簡易な構成により低減させ、レジストパターンの未解像欠陥を低減させる。
【解決手段】本発明に係る現像装置は、露光済み基板上に現像液を吐出する吐出部と、前記基板と前記吐出部とを収容する現像室と、前記現像室内を加圧する加圧機と、を具備することにより、現像室内での現像液の発泡を抑制する。或いは、前記吐出部に現像液を供給する現像液タンクと、前記現像液タンク内を減圧する減圧機と、を具備することにより、現像液タンク内で現像液中の気体を強制的に除去することにより、現像室内での現像液の発泡を抑制する。 (もっと読む)


【課題】処理室内部の雰囲気が外部に漏洩することを確実に防止することができるとともに、処理室内のメンテナンスを外部から容易に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布処理室21は、縦フレームFaを含むフレームにより形成された開口部21zを有する。フレームには開口部21zを開閉可能にメンテナンス用扉Dが設けられる。開口部21zを取り囲むように、フレームに溝付きトリム501が設けられる。溝付きトリム501は、開口部21zがメンテナンス用扉Dにより閉塞された状態でメンテナンス用扉Dに接触することによりメンテナンス用扉Dに対向する溝501gを有する。開口部21zがメンテナンス用扉Dにより閉塞された状態で、溝付きトリム501の溝501gとメンテナンス用扉Dとにより形成された空間の雰囲気が吸引ユニットにより吸引される。溝501gの内側の空間が外部に対して陰圧に保たれる。 (もっと読む)


【課題】 中間調の網点深度を満足しつつ、高現像速度及び高画像再現性も満足する優れた現像方法を提供するものであり、特に高生産性を要求される印刷分野においてこれまでには得られていない優れた現像方法を提供することを課題とする。
【解決手段】感光性樹脂層を有する画像露光した感光性樹脂印刷版を水又は水系現像液を用いて未露光部を除去する現像方法であって、該現像方法が(A)工程後に(B)工程を組み合わせた現像工程を含むことを特徴とする感光性樹脂版の現像方法。 (もっと読む)


【課題】基板の処理中に異常が生じた場合に当該基板に損傷が加わることを抑制または防止できる枚葉型の基板処理装置および異常処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、1枚の基板を保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板に薬液を供給する薬液ノズルと、スピンチャックに保持された基板にリンス液を供給するリンス液ノズルと、基板処理装置の異常を検知する異常検知手段と、異常処理手段としてのメイン制御部とを備えている。基板の薬液処理中に基板処理装置に異常が生じると、異常検知手段により異常が検知され(ステップS41)、メイン制御部によりリンス液ノズルが制御されて、異常処理の一工程としてのリンス処理が基板に行われる。これにより、基板表面から薬液が排除される。 (もっと読む)


【目的】 半導体ウェーハW等の下面周縁部のみを吸着しても撓みが発生し難い回転処理装置を提供する。
【構成】 吸引チャック5の上部形状は周縁部が内側部よりも高くなった皿状をなし、周縁部の上面には半導体ウェーハWの製品とならない外縁部分を吸着するための吸引溝9が形成されている。この吸引溝9上に半導体ウェーハWの下面周縁部の製品にならない部分が載置されるようにする。そして、吸引溝9を介して半導体ウェーハWの下面周縁部を吸引する。吸引溝9は平面視で円形状をなすように形成されているため、半導体ウェーハWの下面周縁部の全周が吸引され、撓みが発生し難い。 (もっと読む)


【課題】部品点数を削減するとともに、制限空間内での高いデザイン裕度を有する現像処理装置を提供する。
【解決手段】共通の筐体50内に、相互に雰囲気を連通させた状態にて3つの現像処理ユニットDEVが同じ高さ位置に一列に並設されている。現像液を供給するスリットノズル610および多孔ノズル620は、3つの現像処理ユニットDEVに共用に設けられている。また、隣接する現像処理ユニットDEVの間には、待機状態のスリットノズル610および多孔ノズル620を受け入れる待機ポッド70が設けられている。待機ポッド70は隣接する現像処理ユニットDEV間の仕切壁としても機能する。このため、新たに別途仕切板を設ける必要がなくなり、現像処理装置の部品点数を削減することができるとともに、筐体50の制限空間内での高いデザイン裕度を持たせることができる。 (もっと読む)


【課題】基板上にレジスト膜と帯電防止膜とを積層してなる試料において、ミキシング層の影響を排して、パターンプロファイルの劣化が無い、高精度なレジストパターンを形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジスト膜とこの化学増幅型レジスト膜上に形成された導電性膜とを有する基板試料に所望のパターンを露光する露光工程と、露光後の基板試料に加熱処理をする加熱工程と、加熱処理された基板試料上のレジスト膜に現像処理をする現像工程と、露光工程と加熱工程との間または加熱工程と現像工程との間に、導電性膜、化学増幅型レジスト膜の一部をドライエッチングまたはアッシングにより剥離する剥離工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】
従来は、一色につき一台づつの現像処理装置であり、R、G、Bの処理工程のうち一台が停止すると、他の色の基板も処理ができず、稼働時間が低減する、また、上流工程から送られてくる基板におけるレジスト色がCIMからの情報と万一、異なっていたとしてもそれに対処できない。さらに現像液をタイミングよく交換できない、という課題がある。
【解決手段】
本発明は、基板にコートされたレジストの色を検出し、前記検出された色に基づいて現像処理する。また、本発明は、露光等の前処理された基板を、複数の現像処理装置で選択的に処理できる構成とする。さらに、現像・洗浄処理後に残存するレジストの状態を検出するレジスト状態検出し複数有する供給部を選択する。 (もっと読む)


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