【課題】セカンド露光マスクによる露光の対象となる領域と対象とならない領域との境界で上側層のパターン形状の連続性が低下するのを防ぐ積層パターン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ファースト露光マスク４０の中間遮光部４３の第１遮光部４１側の端部の幅ｃ_１は、積層パターン基板１０の第１上側パターン３１の幅ｗ_１よりも大きくなっている。また、セカンド露光マスク５０の中間遮光部５３の第１遮光部５１側の端部の幅ｆ_２は、積層パターン基板１０の第２上側パターン３２の幅ｗ_２よりも大きくなっている。これによって、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間に、少なくとも各パターン３１，３２の幅以上の幅を有する中間上側パターン３３を形成することができる。このことにより、第１上側パターン３１と第２上側パターン３２との間にくびれが生じるのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】アライメントセンサのスループットを低下させることなく、正確な測定を可能にする。
【解決手段】測定光学システムは、マーク２０２を放射スポットで照明する照明サブシステムと、マークによって回折した放射を検出する検出サブシステム５８０とを備える。基板と測定光学システムは互いに対して第１の速度（ｖ_Ｗ）で移動して、放射スポットを測定光学システムの基準フレームに対して第２の速度（ｖ_ＳＰＯＴ）で同期させて移動させながらマークをスキャンする。スポットは、第１の速度より低い第３の速度で（ｖ_ＥＦＦ）でマークをスキャンして正確な位置測定値を取得するより多くの時間を提供する。対物レンズ５２４は基準フレームとの関係で固定され、一方可動光学素子５６２は基準フレームに対する放射スポットの移動を与える。 （もっと読む）

【課題】 露光装置における投影光学系を介してマスク面とプレート面の位置検出をするにあたり、前記投影光学系における非点隔差の影響をできる限り受けない位置で位置検出マークを検出し、精度良くマスク面とプレート面の位置検出をする方法を提供する。
【解決手段】 露光装置（１００）は、物体面（１１）上に形成されたパターンを像（２１）面上に結像させる投影光学系（３０）と、露光波長と異なる波長を有し物体面と像面の相対的な位置ずれ量を前記投影光学系を介して検出する位置検出装置（５０）を備えている。位置検出を投影光学系（３０）で生ずる非点隔差の影響が少ない位置で実施することで、位置検出の精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置のモデルパラメータを推定すること、およびリソグラフィ装置によってリソグラフィ処理を制御すること。
【解決手段】リソグラフィ装置を使用して露光がウェハ全体にわたって実施される。所定のウェハ測定位置のセットが測定される。所定のマークの測定された位置が用いられてラジアル基底関数が生成される。前記基板のモデルパラメータが、生成されたラジアル基底関数を基底関数として前記基板全体にわたって使用して計算される。最後に、推定されたモデルパラメータが、基板を露光するためにリソグラフィ装置を制御するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】原版と基板とを高精度に位置合わせしながらインプリント処理を行う。
【解決手段】インプリント装置１は、基板側マークと原版側マークとを検出することによってショット領域と原版との位置ずれ量を計測する第１スコープ１３と制御器９とを備える。前記制御器は、基板上の複数のショット領域のうちの２以上のショット領域のそれぞれについて、予め取得されたショット領域の配列のデータに基づいて位置決めされた各ショット領域に塗布された樹脂に前記原版を接触させた状態で、前記第１スコープにより前記各ショット領域と前記原版との位置ずれ量を計測し、前記２以上のショット領域で計測された前記位置ずれ量を統計処理しその結果を用いて前記配列のデータを補正し、前記２以上のショット領域以外のショット領域のそれぞれについて、前記補正された配列のデータに基づいて前記原版に対して位置決めしながらインプリント処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】オーバーレイ測定、非対称性測定、およびインダイオーバーレイターゲットの再構築を可能にする。
【解決手段】四分くさび光デバイス（ＱＷ）は、基板から散乱した放射の回折次数を別々に再誘導し、第１方向および第２方向の各々に沿って照明から回折次数を分離する。例えば、０次（０、０’）および１次（−１、＋１’）を、各入射方向について分離する。マルチモードファイバ（ＭＦ）での捕捉の後、スペクトロメータ（Ｓ１−Ｓ４）を使用して波長（Ｉ_０’（λ）、Ｉ_０（λ）、Ｉ_＋１’（λ）、およびＩ_−１（λ））の関数としての空間的に再誘導された回折次数の強度を測定する。そして、これをオーバーレイエラーの計算、または単一格子の非対称パラメータの再構築に用いる。 （もっと読む）

【課題】製造工程のリワーク率および製品の不良率を低下させることが可能な、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第１の被加工膜に第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンにおける所定の方向の寸法である第１の距離を測定する第１の測定工程と、第１のパターン上に第２の被加工膜を形成する工程と、第２の被加工膜上に形成したフォトレジストに第２のパターンを形成する工程と、第２のパターンにおける所定の方向の寸法である第２の距離を測定する第２の測定工程と、を有し、第２のパターンの良否判定が、第１の距離と、第１の距離および第２の距離から求まる算出値とのうち、少なくとも一方によって決定されるものである。 （もっと読む）

【課題】使用環境に影響されることなく基板上の異物を高精度で検出することができる近接露光装置を提供する。
【解決手段】基板保持部２１の搬送方向に並んで配置され、基板保持部２１に保持された基板Ｗの表面に沿ってレーザービームＬＢ１、ＬＢ２を出射する出射部８０a、８１aと、レーザービームを受光する受光部８０ｂ、８１ｂと、をそれぞれ有する２つの異物検出器８０、８１と、２つの異物検出器８０、８１の各受光部８０ｂ、８１ｂが受光する前記レーザービームＬＢ１、ＬＢ２の検出信号を比例演算部８３ａによって増幅し、さらに、差分演算部８３ｂによって、２つの増幅した前記レーザービームＬＢ１、ＬＢ２の検出信号の差分を算出し、異物８２の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】装置のスループット及びコストへの影響とバランスをとったレチクルなどの局所的歪みの測定法を提供する。
【解決手段】歪みはレチクルの周辺部の複数の基準マーク（２３６）を用いて、周辺マークの相対位置の経時的な偏差を測定することで計算される。周辺マークのペアの測定位置を測定されたマークのペアを接続する線（ｓ，ｓ１，ｓ２）に沿って配置されたセルの膨張に関連付ける式であって各セルの膨張を計算する式の体系を解くことができる。当該位置（３２０）の局所的位置偏差は少なくとも１つの測定された周辺マークと当該位置との間のサブエリアについての膨張計算値を組み合わせることで計算できる。例えばオーバレイエラーを低減するために、計算結果に従って補正を適用できる。パターニングデバイスにエネルギーを印加して（例えば、熱の投入又は機械的なアクチュエータによって）局所的位置偏差の分布を修正して補正を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】露光対象部材が連続的に供給される場合においても、マスク位置調整用のアライメントマークを露光対象部材の蛇行に応じて変化させ露光対象部材に対するマスクの位置を精度よく調整することができ、高精度で安定的な露光が可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１には、露光光の照射位置よりも上流側にアライメントマーク形成部１３が設けられており、露光対象部材２に移動方向に対して断続的な指標が付されたアライメントマーク２ａを形成する。検出部１４は、露光対象部材２の移動方向に交差する方向におけるアライメントマーク２ａの指標位置における位置を検出する。そして、検出部１４の検出結果によりアライメントマーク２ａの蛇行量を演算し、アライメントマーク形成部１３を移動させる。又は、検出部１４が露光光の照射位置に対応するように配置されている場合は、マスク１２の位置を調整する。 （もっと読む）