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国際特許分類[G21K5/04]の内容

国際特許分類[G21K5/04]に分類される特許

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【課題】照射領域に導入する気体を工夫することで、効率的にオゾンを発生させることができるとともに、電子線照射装置や遮蔽壁の腐食を防止する。
【解決手段】電子線照射装置100は、熱電子を放出する電子銃110と、真空状態に維持される真空室内で電子銃110から放出された熱電子を加速する加速器118と、加速器118が加速した熱電子を電子線として大気圧雰囲気に取り出すスキャンホーン120と、大気圧雰囲気に取り出された電子線が被照射物Wに照射される領域である照射領域Rに酸素を導入する酸素導入装置300とを備える。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線照射装置の小型化を図ると共に、電磁石からの放射線の照射室内への進入を防止すること。
【解決手段】本発明の荷電粒子線照射装置10は、荷電粒子線を輸送する輸送ライン31と、荷電粒子線を被照射体へ照射する照射部と、輸送ライン31及び照射部を支持する共に、回転軸線P回りに回転可能な筒体13を有する回転ガントリー12とを備え、輸送ライン31の傾斜部33が、筒体13内を通過して配置される構成とする。これにより、径方向に張り出す輸送ライン31の張り出し量を小さくする。また、電磁石41,34,32からの放射線を遮蔽する遮蔽部材61,62を備える構成とする。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子を加速するための加速電極と、加速電極に電力を供給する高周波電源とのインピーダンス整合をとる際の調整時間の短縮化を図ることが可能な調整回路を備えた粒子加速器を提供すること。
【解決手段】加速電極と高周波電源とのインピーダンス整合をとる整合回路の常数の調整を電気的に行う構成とする。具体的には、コイル23のインダクタンスL1を調整するための円環状のフェライトと、フェライト24に巻き付けられたバイアス巻線25と、バイアス巻線25にバイアス電流を供給するバイアス電源31と、バイアス巻線25に供給するバイアス電流を増減するバイアス電流調整部とを備える構成とし、バイアス巻線25に供給するバイアス電流の増減を調整することで、フェライト24の透磁率μを変更し、整合回路10の常数を短時間で調整する。 (もっと読む)


【課題】安定な制御と、調整が簡単で調整時間が短い円形加速器を提供すること。
【解決手段】出射装置から出射する荷電粒子のビーム電流の目標電流値を記憶する目標電流値メモリと、ビーム電流検出器の検出信号と目標電流値メモリに記憶された目標電流値との誤差信号に基づくフィードバック制御により、周波数変化率を求め、この求めた周波数変化率と現在の周波数とにより次の周波数を決定する周波数決定部と、を備え、この周波数決定部で決定された次の周波数を周波数メモリに記憶するとともに、決定された次の周波数の高周波を高周波発生装置が発生するようにした (もっと読む)


【課題】マルチリーフコリメータの開口部の鮮明な撮像画像を得ることができる荷電粒子線照射装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線照射装置4は、サイクロトロン5から供給された荷電粒子線Pを患者Aの体内の腫瘍部Bに照射する散乱体6及びリッジフィルタ7と、腫瘍部Bの形状に合わせて荷電粒子線Pの照射範囲を設定するマルチリーフコリメータ8とを有している。リッジフィルタ7とマルチリーフコリメータ8との間には、荷電粒子線Pの照射軸Qに対して進退可能なコリメータ形状確認ユニット9が配置されている。コリメータ形状確認ユニット9は、マルチリーフコリメータ8の開口部8cを直接撮像する撮像カメラ11を有し、荷電粒子線Pの照射軸Qを含む照射領域Rに対応する撮像位置と荷電粒子線Pの照射軸Qを含む照射領域Rから離れた退避位置との間で移動可能となっている。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で接続端子への水または酸素の付着を防止することができ、接続端子への酸化皮膜の形成を抑制する。
【解決手段】熱電子を放出するカソード電極174と、真空状態に維持される真空室内でカソード電極174から放出された熱電子を加速する加速器118とを備えた電子線照射装置100は、カソード電極174にカソード電源104を接続する複数の接続端子(カソード接続端子172)と、複数の接続端子が収容される端子収容空間Aと、端子収容空間Aから水または酸素を除去する除去手段(酸化防止装置200)とを備える。 (もっと読む)


【課題】被照射体に対する照射量の高精度なコントロールを実現できる荷電粒子線照射装置を提供する。
【解決手段】本発明は、被照射体に荷電粒子線Rを照射する荷電粒子線照射装置100であって、荷電粒子線Rを走査して、被照射体の所定の部位へ荷電粒子線Rを照射する照射部1と、照射部1内に設けられ、被照射体へ向かう荷電粒子線Rの照射位置を検出するビーム位置モニタ5と、ビーム位置モニタ5に対して荷電粒子線Rの下流側に配置され、荷電粒子線Rを通過させる開放状態と荷電粒子線を遮断する遮断状態とを切り換え可能なシャッター機構6と、を備える。この荷電粒子線照射装置100によれば、シャッター機構6を遮断状態に切り換えることにより照射位置調整前の荷電粒子線Rを患者に照射することなく照射位置の確認及び調整を行うことができるので、被照射体に対する照射量の高精度なコントロールを実現できる。 (もっと読む)


【課題】アイドルターゲットの局所的な高温化を有利に防止することができ、ひいてはアイドルターゲットの変形や、金属蒸気の発生も回避することができる電子ビームの照射方法を提供する。
【解決手段】金属ストリップに対し電子ビームを照射する方法において、電子ビームの出力が安定するまでの間、または電子ビームが金属ストリップの外側に照射される間に、別途用意したアイドルターゲットに電子ビームを照射するに際し、
上記アイドルターゲットに電子ビームを照射する際の該アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を、上記金属ストリップに電子ビームを照射する際の該金属ストリップ表面におけるビーム照射径の1.2倍以上とする。 (もっと読む)


【課題】 陽子ビーム等のマイクロビームの照射強度を照射しながら測定する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、内部に通路102をなす側壁106と、通路102の一端104Tまたはその近傍にて通路102を塞ぐように配置され、荷電粒子の透過に応じてシンチレーション光を発するシンチレーターを含む先端壁108とを備えるエネルギー付与用ノズル100が提供される。典型的には、その先端壁108は、シンチレーターを含む微粒子112を融解または軟化して形成される。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム軽合金を含む材料強度を制御する従来の方法では強度の精密制御が難しい、高温での長時間処理が必要である、材料表面やある微小部だけの局所強度制御は不可能である、等の問題がある。そこで室温での高硬度が可能であり、また、短時間(2時間以内)での時効処理で高硬度が達成され、材料の局所的精密硬度の制御が可能でかつ効率的な硬度制御方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム軽合金を加速器により電子線照射して、該溶体化処理材中の添加元素の析出物をナノメートルスケールの均一析出物として生成すること。およびアルミニウム軽合金を溶体化処理することにより添加元素を過飽和に含む状態を形成して溶体化処理材を作成し、加速器により電子線照射して、該の析出物をナノメートルスケールの均一物として生成することによるアルミニウム軽合金の硬化制御法。 (もっと読む)


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