【課題】本明細書では、半導体素子の表面に形成されている電極パッドを従来の半導体装置よりも小型化し得る技術を提供する。
【解決手段】本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、半導体素子２０の表面に形成されている信号パッド４０と、リードフレーム６０の一端側に備えられる爪部６２の先端と、を対向させ、次いで、信号パッド４０と爪部６２の先端とが対向する状態を維持したまま、コンプレッションモールド法によって、半導体素子２０と、メインパッド３０と、信号パッド４０と、リードフレーム６０の一端側と、ボンディングワイヤ７０の一端側とをモールド樹脂で封止する。コンプレッションモールドでは、その成形圧力によって爪部６２の先端を信号パッド４０方向に付勢することで、リードフレーム６０と信号パッド４０とを電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】信号特性の劣化を抑制した半導体チップを提供する。
【解決手段】半導体基板１１の少なくとも一方の面に形成された終端パッド１５と、一端が終端パッド１５と接続されて、半導体基板１１を貫通して形成された伝送体１４と、ミリ波帯高周波信号が伝送体１４を伝送した際の信号特性の劣化を抑制する少なくとも１つ以上の信号劣化抑制部と、を備える。また、上記半導体チップ１０と、低周波信号又は直流バイアスの少なくとも１つの信号の伝導路をなす低周波用の信号線路が設けられると共に、半導体チップ１０がバンプ接続に搭載されて、低周波信号用の信号線路を介した信号を半導体チップ１０に入出力されるチップ搭載基板２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ・パッケージにおけるアンダーフィル工程の改良に関するものであり、接合部分（電極端子）の補強を確実にすると共に、フィレットを好適な形状で形成し、半導体素子（チップ）の剥離，クラックなどの発生を抑制し、接続信頼性の高い半導体装置を得ることのできる半導体パッケージ用基板を用いた半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の表面に半導体素子をフリップチップ実装して、配線基板と半導体素子との間をアンダーフィル樹脂で封止する工程を備える半導体パッケージの製造方法において、実装される半導体素子の４隅近傍にあたる配線基板の表面に、充填されるアンダーフィル樹脂を堰き止めるためのブロック状の部材を配置形成する工程を具備することを特徴とする半導体パッケージの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、半導体素子の表面に形成されている電極パッドを従来の半導体装置よりも小型化し得る技術を提供する。
【解決手段】本明細書で開示する半導体装置の製造方法は、半導体素子２０の表面に形成されている信号パッド４０と、リードフレーム６０の一端側に備えられる爪部６２の先端とを対向させ、次いで、信号パッド４０と爪部６２の先端とが対向する状態を維持したままリードフレーム６０を加熱することにより、爪部６２の先端を信号パッド４０に向かって付勢しない直線状態から爪部６２の先端を信号パッドに向かって付勢する湾曲状態へと変化させる。リードフレーム６０が第１状態から第２状態に変化することで、爪部６２の先端が信号パッド４０の表面に押付けられて、リードフレーム６０が信号パッド４０に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とプリント基板で適用可能なプロセスが異なる際に、コストあるいは回路面積の増加を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は、その底面に規則的に配置された複数の裏面電極１０を備える。複数の第１裏面電極１０ａは、Ｍ行Ｎ列（Ｍ、Ｎは４以上の整数）のマトリクス状に配置される仮想的な格子点のうち、半導体装置１の最外周の複数の第１格子点３０ａに対応する箇所に設けられる。複数の第２裏面電極１０ｂは、最外周を除く（Ｍ−２）行（Ｎ−２）列の格子点から複数の格子点を間引いた結果残る複数の第２格子点に対応する箇所に配置される。 （もっと読む）

