【課題】エッチング工程設備へ与える腐食性の負荷を減らし、かつ作業者の安全性に優れた、汎用性の高い、エッチング跡の変色等の生じない、導電膜除去剤および導電膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電膜付き基材の少なくとも一部に、２０℃におけるｐＨが６．０〜８．０の導電膜除去剤を塗布する工程、導電膜除去剤を塗布した導電膜付き基材を加熱処理する工程、および加熱処理した導電膜付き基材から液体を用いた洗浄によって導電膜を除去する工程を有する導電膜除去方法であって、加熱処理する工程において塗布された導電膜除去剤の少なくとも一部の成分が揮発することで該導電膜除去剤のｐＨを６．０未満、または８．０より大きくすることを特徴とする導電膜除去方法である。 （もっと読む）

【課題】特にリチウム電池の負極材料として好適な、大きな表面積を持つ多孔質シリコンを、簡易、安価且つクリーンに製造する方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、下記の工程（１）および（２）をこの順で経ることを特徴とする；
（１）粒子状または膜状であるシリコンを、４０℃以上の温度において相対湿度７５％以上の雰囲気に２０時間以上暴露して、前記シリコンの少なくとも表面に酸化膜を形成する工程、および
（２）前記酸化膜をフッ化水素酸により除去する工程。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に凹凸形状をなすよう、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンを的確かつ効率よく除去することができ、しかもそのエッチングが行われる条件下において長時間活性が維持されるシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】アンモニアと、ヒドロキシルアミン化合物、塩基性有機化合物、及び金属含有塩基性化合物からなる群から選ばれる少なくとも１つの特定塩基性化合物とを組み合わせて含むシリコンエッチング液を、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜６に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の少なくとも一部を除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造１０の形成方法。 （もっと読む）

【課題】導電膜の所望部分を面内均一に除去することが出来ると共に高性能な導電膜を得ることが可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カーボンナノチューブ層と、該カーボンナノチューブ層を覆うオーバーコート層とを具備する複合層のパターン形成方法であって、前記カーボンナノチューブ層が、単独では、実質上、エッチングされないものの、前記オーバーコート層のエッチングによって、前記カーボンナノチューブ層が共にエッチングされる前記オーバーコート層のエッチング剤が、前記オーバーコート層上に、所定パータンで塗布される塗布工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】ノズルを支持するノズル支持アームに付着した汚れにより処理室内の基板が汚れてしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、基板Ｗを保持する基板保持部２１および当該基板保持部２１の周囲に配設されるカップ４０が内部に設けられた処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２とを備えている。ノズル支持アーム８２には、ノズル支持アーム８２の先端面８２ｅに向けてガスを噴出するガス噴出機構７５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】より均一なテクスチャーを形成することができるシリコン基板のエッチング方法を得ること。
【解決手段】シリコン基板表面に付着して局所的にエッチングを阻害する添加剤を含んだアルカリ水溶液のエッチング薬液で満たされ当該エッチング薬液の温度制御が可能な薬液槽にシリコン基板を浸漬してエッチングするシリコン基板のエッチング方法であって、シリコン基板を前記エッチング薬液に浸漬した直後からは、前記エッチング薬液の温度を第１の温度にしてシリコン基板のエッチングを行う第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程の後は、前記エッチング薬液の温度を前記第１の温度より高い第２の温度にしてシリコン基板のエッチングを行う第２エッチング工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＨＦ処理後に実施されるＨＰＭ処理またはＡＰＭ処理を、良好に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、槽内で、シリコン基板を含むウエハを希フッ酸処理する工程と、槽内に水を導入して、槽内から希フッ酸を排出する工程と、槽内から希フッ酸が排出された後、温水の導入時点が、Ｈ_２Ｏ_２の導入時点と同時かＨ_２Ｏ_２の導入時点よりも遅くなるように、槽内に、Ｈ_２Ｏ_２と、上記水よりも温度の高い温水とを導入する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体ウェーハの表面を新たな方法でエッチングし、変換効率の高い太陽電池を作製できる太陽電池用ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用ウェーハの製造方法は、多結晶半導体ウェーハの少なくとも片面にアルカリ溶液を接触させて、前記少なくとも片面をエッチング深さが５０００ｎｍ以下となるようエッチングした後、酸溶液を接触させて太陽電池用ウェーハとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１基板上の複数の半導体層から選択した半導体層を第２基板に高精度かつ少ない不良率で移設する方法を提供する。
【解決手段】第１基板１の上に犠牲層２を介して形成された半導体層３を複数の領域に分割する工程と、複数の領域のうち、第１領域において、半導体層の上面の一部にフォトレジスト５が残存し、第２領域において、犠牲層の側面をすべて覆うようにフォトレジストが残存し、かつ、第１領域の半導体層の上面に残存するフォトレジストの厚さは、第２領域の半導体層の上面に残存するフォトレジストの厚さよりも大きくなるようにフォトレジストを露光し、パターニングする工程と、第１領域の半導体層の上面に残存するフォトレジストに移設用基板を接合させた状態で第１領域の犠牲層をエッチングすることで第１領域の半導体層を第１基板から分離し、当該分離された第１領域の半導体層を第２基板に移設する工程とを含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】重合基板から剥離された被処理基板を適切に保持し、当該被処理基板の搬送又は処理を適切に行う。
【解決手段】剥離システムは、重合ウェハから剥離された被処理ウェハＷを搬送又は処理する際に、当該被処理ウェハＷを非接触状態で保持する保持部６０を有している。保持部６０の保持面６１には、気体を噴出する複数の噴出口６２と気体を吸引する複数の吸引口６３とが形成されている。複数の噴出口６２と複数の吸引口６３は、保持部６０に保持される被処理ウェハＷに対応する位置全体に亘って形成されている。剥離システムにおいて、保持部６０は、被処理ウェハＷを搬送する搬送装置、被処理ウェハＷの表裏面を反転する反転装置、重合ウェハを被処理ウェハＷと支持ウェハに剥離する剥離装置、被処理ウェハＷを洗浄する洗浄装置、被処理ウェハＷを検査する検査装置に設けられている。 （もっと読む）