【課題】 本発明は、光半導体装置を効率よく製造でき、特にＬＥＤ、ＬＤをはじめとした光半導体素子を光半導体装置の素子取付部に固定するまでの作業を効率よく行うことができ、光半導体装置の製造の生産性を高めることができる光半導体装置用粘着フィルム、光半導体装置用粘着フィルムシート、及び光半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウエーハから切り出されソーティングされた光半導体素子を基材シート上からピックアップし、前記光半導体素子を光半導体装置内の素子取付部に搭載した後、前記光半導体素子を前記素子取付部に硬化せずに固定するために用いる光半導体装置用粘着フィルムであって、
フィルム状に成形されており、前記基材シート上に配置されており、前記基材シートから剥離できるものであることを特徴とする光半導体装置用粘着フィルム。 （もっと読む）

【課題】接着力をかなり高めることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、アルコキシ基を有するアルコキシ化合物とを含む。該アルコキシ化合物は、ＩＵＰＡＣの周期表における原子番号が４０までの４価の４族原子を有するアルコキシ化合物、又はＩＵＰＡＣの周期表における原子番号が４０までの２価の１２族原子を有するアルコキシ化合物、ＩＵＰＡＣの周期表における原子番号が４０までの３価の１３族原子を有するアルコキシ化合物である。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
テレセントリック光学系と明視野照明と暗視野照明を備え、低重心で小型化された撮像装置を提供する。
【解決手段】
正面（１１）及び背面（１２）を扁平面とする扁平形状に形成されたケーシング（１３）の正面側に前群レンズ（６）を配したアパーチャ（１４）が形成され、ケーシング内で背面側に向けて取り付けられた撮像素子（２）の撮像光軸（Ｘ_Ｃ）が、直角に屈曲されて背面に沿ってテレセントリック光学系（３）の絞り（５）を透過した後、アパーチャの中心軸に沿って正面側に向かって直角に屈曲され、アパーチャの周囲に発光素子を環状に配した暗視野照明ユニット（８）と、撮像光軸から分岐された照明光軸（Ｘ_Ｂ）上で絞りと対応する位置から前群レンズの開口角と略等しい角度で照明光を拡散させる光源装置（２１）を備えた明視野照明ユニット（７）を備えた。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン形成性、パターン形成後の接着性、接着後の耐熱性に優れ、フィルム状に形成した場合には低温貼付性にも優れた感光性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有し、（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂が、ポリイミド樹脂を含み、（Ｂ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含み、（Ｃ）放射線重合性化合物が、アクリレート化合物及びメタクリレート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含み、（Ｄ）光開始剤が特定の化合物を含み、当該感光性接着剤組成物の３％重量減少温度が２７５℃以上である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】フィルム上のアンテナ回路に対してＩＣチップを精度よく搭載することで実装精度を向上させることができるＩＣチップ実装体の製造装置を提供する。
【解決手段】支持ローラ３３の単位回転量を支持ローラ３３の外周面を観察して検出する検出手段１２と、支持ローラ３３の正規回転量に対する回転量の誤差に関する関数を用いて検出した単位回転量に応じた誤差を割り出す割出手段１３と、支持ローラ３３の外周面上における検出手段１２で観察される観察対象位置がＩＣチップ搭載位置まで回転移動する際の正規回転量及び割出手段１３により割り出した誤差から、支持ローラ３３の外周面上における観察対象位置がＩＣチップ搭載位置まで回転移動する際の実際の回転量を求める回転量求め手段１４と、回転量求め手段１４により求められた実際の回転量に基づいて同期ローラ３１の回転を制御する回転制御手段１５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】低弾性率で、かつ高密着性の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物、及び耐半田クラック性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、(A)数平均分子量500以上30000以下、分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体、(B)エチレン性不飽和基を有する重合性モノマー、(C)ラジカル重合触媒、(D)特定のジスルフィド化合物及び(E)充填剤を含有する。半導体装置は、そのような組成物により半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなる。 （もっと読む）

【課題】はんだ接続時の接続不良を低減し、パワー半導体素子を歩留りよく接続することができる接続材料付き半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料１の表面に設けられた電極２となる金属層と、前記金属層の表面であって前記半導体材料の表面に接する面とは異なる面上に設けられた、前記金属層を被接続部材に接続させるための接続金属層５と、を備え、前記接続金属層５は、Ａｌ濃度が０ｍａｓｓ％より大きく１０ｍａｓｓ％以下であるＺｎ−Ａｌ合金、またはＺｎとＡｌとを積層させて形成された積層体からなるものである。 （もっと読む）