【課題】 基本的に高品質の表面処理が行われる中性粒子ビームを用いた表面処理装置であって、しかも高い表面処理速度が得られる表面処理装置の提供。
【解決手段】 表面処理装置は、中性粒子ビームによって、真空処理室内に配置された被処理物の表面処理を行うものであって、前記被処理物に光を照射する光源を備えることを特徴とする。この表面処理装置においては、前記被処理物に照射される光は、波長３８０ｎｍ以下の光を含む光であることが好ましい。また、前記被処理物の被処理面における波長３８０ｎｍ以下の光の照度は、７ｍＷ／ｃｍ² 以上であることが好ましい。また、前記光源がキセノンフラッシュランプであって、前記被処理物の被処理面における光の照度は、２０ｍＷ／ｃｍ² 以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】効率的で、大径のパターニング加工を可能とするパターニング装置及びパターニング方法を提供する。
【解決手段】基材Ｐに設けられた処理対象材Ｓを除去してパターニングする。処理対象材Ｓの所定箇所にレーザ光Ｌを照射して、所定箇所の処理対象材Ｓを除去するレーザ照射装置３０と、除去された処理対象材Ｓをプラズマによりガス化するプラズマ発生装置４０と、ガス化された処理対象材Ｓを排出する排出装置５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱酸化膜に損傷を与えることなく窒化珪素膜を除去することができる基板の処理方法を提供する。
【解決手段】熱酸化珪素膜２２と、該熱酸化珪素膜２２上に形成された窒化珪素膜２３と、該窒化珪素膜２３上に形成された一酸化珪素膜２４とを有するウエハＷを載置台１２に載置し、載置台１２のヒータ１８によって載置されたウエハＷを少なくとも６０℃以上且つ２００℃以下に、好ましくは、８０℃〜１２０℃に加熱し、シャワーヘッド１３からウエハＷに向けて弗化水素ガスを供給し、ウエハＷへの弗化水素ガスの供給が開始されてからの経過時間が、３０秒以上に設定された所定時間を超えたか否かを判別し、経過時間が上記所定時間を超えている場合には窒化珪素膜除去処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】加工物表面を損傷することなく荷電粒子で加工物を照射し処理する方法を提供する。
【解決手段】クラスタイオンビーム１０８を生成するクラスタイオン源１０２を使用して加工物１１２を処理する。クラスタイオンは同じ電荷をもつ単一のイオンと同じエネルギーを有するが、クラスタを形成する原子または分子は粒子当たりのエネルギーが低いので加工物の表面の数ナノメートル内に損傷を限定する。クラスタイオンはフラーレン、ビスマス、金、またはＸｅをを含む。クラスタイオンビームはガス注入システム１０４から供給されるガスを分解して堆積させ、またはガスを活性化させてエッチングすることもできる。好ましくは別の荷電粒子ビームを生成するカラム（電子ビームカラム１０６または集束イオンビームカラム）を備え、画像化、エッチング、堆積等の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを用いることなく薄膜を加工することができる加工方法及び半導体装置の作製方法を提供する。特に、容易に薄膜を加工できる方法及び加工後の薄膜の不良を防止する方法及び半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に光吸収層を形成し、光吸収層にレーザビームを選択的に照射して、レーザビームが照射された領域の光吸収層を除去する。残存する光吸収層に一導電型を付与する不純物元素又は不活性元素を添加して、光吸収層の引っ張り応力をレーザビームの照射前よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム処理用保護層を提供すること。
【解決手段】表面の方に流体を導くことによって、荷電粒子ビーム処理の間表面を保護する保護層が加工物に塗布される。アプリケータは表面に接触しないことが好ましい。インク・ジェット・プリント型プリント・ヘッドは適切なアプリケータである。インク・ジェット型プリント・ヘッドにより種々さまざまな流体を使用して保護層を形成することができる。保護層を形成する有用な流体は、小さい銀の粒子を有するコロイダル・シリカ、炭化水素ベースのインク、および染料を含む。 （もっと読む）

【課題】選択エピタキシャル成長プロセスの特性を改良する方法を提供する。
【解決手段】選択エピタキシャル成長工程を用いた半導体装置の製造方法であって、少なくとも、半導体基板を供給する工程と、半導体基板の上に絶縁性材料のパターンを形成し、これによりカバーされおよびカバーされない表面を形成する工程と、形成された絶縁性材料のパターンを有する半導体基板の、カバーされたおよびカバーされない表面を洗浄する工程と、絶縁性材料のパターンを有する基板をエピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に入れる工程と、可能であれば少なくとも１つの第１キャリアガスと共に、少なくとも１つの半導体ソースガスを、エピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に導入する工程を含む選択エピタキシャル成長を開始する工程とを含み、選択エピタキシャル成長を開始する工程に先立って、反応チャンバ中で、可能であれば第２キャリアガスと共に、ハロゲン含有エッチングガスを導入して、基板の表面にその場前処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】三フッ化塩素を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおいて、エッチング対象外のシリコンのエッチング回避を効率的に行う。
【解決手段】シリコン基板７のエッチング耐性を与えられていない表面と接触する三フッ化塩素の濃度を、第１部分である上面と比べて第２部分である底面において低く維持するための不活性ガスを放出するノズル６１を備え、シリコン基板７は、前記エッチングガスの流路において前記第１部分が前記第２部分に対して上流に来るように取り付けられ、ノズル６１は、前記流路において前記第１部分に対して下流となり、かつ前記第２部分に対して上流となる地点６２に前記不活性ガスを放出する。 （もっと読む）

【課題】チャンバーに吸着するガスを用いた場合でもダミーを流すことなく、被処理体間のガス処理のばらつきを低減することができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】ガス処理装置は、ウエハＷを収容するチャンバー４０と、チャンバー４０に対し１枚ずつ被処理体を搬送する搬送機構１７と、チャンバー４０内にウエハＷに対しガス処理を施すための吸着性を有する処理ガスを供給するガス供給機構と、１枚目の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入させ、所定時間後に前記チャンバー内に１枚目の被処理体を搬入させるように前記ガス供給機構と前記搬送機構とを制御する制御部９０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＨＦガス等の温度に依存して重合する処理ガスの供給量（実流量）を精度良く、且つ安定して制御することが可能な処理ガスの供給方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して減圧雰囲気中で所定の処理を施す処理装置４に向けて温度に依存して重合する処理ガスを流量制御しつつ供給する処理ガスの供給方法において、大気圧よりも低い供給圧力が適正動作範囲となっているダイヤフラムを有する低差圧型の質量流量制御装置３４を用いて前記処理ガスの流量を制御する。これにより、ＨＦガス等の温度に依存して重合する処理ガスの供給量（実流量）を精度良く、且つ安定して制御する。 （もっと読む）