【課題】電子装置とその製造方法において、電極同士の接続信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】第１の電子部品１１の主面１１ａに設けられた第１の電極１３の側面１３ｂを、該第１の電極１３の高さよりも高いバリア層１５で覆う工程と、第２の電子部品２１の主面２１ａに設けられた第２の電極２４にバリア層１５の先端が当接した状態で、第１の電極１３と第２の電極２４とを熱圧着する工程とを有する電子装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ搭載用樹脂基板の板厚がインレット基材の厚みより薄くても、インレット基材の金属ワイヤを精度良くＩＣ搭載用樹脂基板へ配設し、且つＩＣチップも樹脂基板に安定してフリップチップ搭載できる手段を提供すること。
【解決手段】一対の接続用電極を有するＩＣ搭載用樹脂基板を、前記樹脂基板より厚いインレット基材に設けた開口部に収容し、インレット基材の周縁にアンテナとして敷設された金属ワイヤの両端部を前記樹脂基板の一対の接続用電極にそれぞれ接合するにあたり、接続用電極面とインレット基材面とが面一になるように高さを調整した上、金属ワイヤの端部を接続用電極上を開口部を横断するように配置し、次いで上部から接触部を加熱圧着し金属ワイヤと接続用電極とを接続することを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で使用することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１インナー電極と第２インナー電極との積層からなるワイヤー接続領域を合金化防止溝によって第１アウター電極および第２アウター電極と分離することでワイヤーボンディング界面から成長したＡｕ−Ａｌ合金層の進行を抑制し、半導体装置表面のパッシベーション膜のクラックを防止する。 （もっと読む）

【課題】 ２００℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイド発生を抑制し、且つ、基板配線上にメッキされたスズの酸化による導電性物質の生成を抑制する効果を付与することで、高絶縁信頼性を発揮する半導体用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 （ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤と、（ｃ）酸化防止剤と、を含有する、半導体用接着剤組成物であり、前記（ｃ）酸化防止剤がヒンダードフェノール類を含む、半導体用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】第１リードフレームと第２リードフレームとの間に搭載部品が３個のみ挟み込まれてなる半導体装置において、第１〜第３搭載部品と第２リードフレームとが未接合となることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】搭載部品３０〜５０におけるはんだ３１〜５１、３５〜５５が配置される部位の中心を搭載部品３０〜５０の中心点３０ａ〜５０ａとしたとき、３個の搭載部品３０〜５０のそれぞれの中心点３０ａ〜５０ａを結ぶ線分にて三角形１００が構成される状態で３個の搭載部品３０〜５０を挟み込む。 （もっと読む）

【課題】ＡＣＦを貼付した際に生じる気泡によって位置決め用のマークを検出する時に不具合が生じることを防ぐ。
【解決手段】ＦＰＤモジュール組立装置１０は、ＡＣＦ１１０を貼付したＴＡＢ１０２に光Ｌを照射する光源１３１と、ＴＡＢ１０２を透過した光Ｌを撮像する撮像部１３３と、光源１３１から出射した光Ｌを拡散させる拡散機構１３２と、を備える。そして、拡散機構１３２による光の拡散率は、１０％以上に設定される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時の接続信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された保護膜３と、保護膜３の内側に形成されたボンディングパッド電極部４と、ボンディングパッド電極部４に接続するボンディングワイヤ６とを備えており、ボンディングワイヤ６における、ボンディングパッド電極部４とボンディングワイヤ６との接続部の外端部の直下に、保護膜３は配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搭載対象体に対して球状体を確実に搭載する。
【解決手段】内部空間を有すると共に吸着面に複数の吸気口が形成された吸着ヘッド１１と、吸着ヘッド１１における内部空間の気体を吸気して内部空間を負圧とするバキュームポンプ１３と、内部空間が負圧の状態における吸着ヘッドの吸着面に対して球状体を保持している保持部を近接させて吸着面に沿って移動させつつ吸着ヘッドに球状体を供給する供給処理を実行する供給部１２とを備えて、球状体を各吸気口に吸着可能に構成され、内部空間の真空度を調整するバキュームコントローラ１４と、バキュームコントローラ１４を制御する制御部１６とを備え、制御部１６は、供給処理の実行時において、吸着面に沿って保持部が移動する際の移動開始位置からの吸着面に沿った移動距離が長くなるに従って内部空間の真空度を徐々に低下させるようにバキュームコントローラ１４を制御する第１処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】薄型化，狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体素子を搭載する毎に加圧状態で加熱して仮接合を行い、全ての半導体素子を仮接合した後、一括して加圧状態で加熱して本接合を行うことにより、薄型化，狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制して積層することができる。 （もっと読む）

【課題】半田ボールが予め実装された電極側の半田フラッシュを防止できる基板モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】基板モジュール１の製造方法は、電子部品２の表面に設けられた第１の電極２１に実装する、少なくとも錫成分を含む半田ボール４の表面に、半田ボールの比重よりも重く、高融点の銅粒子６１を含む半田ペースト６を付着させる工程を有する。更に、製造方法は、第１の電極が設けられた電子部品の表面を上側に向ける工程を有する。更に、製造方法は、半田ボールを加熱して溶融させ、半田ボールの表面上に付着させた銅粒子を半田ボール内に沈殿させる工程を有する。更に、製造方法は、沈殿した銅粒子と半田ボールの錫成分とで、半田ボールを実装した第１の電極との界面に、半田ボールの融点よりも高融点の第１の金属間化合物層４１を形成する工程を有する。 （もっと読む）