【課題】はんだの高さを確保し、接合の信頼性を向上させることができる接合体、該接合体を用いることで小面積化が可能な半導体装置、該接合体でプリント配線板に接合される半導体装置を有するプリント回路板を提供する。
【解決手段】プリント回路板１００は、半導体素子１が実装され、片面に電極パッド８が形成されたインターポーザ２と、インターポーザ２に対向する片面に電極パッド９が形成されたプリント配線板３と、電極パッド８，９を接合する接合体７０と、を備えている。接合体７０は、はんだ層６０と、電極パッド８，９に接合された金属層５０，５０と、を有している。各金属層５０，５０は、金属粒子同士が結合して形成された金属粒子集合体１０と、金属粒子集合体１０の隙間に埋められたはんだ１１とからなる。 （もっと読む）

【課題】金めっき皮膜を薄くすることが可能で、半導体チップ搭載用基板の製造コストを低くすることが可能である。さらに、微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂を主成分とする絶縁層２１と、絶縁層２１の上に形成された銅回路２２、３、５と、銅回路２２、３、５上の少なくとも一部に形成された電解ニッケルめっき皮膜７と、電解ニッケルめっき皮膜７の少なくとも一部に形成され、金めっき皮膜８を形成したワイヤボンディング用端子と、を有する半導体チップ搭載用基板であって、金めっき皮膜８のニッケルめっき皮膜７とは反対側の面の結晶粒径の平均値が、５μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】低温で接合でき、接合後にはんだバンプの溶融温度を上昇させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の接続部材１１の第１の主面１１Ａに第１の接続パッド１１ａを形成する工程と、半導体チップ２１の回路形成面２１Ａに、第２の接続パッド２１ａを形成する工程と、第１の接続部材の上に半導体チップを、第１の接続パッドが前記第２の接続パッドに、Ｓｎ−Ｂｉ合金よりなるはんだバンプ３１Ａを介してコンタクトするように載置する工程と、はんだバンプをリフローさせ、前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとを接合する工程と、前記接合工程の後、前記第１および第２の接続パッドの一方をアノード、他方をカソードとして、前記アノードから前記カソードへと直流電流を通電し、前記はんだバンプ中のＢｉを前記アノードの側に濃集させ、前記はんだバンプ中のＳｎを前記カソードの側に濃集させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤモジュール組立装置において、表示パネル基板の搭載部材にＡＣＦを貼り付ける際に、気泡の発生を抑制し、ＡＣＦの接着特性を改善する。
【解決手段】テープ上に形成された搭載部材を打ち抜いて、ＡＣＦにより表示パネル基板の周縁部に搭載して、ＦＰＤモジュールを製造するＦＰＤモジュール組立装置で、仮圧着工程において、上刃と下刃とで挟み込み、加熱・加圧することにより、搭載部材にＡＣＦを貼り付ける際に、上刃の搭載部材に接する面に、例えば、シリコンゴムなどの弾性体からなる保護材を、下刃のＡＣＦの下面に接する面に同じくシリコンゴムなどの弾性体からなる緩衝材を設ける。上刃の保護材、下刃の緩衝材は、例えば、それぞれにはめ込まれたＴ型パッドとして形成する。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション（ＥＭ）の耐性があり、ハイエンドの半導体チップにも採用できるようなプロセスとして、半導体チップを３次元積層アセンブリへと多段に形成していく、はんだ接合プロセスの提供。
【解決手段】
電気接合部に異なる融点をもつ２種のはんだを積層させて構成しておき、３次元積層アセンブリを作成するにあたって、チップ積層時（一次）は低温はんだのみを溶融して積層接合して、アンダーフィルによって封止する。マザーボードへの積層時（二次）は高温はんだを溶融させる。マザーボードへの二次実装時においてもそのギャップとバンプ形状を保持することができる。 （もっと読む）

【課題】 無溶剤の熱可塑性残渣を生成し、その熱可塑性残渣がアンダーフィル成分と反応して熱硬化性樹脂を形成する無洗浄フラックス、を提供すること。
【解決手段】 フラックス活性剤としてジカルボン酸、樹脂成分として平均官能基数が約２．０を有するエポキシのプレポリマー、および粘度調整剤として沸点２６０度以下の溶剤を含む無洗浄フラックスが、リフロー時にはんだの酸化膜を除去するとともに、ガラス転移温度が１００℃以下でアンダーフィル塗布時に液状となる熱可塑性エポキシ硬化物を形成する。粘度調整剤としての溶剤は、リフロー中にそのほとんど全量が揮発し、リフロー後、洗浄することなく、アンダーフィルを塗布する際、その硬化物はアンダーフィルと相溶してアンダーフィルに含まれる硬化剤と反応し、アンダーフィルとともに３次元架橋構造を形成できる。 （もっと読む）

【課題】好適に空間を封止することが可能な電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】実装構造体１は、支持部材５と、該支持部材５上にバンプ８を介して実装された複数の圧電素子７と、複数の圧電素子７を共に覆い、複数の圧電素子７と支持部材５との間の空間Ｓを密閉する封止樹脂（樹脂部９）とを有する。複数の圧電素子７は、隣り合う圧電素子７の下面１９ａ間の距離ｄ１が下面１９ａよりも上方側の所定位置間（例えば上面１９ｂ間）の距離ｄ２よりも大きい。そして、樹脂部９は、隣り合う圧電素子７間の間隙Ｗの少なくとも上方側の一部に充填された介在部９ｅを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、脱脂対象であるボンディングワイヤにキズを発生させず、かつ十分な脱脂効果が得られるボンデシィングワイヤの脱脂方法及びこれを用いた被覆ボンディングワイヤの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電気泳動を用いてボンディングワイヤ５を脱脂するボンディングワイヤの脱脂方法であって、
第１のアルカリ溶液３０が収容され、該第１のアルカリ溶液内に前記電気泳動を行うための陽極５０が設けられた第１の槽１０内に前記ボンディングワイヤを浸漬させて通過させる第１の脱脂工程と、
第２のアルカリ溶液４０が収容され、該第２のアルカリ溶液内に前記電気泳動を行うための陰極が設けられた第２の槽２０内に、前記第１の槽内を通過した前記ボンディングワイヤを浸漬させて通過させる第２の脱脂工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに、効率よく複数の半導体素子を製造し得る半導体ウエハーの接合方法および信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハーの接合方法では、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０との間に、フラックス活性を有する硬化剤と、熱硬化性樹脂とを含む接合層６０を介在させて、半導体ウエハー２１０、２２０が積層された半導体ウエハー積層体２３０を得た後に、半導体ウエハー積層体２３０を、加熱しつつ、その厚さ方向に加圧することにより、半田バンプ２２４を溶融・固化するとともに、前記熱硬化性樹脂を硬化して、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０とが固着することにより、接続部（半田バンプの固化物）２２５で、接続部２１２と接続部２２２とが電気的に接続された半導体ウエハー接合体２４０を得る。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２とベース材３との積層構造を有する。半導体チップ２の表面上に電極２１が形成されており、ベース材３の表面上に電極３１が形成されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とが対向すると共に電極２１と電極３１とが突起電極４を介して電気的に接続されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域Ｂ以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル５に分断領域６が設けられている。 （もっと読む）