【課題】 データ・ライト動作を最大回数繰り返す場合であっても，所要時間を最小限に抑えることが可能な半導体記憶装置および半導体記憶装置のデータ書き込み方法を提供する。
【解決手段】 テストパッドＴＰをＬレベルに設定することによってフラッシュメモリ１０１はテストモードにセットされる。ベリファイがパスしたときには，ベリファイ回路ＶＣがＨレベルの適合信号ＶＰＡＳＳを出力するが，データ書き込み制御回路ＷＣＣおよびデータ書き込みカウンタ回路ＷＣＴの各適合信号入力端子（ＶＰＡＳＳ）は，適合信号無効化手段３によってＬレベルに固定される。ラッチ回路ＬＣはラッチ適合信号ＶＰＬをＨレベルに保持し，ベリファイ回路ＶＣのベリファイ開始信号入力端子（ＶＲ）はＬレベルに固定される。ベリファイ動作を伴わないライト動作が，データ書き込みカウンタ回路ＷＣＴに設定されている回数に達するまで反復される。 （もっと読む）

【課題】 製造後のテスト時間を短縮し、また、安価なテストシステムを用いることにより、コストを低減できる不揮発性半導体メモリを提供すること。
【解決手段】 通常のアドレス入力では書き込みや消去が行えない、特殊な冗長ブロックであるＲＯＭブロックを設けている。そして、このＲＯＭブロック内に、不良ブロックアドレス情報を記憶させることを特徴としている。そのため、複数の不揮発性半導体メモリを同時にテストする際、書き込み／消去動作と同じく、読み出し動作も全チップ同時に行うことが出来る。この結果、テスト時間が短縮でき、また、フェイルメモリを持たない安価なテストシステムでテストを行うことが可能となるため、不揮発性半導体メモリのテストコストを削減できる。 （もっと読む）