【課題】炭化珪素半導体装置の製造において、上面が平坦な終端構造とリセス状のアライメントマークとを少ないマスク数で形成すると共に、アライメントマークのリセスの深さを最適化する。
【解決手段】ハーフトーン露光法を用いて、ＳｉＣエピタキシャル層２に達する第１の開口部１２ａとＳｉＣエピタキシャル層２に達しない第２の開口部とを有するレジストパターン１１を、ＳｉＣエピタキシャル層２上に形成する。エッチングにより、第１の開口部１２ａに露出したＳｉＣエピタキシャル層２にリセス状のアライメントマーク９を形成すると同時に第２の開口部１２ｂをＳｉＣエピタキシャル層２に到達させる。その後、イオン注入により、第２の開口部１２ｂに露出したＳｉＣエピタキシャル層２に、終端領域８を形成する。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成した後の切断処理が困難な基板であっても、効率よく露光処理を行うことができる露光装置を提供する。
【解決手段】マスク（１８ａ等）を経た照明系１からの露光光により基板２１を露光するプロキシミティタイプまたはコンタクトタイプの露光装置１０である。照明系１では、マスクを照明することのできる照明可能領域Ｌａが、マスクを複数に分割した大きさ寸法に設定され、照明系１は、マスクに対して移動することにより、照明可能領域Ｌａをマスクの全領域に行き渡らせることが可能である。 （もっと読む）

【課題】製品に実装されるサイズの基板を露光する際に、アライメントを精度良く行うことができる露光装置、露光方法、並びに露光ユニットを提供する。
【解決手段】近接露光装置３〜５は、パターンＰ２〜Ｐ４を有するマスクＭ２〜Ｍ４を保持するマスクステージ１０と、基板Ｗ１〜Ｗ３を保持する基板ステージ１１と、マスクＭ２〜Ｍ４のパターンＰ２〜Ｐ４を介して基板Ｗ１〜Ｗ３に露光光を照射する光学系と、基板Ｗ１〜Ｗ３とマスクＭ２〜Ｍ４の一部を検出するレーザと、を備える。マスクＭ２〜Ｍ４と基板Ｗ１〜Ｗ３のアライメントは、レーザによって検出される、一層目の近接露光装置２によって基板Ｗ１に露光転写されたブラックマトリクスパターンＷＰ１のコーナー部ｃと、基板Ｗ１〜Ｗ３のブラックマトリクスパターンＷＰ１の外側に位置するマスクＭ２〜Ｍ４のアライメントマークＡ１〜Ａ３とが互いにオフセットした位置となるようにして実行される。 （もっと読む）

【課題】複数のマスクを正確にアライメントすることが可能な露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】露光装置１は、マスクＭに少なくとも１つのアライメントマーク４５が形成されており、各マスクＭのアライメントマーク４５にそれぞれ対応する複数の基準マーク５５が設けられた基準バー５１と、基準バー５１の基準マーク５５とマスクＭのアライメントマーク４５とを撮像する少なくとも１つのカメラ５９と、を有する。カメラ５９が読み取った、基準バー５１の基準マーク５５と、マスクＭのアライメントマーク４５と、の相対的な位置情報に基づいて、各マスク保持部１１を所定の位置に変位させることによって各マスクＭを基準バーに対してアライメントする。 （もっと読む）

【課題】マスクのアライメントマークの画像及び基板の下地パターンのアライメントマークの画像をそれぞれ鮮明に取得して画像認識を行い、マスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出する。
【解決手段】照明装置６１から、基板１の下地パターンのアライメントマーク１ａの画像を認識する際よりも基板１に塗布されたフォトレジストを透過しにくい波長の照明光をマスク２のアライメントマーク２ａ及び基板１の下地パターンのアライメントマーク１ａへ照射しながら、焦点位置移動機構により各画像取得装置５１の焦点をマスク２の下面に合わせ、画像処理装置５０により各画像取得装置５１が出力した画像信号を処理して、マスク２のアライメントマーク２ａの画像認識を行う。 （もっと読む）

