【課題】第１リードフレームと第２リードフレームとの間に搭載部品が３個のみ挟み込まれてなる半導体装置において、第１〜第３搭載部品と第２リードフレームとが未接合となることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】搭載部品３０〜５０におけるはんだ３１〜５１、３５〜５５が配置される部位の中心を搭載部品３０〜５０の中心点３０ａ〜５０ａとしたとき、３個の搭載部品３０〜５０のそれぞれの中心点３０ａ〜５０ａを結ぶ線分にて三角形１００が構成される状態で３個の搭載部品３０〜５０を挟み込む。 （もっと読む）

【課題】ＡＣＦを貼付した際に生じる気泡によって位置決め用のマークを検出する時に不具合が生じることを防ぐ。
【解決手段】ＦＰＤモジュール組立装置１０は、ＡＣＦ１１０を貼付したＴＡＢ１０２に光Ｌを照射する光源１３１と、ＴＡＢ１０２を透過した光Ｌを撮像する撮像部１３３と、光源１３１から出射した光Ｌを拡散させる拡散機構１３２と、を備える。そして、拡散機構１３２による光の拡散率は、１０％以上に設定される。 （もっと読む）

【課題】ＣｕまたはＣｕ合金からなる通電部材（電極端子）に、Ｃｕ成分を含有しないはんだを使用しても、通電部材側とはんだとが十分な接合強度を発現するはんだ接続用通電部材、配線用基板及びめっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ＣｕあるいはＣｕ合金を含む通電部材１上に、ピンホール７を有する置換Ｓｎめっき皮膜５と、電解Ｎｉめっき皮膜４と、電解Ｐｄめっき皮膜３と、電解Ａｕめっき皮膜２と、がこの順に積層されているはんだ接続用通電部材である。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、コストに優れた、狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を有する半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子をフリップチップ実装する配線基板の最上層の導体回路上に、複数の金属ポスト形成用のソルダーレジスト開口を有するソルダーレジスト層を設け、シード層（無電解金属めっき）を形成し、ソルダーレジスト開口と対応する位置にレジスト開口が形成されたドライフィルムレジスト層を形成し、電解金属めっきで金属ポストを形成した後、前記開口内に前記ドライフィルムレジスト層の表面と同等の高さまではんだペーストを充填する工程を含む。はんだを形成する手法として採用されていた電解めっき工法に替わり、はんだペーストの充填（印刷）手法を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の周囲温度が外因により上昇したり、半導体素子で発生する熱が高温化した場合であっても、接合部にかかる熱応力を軽減して接合部の信頼性を向上し、かつ高電気電気伝導を両立した配線材料および、それを用いた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】金属からなるコア層１１１と、金属と繊維１０３からなるクラッド層１１２と、を有し、コア層１１１は、銅または銅を含む合金であり、クラッド層１１２は銅または銅を含む合金と、銅よりも低い熱膨張係数を有する繊維１０３で構成され、配線材料１００は、コア層１１１の少なくとも一方側の面が、クラッド層１１２と密着した積層構造をしており、クラッド層１１２における繊維１０３は、コア層１１１の面と平行に配置される。 （もっと読む）

【課題】低温かつ迅速な硬化処理が可能であり、硬化処理を行う際のプロセスマージンが広く、安定した特性を有し、かつ貯蔵安定性にも優れる回路接続材料を提供すること。
【解決手段】熱可塑性樹脂、ラジカル重合性化合物、ラジカル重合開始剤、ニトロキシド化合物、酸性化合物及び塩基性化合物を含有し、上記ラジカル重合性化合物が、（メタ）アクリロイル基を有し、上記ニトロキシド化合物が、アミノキシル基を有し、上記塩基性化合物が、アミノ基、ピリジル基及びイミダゾイル基からなる群より選ばれる１種以上の官能基を有する、接着剤組成物を含有する、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】低コストで高い耐熱性ワイヤレス接合を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実装基板８と、実装基板８上に配置された信号配線電極１２と、実装基板８上に若しくは実装基板８を貫通して配置されたパワー配線電極６と、信号配線電極１２と電気的に接合可能なゲートパッド電極ＧＰおよびパワー配線電極６と電気的に接合可能なソースパッド電極ＳＰを有する半導体デバイス１６と、信号配線電極１２とゲートパッド電極ＧＰとの間に配置された第１金属粒子接合層１８Ｇと、パワー配線電極６とソースパッド電極ＳＰとの間に配置された第２金属粒子接合層１８Ｓとを備え、半導体デバイス１６が実装基板８上にフリップチップ接続された半導体装置１およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け対象のうちのはんだバンプが形成される表面にスズが付着することを防止すること。
【解決手段】水素ラジカル発生装置３と、浮遊物質捕獲用フィルター５とを備えている。水素ラジカル発生装置３は、はんだ付け対象１０に配置されたはんだに水素ラジカルを照射する。浮遊物質捕獲用フィルター５は、その水素ラジカルが浮遊物質捕獲用フィルター５を通り抜けた後にそのはんだに照射されるように、配置される。そのはんだは、水素ラジカルに照射されたときに、表面に形成された酸化膜が除去され、そのはんだから遊離した浮遊物質を放出する。このようなリフロー処理装置は、その浮遊物質を浮遊物質捕獲用フィルター５が捕獲することにより、はんだ付け対象１０の表面にその浮遊物質が堆積することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおけるチップの熱劣化を防止するとともに、製造効率の低下を防止することができるチップの三次元実装方法を提供する。
【解決手段】チップ積層装置２０のステージ１７上において下のチップ１１に上のチップ１１を積層する際、下のチップ１１の上側表面における各配線１３の端部と上のチップ１１の下側表面に配された各電極パッド１４とを対向させ、且つ両チップ１１の間に加熱によって消失する還元剤を含む粘着剤１５を介在させて両チップ１１同士を粘着させ、積層された複数のチップ１１をチップ加熱装置２４のステージ２２上へ移動させた後、積層された複数のチップ１１を加熱して粘着剤１５を消失させ、さらに加熱を継続して対向する各配線１３の端部と各電極パッド１４とを接合させる。 （もっと読む）