【課題】ガリウム酸化物基板を用い、このガリウム酸化物基板上に窒化物半導体を成長させるのに好ましいバッファ層として、（０００１）の面方位以外の面方位に形成した窒化物半導体成長基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガリウム酸化物基板と、ガリウム酸化物基板上に６００℃以下の成長温度条件で、水素キャリアにより所定の面方位に形成された窒化物半導体のバッファ層とを有する窒化物半導体成長基板とする。これにより、バッファ層の上に成長させた窒化物半導体は分極が小さく、あるいは、分極なしに形成できるので、発光効率の高い発光素子を形成するのに適した窒化物半導体成長基板及びその製造方法が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド基板の製造、特にＣ−ＭＯＳ構造の製造を簡略化することを可能にする。
【解決手段】本発明の方法によれば、第１および第２の活性領域（１ａ，１ｂ，１ｃおよび１４ａ，１４ｂ）を支持体の前面上に形成することができ、前記活性領域はそれぞれ、互いに異なり且つ好ましくは同一の結晶構造を有する第１および第２の単結晶半導体材料によって形成されている。また、第１および第２の活性領域（１ａ，１ｂ，１ｃおよび１４ａ，１４ｂ）の前面は、同じ平面内にあるという利点を与える。そのような方法は、特に、多結晶および／またはアモルファス形態の第２の半導体材料から成るパターンおよび前記パターンと予め選択された第１の活性領域（１ａ，１ｂ）との間の界面領域から単結晶形態で第２の半導体材料を結晶化させるステップにより第２の活性領域（１４ａ，１４ｂ）を形成することから成る。また、支持体は、基板（４）と電気絶縁薄層（３）との積層によって形成され、電気絶縁薄層（３）の前面が支持体の前面を形成している。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加をもたらすことなく、基板上に異なる特性の薄膜トランジスタ回路を混在させた表示装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉN３０２とＳｉＯ₂膜３０３を積層した下地層を有するガラス基板３０１にａ−Ｓｉ層または微粒結晶ｐ−Ｓｉ層のプリカーサ膜３０４を成膜し、これにインプラを行う。このとき、プリカーサ膜の膜中にドーパントが適当な量で注入されるように加速電圧、ドーズ量を調整する。レーザ照射によってプリカーサ膜３０４が溶融するとき、プリカーサ膜の膜中に入っているドーパントが活性化されて取り込まれる。 （もっと読む）

【課題】位相変調されたエキシマレーザーによる結晶化法において、半導体膜の結晶化を容易にする。
【解決手段】絶縁基板（３１）上に形成された半導体薄膜（３２）を結晶化する方法であって、入射されたコヒーレント光の位相分布を変更する位相シフタ部（３３、３４、３５’）を前記半導体薄膜上に形成する工程と、前記半導体薄膜にコヒーレント光を照射し、前記半導体薄膜（３２）に前記位相シフタ部に対応する温度分布を形成して、前記半導体薄膜の少なくとも一部を溶融する工程と前記コヒーレント光の照射を中止して前記溶融部の温度を低下させ、溶融された半導体を結晶化する工程とを有する方法。 （もっと読む）

本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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本発明は、水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：ＳｉＨｎ１（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｙは２，３または４であり；ｎ１は、０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たす。
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【課題】 低温ポリシリコン技術を用いて、基板の上にディスプレイパネルを製造する方法を提供する。
【解決手段】 ディスプレイパネルは、少なくとも１つの表示域と表示域の表示部品を駆動する電子部品を有する周辺の回路域を含む。特に、表示域の表示部品は、固相成長法（ＳＰＣ）によってアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層が変換されて形成されたポリシリコン層の上に製造され、周辺の回路域の電子部品は、固相成長法（ＳＰＣ）によってアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層が処理された後、更にレーザーによりアニールされたレーザーポリシリコン層の上に形成される。よって、表示域は、レーザーアニールの処理に関連する欠陥がなく、より均一な結晶粒のポリシリコン層を有し、周辺の回路域は、より高い電子移動度のレーザーポリシリコン層を有する。 （もっと読む）

【課題】 光学系の焦点深度が広く、マスクのレーザ強度耐性が高くかつレーザ利用効率が高い半導体薄膜の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上の半導体薄膜に対してレーザ光を照射することにより半導体薄膜を結晶化する半導体薄膜の製造装置であって、レーザ光のエネルギー密度分布において、最小強度１１が結晶化強度Ec以上完全溶融強度Eu以下であり、高強度領域12が完全溶融強度Eu以上であり、かつ100(mJ/cm²)/μm以上の強度勾配10を含むプロファイル条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡易な光学系を用い、均一なレーザ照射を行うことのできるレーザ照射装置を提供することを課題とする。また、このようなレーザ照射装置を用いたレーザ照射方法を提供し、レーザ照射方法を工程に含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザと、レーザから射出されたレーザ光を偏向させ、ステージにおいて移動させる手段と、ステージを固定し、偏向されたレーザ光をステージに対して一定の角度で入射させる手段とを有し、レーザ光をステージにおいて形状を一定に保ちつつ移動させることを特徴としている。そして、このようなレーザ照射装置を用いて、半導体膜に対してレーザ光の照射を行い、半導体膜の結晶化や活性化を行うことができる。 （もっと読む）

本発明は、基板（１１）と、少なくとも一つの半導体素子（Ｅ）を設けた半導体本体（１２）とを有し、単結晶シリコン（１）領域を具え、該単結晶シリコン領域（１）の上に金属シリサイド領域（３）を設け、そして金属シリサイド領域（３）の上に低結晶性シリコン領域（４）を設け、その後、低結晶性シリコン領域（４）を加熱することにより高結晶性を有するエピタキシャルシリコン領域（２）に変化させ、その処理の間に金属シリサイド領域（３）を低結晶性シリコン領域（４）の下部からエピタキシャルシリコン領域（２）の上へと移動させることにより、単結晶シリコン領域（１）の上にエピタキシャルシリコン領域（２）を形成する、半導体デバイス（１０）の製造方法に関する。上記本発明によれば、金属シリサイド領域（３）より高い位置に、孔（６）を設けた絶縁層（５）を形成し、低結晶性シリコン領域（４）を孔（６）中および絶縁層（５）の上に析出させ、絶縁層（５）上の低結晶性シリコン領域（４）の一部（４Ａ、４Ｂ）を平坦化処理により取り除き、その後にエピタキシャルシリコン領域（２）を形成する。この方法では、自己整合方式で金属シリサイドコンタクト（領域）が設けられており、そしてトランジスタのような半導体素子（Ｅ）の一部を形成できる、エピタキシャルシリコン領域（２）、好ましくはナノワイヤ（２）が簡単に得られる。
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