【課題】基板デザインに依存せず、ボイドのない半導体装置が簡便に製造できる接着剤を提供することにある。
【解決手段】本発明にかかる接着剤は、チップと配線基板とを未硬化の接着剤を介してダイボンドし、前記チップがダイボンドされた配線基板を加熱し、前記未硬化の接着剤を硬化させて半導体装置を製造するときに、前記硬化が完了する前に、前記チップがダイボンドされた配線基板を、下記式（１）で表される埋め込み指数αが７５Ｋ^-1以下となる条件で、静圧により加圧するとともに加熱する静圧加圧工程とを含む半導体装置の製造方法に用いられる前記接着剤であって、１２０℃における弾性率Ｇが３００００Ｐａ以下であることを特徴とする。
α＝［Ｇ／（Ｐ×Ｔ）］×１０⁶ （１）
（式中、Ｐは常圧に対する圧力（Ｐａ）を示し、Ｔは加熱温度（Ｋ）を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、チップに工程数が増加し、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与する。
【解決手段】チップ用樹脂膜形成用組成物は、金属化合物の表面を有機化合物により修飾してなるゲッタリング剤（Ａ）および硬化性成分（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と実装部材との接合温度以上でも動作可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１の金属を含む面を有する基板３１と、外周領域３１ａに設けられた第１の絶縁材３２および前記第１の絶縁材の上に設けられた導電部３３を有する枠部３６とを有する。半導体素子２０は、前記導電部と電気的に接続可能である。接合金属層５０は、第２の金属と、前記第２の金属内に分散された第３の金属と、前記第２の金属内に分散された第４の金属とを有する。また、接合金属層は、前記第２の金属の重量百分率が前記第３の金属の重量百分率よりも高く、かつ前記第３の金属の重量百分率が前記第４の金属の重量百分率よりも高い固溶体層により、前記半導体素子と前記内部領域とを接合可能である。 （もっと読む）

【課題】薄膜個片の接合面の汚染および薄膜個片の支持層からの脱離を抑制すること。
【解決手段】複数の薄膜個片１０ａ〜１０ｄの上面上にそれぞれ支持層２０を形成する工程と、第１基板５０の下面に設けられた仮固定層４０が前記複数の薄膜個片の上面および側面の少なくとも一部に接するように前記複数の薄膜個片を前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程と、前記複数の薄膜個片の下面を第２基板６０に接合する工程と、前記支持層および前記仮固定層の少なくとも一方を除去することにより、前記第１基板を前記複数の薄膜個片から剥離する工程と、を含む薄膜個片の接合方法。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時のチップ飛びを防止できる程度に十分な粘着力を維持しながら、ピックアップ時にはチップを容易に剥離することができ、ブリードアウトによる接着剤層の汚染も抑制する。
【解決手段】粘着テープ１２は、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂが形成された粘着テープである。粘着テープ１２では、粘着剤層１２ｂの成分として、アクリル系共重合体化合物のイソシアネート基と反応しうる官能基に対し、１官能イソシアネート化合物を５〜１００％相当の官能基比率で含有されている。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子３０と、半導体素子３０を実装する回路層２０が形成された絶縁性を有するセラミックス基板１０と、を備え、半導体素子３０と回路層２０は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも１種類を含有するアルミニウム系ろう材６０により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 （もっと読む）

【課題】サーチ動作又はボンディング前のボンディング点の高さ測定を行うことなしに、高速でボンディングが可能なボンディング装置を提供すること。
【解決手段】上下方向に揺動可能なボンディングアームに搭載されて、被ボンディング部品の表面に位置するボンディング点の合焦点の検出を行う共焦点光学系と、前記ボンディングアームと一体に可動してボンディングを行うボンディングツールと、前記ボンディングツールの位置を検出する位置検出手段と、を有し、ボンディングツールのボンディング点への下降中に、共焦点光学系による合焦点検出により位置検出手段で検出したボンディングツールの位置から、前もって設定したボンディング点までの所定の距離（合焦点基準下降量）をボンディングツールが下降して、ボンディング点上で停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】シリコンダイに亀裂が入ることを防止し、ダイと基板との間の良好なジョイントを提供する。
【解決手段】ダイを基板に取付けるに際しては、ダイと基板との間にジョイントまたは電気カップリングが用いられる。装置は、基板１００と、この基板上に配置されたダイ１２０と、このダイとその基板との間の電気的ジョイントとを備え、この電気的ジョイントは、基板とダイとの間の電気的カップリングを与えるために３００℃以下で焼結されたナノ材料１１０を含む。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】 発光面となる前面側がチップ基板上から浮き上がることなくハンダによって電気的接合することができると共に、ある一定の傾きを有した状態でも安定して電気的接合を図ることのできるＬＥＤチップを提供することである。
【解決手段】 前面１２ａが発光面、背面１２ｂが電極面となるＰＮ接合構造による発光本体１２と、前記背面１２ｂにＰ層及びＮ層の一部が露出する一対のチップ電極１３ａ，１３ｂとを備え、前記前面１２ａ及び背面１２ｂと直交する一側面を載置面１２ｃとして、電極パターンが形成されたチップ基板上に載置されるＬＥＤチップ１１において、前記背面１２ｂ側の一部に、前記載置面１２ｃの一端から延長する底面部１４ａを有して突出する実装支持部材１４を設けた。 （もっと読む）