【課題】良好な微細パターンを形成することのできるレジストパターン形成方法と、これを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】半導体基板１０３の上に、酸を供給し得る第１のレジストパターン１０１ａを形成した後、第１のレジストパターンの上に第２のレジスト１０２を形成する。次に、第１のレジストパターンに接する第２のレジストの界面部分に架橋層１０４を形成する。その後、第２のレジストの非架橋部分を除去して、第２のレジストパターンを形成する。第２のレジストパターン１０２ａを形成する工程は、水で現像する第１の現像工程と、第１の現像工程の後に、第２のレジストに対する溶解性が水より高い溶液で現像する第２の現像工程と、第２の現像工程の後に水でリンスする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】脱ガス量が少ない硬化樹脂パターンを形成しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】不飽和カルボン酸から導かれる構成単位（ａ１）、オキセタニル基を有する不飽和化合物から導かれる構成単位（ａ２）、および式（１）で表される化合物から導かれる構成単位（ａ３）を有する重合体（Ａ）、キノンジアジド化合物（Ｂ）、フェノール性水酸基含有高分子化合物（Ｃ）および溶剤（Ｄ）を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】二重露光によるパターンニングにおいて、第一層目のレジストパターンとミキシングすることなく、第二層目のレジストパターンを形成可能な樹脂組成物及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本パターン形成方法は、（１）第一レジスト層形成用樹脂組成物を用いて、基板上に第一パターンを形成する工程と、（２）第一パターンを光に対して不活性化させる工程と、（３）第二レジスト層形成用樹脂組成物を用いて、第一パターンが形成された基板上に第二レジスト層を形成し、所用領域を露光する工程と、（４）現像することによって、第一パターンのスペース部分に、第二パターンを形成する工程と、を備えており、第二レジスト層形成用樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹脂と溶剤とを含んでおり、且つこの溶剤は、第一レジストパターンを溶解しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】ポリイミド残渣を除去して、且つ、高精度で開口寸法を確保できるポリイミドのパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第１のポリイミド用レジストマスク６でポリイミド２のパターニングを行い、第２のポリイミド用レジストマスク１２でポリイミド残渣７を除去することで、ポリイミド２のサイドエッチを防止しながらポリイミド残渣７を除去して、高精度で開口寸法を確保できる。 （もっと読む）

【課題】二重露光によるパターンニングにおいて、第一層目に形成されるパターンを不活性化させ、第二層目のパターン形成時における露光の際に、第一層目のパターンが感光してアルカリ可溶性とならず、第一層目のパターンを保持したまま第二層目のパターンを形成可能なパターン形成方法等を提供する。
【解決手段】本パターン形成方法は、第一レジスト層形成用の樹脂組成物を用いて、基板上に第一レジスト層を形成し、第一レジスト層の所用領域に放射線を照射して露光した後、現像により第一レジストパターンを形成する工程と、第一レジストパターンを光に対して不活性化させる工程と、第二レジスト層形成用の樹脂組成物を用いて、第一レジストパターンが形成された基板上に第二レジスト層を形成し、第二レジスト層の所用領域に放射線を照射して露光する工程と、現像により第一レジストパターンのスペース部分に、第二レジストパターンを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】密着性、現像凝集性に優れ、かつリブ頂部欠損を低減し、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂積層体、及びそれを用いたサンドブラスト表面加工方法を提供する。
【解決手段】特定のポリウレタンプレポリマーと、光重合開始剤と、特定のエチレン性不飽和付加重合性モノマーより成る感光性樹脂組成物、またはそれを支持体上に積層した感光性樹脂積層体を用いて、サンドブラスト表面加工を行う。 （もっと読む）

【課題】ポジ型のフォトレジスト適用下で、ランダム配置のホールパターンを、高裕度で形成することができるパターンの形成方法、電子デバイスの製造方法および電子デバイスを提供する。
【解決手段】被加工膜２上に、密集ホールパターンを有する第１のポジ型フォトレジスト３が形成される。複数のホールパターン３ａの各々を埋め込むように第１のフォトレジスト３上に第２のポジ型フォトレジスト４が形成される。第２のフォトレジスト４に高透過ハーフトーン位相シフトマスク３０の明暗反転像である暗点像が投影露光される。第２のフォトレジスト４の現像により、暗点像部に形成される第２のフォトレジスト４のドットパターンが複数のホールパターンのいずれかの内部に残される。第１、第２のフォトレジスト３、４をマスクとして、被加工膜２がパターニングされる。 （もっと読む）

【課題】サンドブラスト用マスクを簡便な方法で形成する際に好適に用いられる積層体、およびサンドブラスト用マスク、ならびに被加工基材の処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に積層体は、互いに背向する少なくとも一対の面に粘着性を有する基材と、前記基材の前記一方の面に設けられた感光性樹脂層と、を含む。この積層体を用いてサンドブラスト用マスクを形成することで、取り扱いが容易なサンドブラスト用マスクを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】第１のパターニングの後の、および第２のパターニングの前のエッチングプロセスの悪影響が緩和される、密ラインを印刷するためのダブルパターニングプロセスを実現する。
【解決手段】第１の処理では、ラインの第１の半密パターンが、下層反射防止コーティングを施された基板の上に重なる第１のレジスト層内に印刷される。第２の処理では、ラインの第２の半密パターンが、クリアされた領域上に設けられた第２のレジスト層内に印刷される。第１および第２の半密ラインパターンは、交互位置に配置され、ラインアンドスペースの所望の密パターンをもたらす。第１のレジストを現像した後、第２のレジストを基板に設ける前に、下層反射防止コーティングの表面調整が、第１のレジスト材料のライン間のクリアされた領域に対し行われる。表面調整ステップは、クリアされた領域の表面への第２のレジストのフィーチャの接着を改善する。 （もっと読む）

【課題】微細化処理後にディフェクトが発生することなく、特に１２０ｎｍ以下の超微細化、高アスペクト比化したレジストパターンの微細化処理においても微細化量の変動を抑制、管理可能であり、所望とする微細化量を維持しながら、微細化処理後のレジストパターン形状を良好に維持することができ、さらには、パターン微細化用被覆形成剤を塗布した後のウェーハ面内においてバクテリア等の発生による不具合も解消することが可能なパターン微細化用被覆形成剤及びこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のパターン微細化用被覆形成剤は、ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、（ａ）水溶性ポリマーと、（ｂ）第４級アンモニウム水酸化物、脂環式アンモニウム水酸化物、及びモルホリニウム水酸化物の中から選ばれる少なくとも１種とを含有することを特徴とする。 （もっと読む）