【課題】物体の位置の測定に有利な技術を提供する。
【解決手段】第１ヘッド１１２ａ、１１２ｃ又は第２ヘッド１１３ａで第１物体に対する第２物体の相対的な位置を測定する第１測定部１１０と、第１物体に対する第２物体の相対的な位置を求める処理を行う処理部と、を有し、処理部は、第１ヘッド１１２ａ、１１２ｃ及び第２ヘッド１１３ａのうち一方のヘッドで以前に検出された回折格子１１１ａ、１１１ｂ上の位置を他方のヘッドの視野の中心に位置決めした状態で一方のヘッドで以前に検出された回折格子上の位置とは別の位置を一方のヘッドで検出する処理を、一方のヘッドが回折格子の全面を検出するまで繰り返して回折格子の変形量を求める第１処理と、回折格子の変形量に基づいて、第１ヘッド１１２ａ、１１２ｃ又は第２ヘッド１１３ａで測定された第１物体に対する第２物体の相対的な位置を補正する第２処理と、を行う。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を抑制しつつ、基板の変形に関する情報を精確に取得して露光不良の発生を抑制できる露光方法を提供する。
【解決手段】露光光で基板を露光する露光方法は、基板の端を含む外縁領域の第１部分の変形に関する情報を取得することと、取得した結果と、所定の関係式とに基づいて、第１部分と異なる外縁領域の第２部分の変形に関する情報を取得することと、取得した第１部分及び第２部分の変形に関する情報に基づいて、基板を露光することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ワークに伸縮変形が生じても、投影露光によりワークに形成するパターンの位置を、それ以前の露光処理により形成されているパターンの位置と、次の工程で行うスクリーン印刷等のマスクパターンの位置との間に大きなずれを生じさせないようにすること。
【解決手段】投影露光装置における位置合わせの際、マスクＭのマスクマークＭＡＭ１〜４とワークマークＷＡＭ１〜４のずれ量ｄＲの総和に、マスクＭのマスクマークＭＡＭ１〜４の位置と、次の工程で使用するスクリーンマスクのマスクマークＳＡＭ１〜４の基準位置のずれ量ｄＭの総和を加えたものが最小になるように、上記マスクＭのパターンを拡大または縮小投影する倍率を調整するとともに、マスクＭまたはワークＷを移動させて、マスクＭとワークＷの位置合せを行う。 （もっと読む）

【課題】光路の光軸ずれが生じても、基板のアライメントマークとマスクのアライメントマークとのパターン相対位置の変化が生じにくく、アライメント精度が高い露光装置のアライメント装置を提供する。
【解決手段】第１の光源２７からの長波長光と第２の光源２６からの短波長光がビームスプリッタ２８で集合し、これらの集合光は、レンズ２５で収束されてマスク２及び基板１にその面に垂直に入射する。そして、この集合光は、マスク２のアライメントマーク及び基板１のアライメントマークで反射して、入射光路と同一の光路を戻り、フィルタ２１を経て、カメラ２０に入射する。フィルタ２１は、反射光の中の長波長光と短波長光とをカメラのセンサの異なる領域に結像させる。これにより、カメラ２０はマスク２及び基板１の双方のフォーカスされたアライメントマークのパターンを同時に観察することができる。 （もっと読む）

【課題】描画対象物におけるパターンの形成位置の制御を簡便な構成で可能として、コストの低減を図る。
【解決手段】基板Ｗを支持するステージ１０に固定的に形成された複数の基準線Ｌrが副走査方向Ｘに並んでいる。また、光学ヘッド４２、４３との相対位置関係が固定された状態で基準線Ｌrに対向するラインカメラ５０が設けられており、このラインカメラ５０によって基準線Ｌrを撮像する。このように、副走査方向Ｘに並んで形成された基準線Ｌrをラインカメラ５０で撮像するといった構成を備えることで、エンコーダを用いた従来技術と比較してより簡便な構成によって、基板Ｗに形成されるパターンの副走査方向Ｘへの位置を制御することができる。その結果、コストの低減を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】移動体を精度良く駆動する。
【解決手段】 ウエハステージＷＳＴの位置情報は、ウエハＸ干渉計１８Ｘ_１，１８Ｘ_２、ウエハＹ干渉計１８Ｙ等と、該干渉計に比べて計測値の短期安定性が優れるエンコーダ５０Ａ，５０Ｂ等とを用いて計測される。エンコーダ５０Ａ，５０Ｂ等は、計測値の短期安定性が良好であるので、ウエハステージＷＳＴの２位置情報が精度良く計測される。ウエハステージＷＳＴは、エンコーダ５０Ａ，５０Ｂ等の計測範囲内では、それらの計測結果に基づいて精度良く駆動される。 （もっと読む）

