【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】移動度が高く、Ｓ値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。また、低温又は短時間の熱履歴でも高い特性の得られる電界効果型トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】Ｉｎ元素及びＺｎ元素と、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｃ、Ｙ及びランタノイド類からなる群より選択される１以上の元素Ｘを、下記（１）〜（３）の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．２〜０．８ （１）
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）＝０．２９〜０．９９ （２）
Ｚｎ／（Ｘ＋Ｚｎ）＝０．２９〜０．９９ （３） （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】ＷＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＷＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを落とすことなく成膜可能で、薄膜トランジスタを構成した場合に所望のＴＦＴ特性を示すＩＧＺＯからなる半導体層を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、成膜対象物上にＩＧＺＯ膜を形成する方法であって、酸素ガスの分圧が０．１Ｐａ以下の真空中でスパッタリングによって当該成膜対象物上にＩＧＺＯ膜を形成する成膜工程（Ｐ２、Ｐ３）と、酸素ガス及び窒素ガスを含む雰囲気中で当該ＩＧＺＯ膜に対してアニール処理を行うアニール処理工程（Ｐ５、Ｐ６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】酸化物の半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタであって、各種センサに利用して新しいセンサを作製できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタ１は、非晶質酸化物の半導体薄膜２とドレイン電極３とソース電極４とゲート電極５を備え、ゲート電極５に印加されるゲート電圧に応じて半導体薄膜２にチャネル層が形成されて、ドレイン電極３とソース電極４の間にドレイン・ソース間電流が流れ得るものであって、非晶質酸化物は、弱く結合してバンドギャップ内に欠陥準位を生成する過剰酸素が含まれている。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Ｓｎを添加しながらβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又は前記β−Ｇａ_２Ｏ_３基板上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶膜を形成する工程と、第１の不活性雰囲気中で前記Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶膜に第１のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を製造する。 （もっと読む）