【課題】基板又はマスクとセンサとの間隔の変動が生じたり、光路の光軸ずれが生じても、基板とマスクとのアライメントを高精度でとることができる露光装置のアライメント装置を提供する。
【解決手段】基板１上のアライメントマーク５ａ、５ｂと、マスク２上のアライメントマーク６ａ、６ｂとを、長波長光の透過領域３１と短波長光の透過領域３２とを有するフィルタを通して、カメラのセンサにて検出する。長波長光は焦点距離が長く、短波長光は焦点距離が短いので、アライメントマーク５ａ、５ｂの反射光の中の長波長光と、アライメントマーク６ａ、６ｂの反射光の中の短波長光とは、同時にカメラのセンサに結像し、同時に観察できる。そして、アライメントマーク５ａ、５ｂの中点と、アライメントマーク６ａ、６ｂの中点とが一致するように、基板１とマスク２とのアライメントをとる。 （もっと読む）

【課題】光ビーム照射装置から照射される光ビームの歪みを抑制して、描画精度を向上させる。
【解決手段】チャック１０に第１の画像取得装置（ＣＣＤカメラ５１）を設け、光ビーム照射装置２０のヘッド部と第１の画像取得装置との間に、検査用パターンが設けられたレチクル２を配置する。検査用の描画データを光ビーム照射装置２０の駆動回路へ供給し、第１の画像取得装置により、レチクル２の検査用パターン２ａの画像及び光ビーム照射装置２０から照射された光ビームの像２ｃを取得する。第１の画像取得装置により取得したレチクル２の検査用パターン２ａの画像及び光ビームの像２ｃから、光ビームの位置ずれを検出して、光ビームの歪みを検出する。光ビームの歪みの検出結果に基づき、露光用の描画データの座標を補正して、光ビーム照射装置２０の駆動回路へ供給する。 （もっと読む）

【課題】計測期間における計測部の温度安定化に有利な露光装置を提供する。
【解決手段】光源６３から射出される光で前記基板の上のマークＷＭを照明し、前記マークで反射した光により前記マークの像を形成する光学系と、前記マークの像を検出する検出部１１とを含み、前記マークの位置を計測する計測部と、前記光学系の所定面における光量を制御する制御部９０と、を有し、前記マークの位置を計測しない非計測期間に前記光源から射出される光の光量は、前記マークの位置を計測する計測期間に前記光源から射出される光の光量よりも低く、前記光源と前記所定面との間の光路における透過率を前記非計測期間で、前記計測期間における透過率よりも高くすることにより、前記非計測期間と前記計測期間の前記所定面における光量の差を低減する。 （もっと読む）

【課題】 高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、平坦化層のアライメントマークの上に形成された部分を除去する工程と、アライメントマークの上に形成された部分が除去された平坦化層の上に、被加工層を形成する工程と、アライメントマークの位置を被加工層の上から光を用いて光学的に検出し、位置あわせを行う工程と、位置合わせに基づき被加工層をパターニングしてパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ショット毎に、基板のアライメントマークと画像取得装置とを相対的に画像認識に適した位置へ速やかに移動して、マスクと基板との位置合わせを迅速に行い、タクトタイムを短縮する。
【解決手段】１枚目の基板において、ショット毎に、基板のアライメント後のチャックの位置及び各画像取得装置の位置を、そのショットについての登録位置として記憶する。２枚目以降の基板において、ショット毎に、ステージ及び各移動機構によりチャック及び各画像取得装置をそのショットについての登録位置へ移動して、マスク及び基板のアライメントマークを各画像取得装置の視野に入れ、画像処理装置が検出したマスクのアライメントマークの位置及び基板のアライメントマークの位置に基づき、ステージによりチャックを移動して、基板のアライメントを行う。 （もっと読む）