【課題】より簡単に描画装置の能力を検査し、必要があれば補正する。
【解決手段】描画装置の検査装置が、一方が他方を囲むような形状を有する第１マーク及び第２マークを含む描画データが記憶されている記憶装置と、描画データに基づいて描画装置に第１マークを描画させる第１描画部（露光制御部２０１ｄ等）と、描画された第１マークの位置を検出する第１検出部（描画位置検出部２０１ｉ）と、描画データと第１マークの検出位置とに基づいて描画データを補正する補正部（データ補正部２０１ｅ）と、補正された描画データに基づいて、描画装置に第２マークを描画させる第２描画部（露光制御部２０１ｄ等）と、描画された第２マークの位置を検出する第２検出部（描画位置検出部２０１ｉ）と、第１マークの検出位置と第２マークの検出位置とに基づいて両者の位置ずれ態様を求めるずれ取得部（データ処理部２０１ｋ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】マスクのパターンの一部を画像取得装置で覆うことなく、アライメントマークの画像を取得して、マスクと基板との位置合わせを行い、露光時の画像取得装置の退避を不要にして、タクトタイムを短縮する。
【解決手段】ミラー５１ｃ及び画像取得装置５１ａを有する複数の画像取得ユニット５１を設け、各画像取得ユニット５１のミラー５１ｃをマスク２に設けられたアライメントマーク２ａの上空に配置して、マスク２及び基板１に設けられたアライメントマーク２ａ，１ａの像を各画像取得ユニット５１のミラー５１ｃの表面に映し、各画像取得ユニット５１のミラー５１ｃの表面に映したアライメントマーク２ａ，１ａの画像を各画像取得ユニット５１の画像取得装置５１ａで取得する。マスク２のアライメントマーク２ａの位置へ照射される露光光を、各画像取得ユニット５１のミラー５１ｃの裏面で遮断する。 （もっと読む）

【課題】 次世代リソグラフィの半導体デバイス製造への導入を可能とするオーバーレイ制御方法を提供すること。
【解決手段】 実施形態のオーバーレイ制御は、基板上の第１の層の第１のパターンと、前記基板上の第２の層の第２のパターンとの間の合わせずれを、前記第２の層にて測定することを含む。ここで、前記第１の層は前記第２の層としてよりも低い層である。実施形態のオーバーレイ制御は、さらに、前記第２の層から前記第１の層にフィードバック情報を提供することを含む。ここで、前記フィードバック情報は、前記測定した合わせずれと前記第２の層に関連した許容範囲とを含み、前記許容範囲は、前記第２の層にて補正可能な合わせずれの程度を示す。 （もっと読む）

【課題】 光学系の設計を複雑にせず安定した重ね合わせ描画を行うための描画装置および描画方法。
【解決手段】 撮像部５０と光照射部４０とを備え、撮像された画像と撮像時のステージ１０の移動誤差とから基板の変形に起因する下層パターンの位置ずれ量を算出する。次に撮像後から照射時までの間にステージ１０の移動誤差を検出することで、検出時の移動誤差と光ビームが照射される照射時の実際のステージの移動誤差との差分である相対誤差の変動幅を小さくすることができる。そして、検出された移動誤差と下層パターンの位置ずれ量とを加算し上層パターンの形成位置を算出する。該位置に基づいて光ビームを照射することでステージ１０の移動誤差に起因した位置ずれに対しても、光学系を複雑にすることなく安定した重ね合わせ描画を行うことができる。 （もっと読む）