【課題】表面実装技術において、フラックスの洗浄工程を不要とし、製造コストの削減、生産性を向上させ、硬化後の塗布樹脂及びアンダーフィル樹脂等に気泡やボイド等が全く生じない活性樹脂組成物の提供。
【解決手段】プリント配線基板１表面の少なくとも一部に下記活性樹脂組成物３を塗布し、表面実装部品４をプリント配線基板１上に搭載し、リフロー半田付けを行い、アンダーフィル樹脂１１を充填し、その後、塗布樹脂３及びアンダーフィル樹脂１１を加熱硬化する表面実装技術であって、アンダーフィル樹脂１１の充填前及び／又は後に、真空操作及び／又は塗布樹脂３とアンダーフィル樹脂１１の何れの硬化温度よりも低い温度での加熱を行う。活性樹脂組成物３は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、ブロックカルボン酸化合物１〜５０重量部カルボン酸化合物１〜１０重量部、並びに硬化反応開始温度１５０℃以上の硬化剤１〜３０重量部を含有する。 （もっと読む）

【課題】より簡便に樹脂突起に形成された凹部の深さ（樹脂の除去量）を検査することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の面を有する半導体基板と、前記第１の面に位置する第１電極及び第２電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起及び第２樹脂突起と、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆い、前記第１電極に接続された第１配線と、前記第１樹脂突起の第２の部分を覆い、前記第２電極に接続された第２配線と、を有する構造体を用意する第１工程と、前記第１樹脂突起の前記第１の部分と前記第２の部分の間の第３の部分の一部と、前記第２樹脂突起の少なくとも一部と、を同時にエッチングする第２工程と、前記第２工程後の前記第２樹脂突起の形状から、前記第２工程のエッチングにおける前記第３の部分の除去量が適正であるかを判断する第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型で精密かつ均一な形状のボールを速やかに形成し、ワイヤのループ高を最小化すると共に、ワイヤボンディング用の各種消耗部品の取替え費用及び取替え時間を節約可能にする半導体パッケージのワイヤボンディングシステムを提供する。
【解決手段】ワイヤをボール形成位置に供給するワイヤ供給装置１００と、二酸化炭素レーザビームを少なくとも１本以上出力するレーザビーム出力装置１０と、レーザビーム出力装置から出力されるレーザビームをボール形成位置に案内するレーザビーム案内装置２０と、を含む。これにより、ボールの成形性と生産性とを向上し、ワイヤの物性変性を最小化して、ワイヤのループ高を最小化し、消耗部品の取替え費用及び取替え時間を節約する。 （もっと読む）

【課題】カメラによる突起状電極及び／又はアライメントマークのコントラスト像の認識を容易にし、高精度な接合を行うことのできる半導体チップ接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極、又は、突起状電極及びアライメントマークを有し、マトリックスとしての樹脂成分と樹脂成分に不溶な固体成分とを含有する封止樹脂層が前記突起状電極及び／又は前記アライメントマークを被覆するように設けられた半導体チップを準備する工程と、前記封止樹脂層に対して、６００ｎｍ以上の波長を含む光を光軸が斜めになるように照射し、前記突起状電極及び／又は前記アライメントマークのコントラスト像をカメラにより認識させる工程と、被接合体としての基板又はその他の半導体チップに対して、前記半導体チップの位置調整を行う工程と、前記半導体チップの前記突起状電極と、前記基板又はその他の半導体チップの電極部とを接合するとともに、前記封止樹脂層を硬化させる工程とを有する半導体チップ接合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたＣＳＰ構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起３が形成された部分であるアウターリードとしての２つの厚肉部２Ａ、及び２つの厚肉部２Ａの間のインナーリードとしての薄肉部２Ｂを有するリードフレーム５Ａと、ボンディングワイヤ１２を介して薄肉部２Ｂに電気的に接続される半導体チップ１１と、リードフレーム５Ａ及び半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１４と、を含み、リードフレーム５Ａの上面及び下面の樹脂パッケージ１４に接触する部分に、突起３に平行な線状の微小溝４Ａ、４Ｂが形成され、微小溝４Ａ、４Ｂの深さは前記突起の高さよりも小さく、２つの厚肉部２Ａの一部が樹脂パッケージ１４の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 （もっと読む）