【課題】所定時間あたりの処理能力を向上できる接着シートおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】接着シートＡＳ１は、基材シートＢＳと、基材シートＢＳの一方の面に設けられた第１接着剤層ＡＤ１と、基材シートＢＳの一方の面に第１接着剤層ＡＤ１を囲むように設けられた第２接着剤層ＡＤ２とを備え、第１接着剤層ＡＤ１は、複数の被着体ＣＰの被着面ＣＰ１の形状に対応した形状に形成され、当該複数の被着体ＣＰを接着可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】吸着ツールに対する半導体チップの位置ずれを補正して被搭載体に搭載可能となり、被搭載体に対する半導体チップの位置精度の向上が図れる半導体装置の製造方法、および、製造装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２を吸着ツール１２で吸着する工程と、吸着ツールに吸着された半導体チップの裏面から赤外線カメラ１３で赤外線画像を撮影することにより半導体チップの表面にあるアライメントマークの位置を検出する工程と、赤外線カメラによって検出されたアライメントマークの位置に基づいて吸着ツールに対する半導体チップの位置ズレを補正して半導体チップを被搭載体３に搭載する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いたＦＥＴを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたＦＥＴが形成されたチップ３０と、前記チップがＡｇペースト２２を用い搭載されたベース１２と、前記チップ３０を封止するガラス転移温度が１９０℃以上の樹脂２０と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】
はんだ接合部中のボイド、界面の接合不良を低減可能なダイボンダ、及びこれを用いたダイボンドプロセスを提供する。
【解決手段】
リードフレーム、又は基板に半導体チップをはんだで接合するダイボンダにおいて、上記リードフレーム、又は基板を搬送する搬送部と、上記リードフレーム、又は基板上にはんだを供給するはんだ供給部と、上記リードフレーム、又は基板上のはんだに半導体チップを搭載、接合する搭載部を備え、上記はんだを上記リードフレーム、又は基板上に供給した後に、炉内で溶融しているはんだ表面の酸化膜を除去する表面清浄化ユニットを有することを特徴とするダイボンダ設備により、ダイボンド品質を向上させる。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率で放熱特性に優れ、接着性が良好で耐湿試験後の信頼性に優れた熱伝導性接着剤組成物並びにそれを用いた接着用シート及び熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂と反応性の官能基をポリマー骨格に有するポリマー、(B)１分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するエポキシ樹脂、及び(C)特定の平均組成式で表される数平均分子量500〜10000のシリコーン化合物で表面処理をした熱伝導率が10W/mK以上の無機充填剤、を含む熱伝導性接着剤組成物；基材と、該基材上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた接着用シート；基材とその上に設けられた粘着剤層とを有するダイシングフィルムと、該ダイシングフィルムの粘着剤層上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルム。 （もっと読む）

【課題】 低タック、低弾性率及び接着強度のすべてを高水準で満足することができるダイボンディング層を印刷法によって形成することができるダイボンディング用樹脂ペースト、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 ダイボンディング用樹脂ペーストは、ブタジエン樹脂（Ａ）、熱硬化性成分（Ｂ）、フィラー（Ｃ）、ゴム状フィラー（Ｄ）、並びに、２５℃、５０％ＲＨの雰囲気下で１時間経過したときの吸湿率が１％未満である溶剤（Ｅ）を含み、ゴム状フィラー（Ｄ）の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｄ）成分の総量を基準として５〜２８質量％である。 （もっと読む）

【課題】耐イオンマイグレーションに優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る半導体装置は、導体ベースプレートと、導体ベースプレートに配置された第１接着剤と、第１接着剤上に配置され、導体ベースプレートと接着される半導体チップと、導体ベースプレート上において、半導体チップと導体ベースプレートとの接合面の外周に配置され、第１接着剤を被覆する第２接着剤とを備え、第１接着剤は、導電性金属成分を含有し、前記第２接着剤は、導電性金属成分を含有していない。 （もっと読む）

【課題】外部振動や機械的衝撃に対して高い信頼性を確保した水晶発振器や表面弾性波デバイスを他の電子デバイスとともに搭載した電子モジュールを提供する。
【解決手段】複数の電子デバイス３ａ,３ｂ、４ａ,４ｂ、５ａ,５ｂの端子部を支持基板１とは反対側の面である上面に露出させて同一平面となるように配置した状態で樹脂６を用いて埋設し、各電子デバイスの露出面にある各電子部品の接続電極あるいは接続端子と接続する配線／回路パターン８を形成する。配線／回路パターン８の一部に設けた外部接続端子を半田ボール９を用いて実装機器のマザーボードに実装する。 （もっと読む）

【課題】銅ナノ粒子を用いた焼結性接合材料の耐酸化性と接合性とを両立するとともに、当該焼結性接合材料を用いて作製した半導体装置等の接合部におけるイオンマイグレーションを抑制する。
【解決手段】粒径1000nm以下の銅ナノ粒子を含む液又はペーストであって、銅ナノ粒子の個数基準の粒径分布の粒径ピークは、粒径が1〜35nmの区間、及び、粒径が35nmより大きく1000nm以下の区間にそれぞれ一つ以上あり、銅ナノ粒子は、単一粒子１５５（一次粒子）と、単一粒子１５５の融合体１５６である二次粒子とを含む焼結性接合材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】接着力をかなり高めることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、アルコキシ基を有するアルコキシ化合物とを含む。該アルコキシ化合物は、ＩＵＰＡＣの周期表における原子番号が４０までの４価の４族原子を有するアルコキシ化合物、又はＩＵＰＡＣの周期表における原子番号が４０までの２価の１２族原子を有するアルコキシ化合物、ＩＵＰＡＣの周期表における原子番号が４０までの３価の１３族原子を有するアルコキシ化合物である。 （もっと読む）