【課題】加圧加熱部材からの熱が加工対象物へ急激に伝達してしまうことに起因する不具合の発生を抑制する。
【解決手段】加圧加熱装置２００は、加工対象物（例えば、積層体２）を両側から挟み込んで加圧及び加熱する第１及び第２加圧加熱部材５６、５２と、劣熱伝導部材５５と、を有する。劣熱伝導部材５５は、第１加圧加熱部材５６よりも熱伝導率が低い材料により構成され、第１加圧加熱部材５６と加工対象物との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供する。
【解決手段】三次元実装装置１１において、搬送トレイ１６は配置面１６ａａを含む内側トレイ１６ａを有し、且つ該配置面１６ａａに配置された８つの積層チップ２１を搬送し、チャンバ２７は内側トレイ１６ａを収容し、下部ステージ２８はチャンバ２７内において内側トレイ１６ａを載置し、上部ステージ２９は、下部ステージ２８に載置された内側トレイ１６ａにおける配置面１６ａａと平行な押圧面２９ａを有し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９はそれぞれヒータ３３，３９を内蔵し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９が間を詰めるように移動する。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制できるとともに、ＳＯＧ膜の剥離を抑えることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成された半導体基板３上に、ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜１０が形成されており、この層間絶縁膜１０を介して、配線層１２ａ〜１２ｄが半導体素子と電気的に接続されている。さらに、一方面側がボンディング接続されるパッド部１２ｄ（第４配線層１２ｄ）と、層間絶縁膜１０に配置されると共に配線層１２ａ〜１２ｃを接続するビアホール１５ａ〜１５ｃと、ビアホール１５ａ〜１５ｃ内に埋め込まれる導電層１６ａ、１６ｂとを有している。そして、ビアホール１５ａ〜１５ｃは、パッド部１２ｄよりも下方に設けられており、導電層１６ａ、１６ｂの少なくとも一部は、内部に空洞部１７を有している。 （もっと読む）

【課題】 モールドアンダーフィル（Ｍｏｌｄｅｄ Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ；ＭＵＦ）工程のマスキングテープ用粘着剤組成物、およびこれを用いたマスキングテープの提供。
【解決手段】 本発明のモールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物およびそれを用いたマスキングテープは、改善されたアクリル離型粘着層を構成することにより、既存のアクリル離型粘着層のＰＣＢ表面粘着剤残渣（ｒｅｓｉｄｕｅ）および封止材（ＥＭＣ）の種類による表面の跡の問題を改善することができる。これにより、ＰＣＢ表面への粘着剤残渣を防いで、工程不良率を下げることができ、各種のＥＭＣによる表面の跡の問題を改善してＭＵＦ工程に用いられる様々な封止材への適用が可能であるというメリットがある。 （もっと読む）

【課題】ウエハの接合部どうしをＡｕＳｎ共晶接合する工程において、ＡｕＳｎによる密着層の劣化を防ぐこと。
【解決手段】ウエハ１の表面に密着層４を形成し、密着層４の上方にＡｕＳｎとの濡れ性の悪い材料からなる拡散防止層７を積層する。さらに、拡散防止層７の縁よりも引っ込めて拡散防止層７の表面に接着層８を形成し、ウエハ１の表面に接合部３を形成する。一方、ウエハ１１の下面に接合部１３を設け、接合部１３の下にＡｕＳｎハンダ層１９を設ける。ウエハ１とウエハ１１とを向かい合わせ、ＡｕＳｎハンダ層１９を溶融させて接合部３と接合部１３をＡｕＳｎハンダ２２によってＡｕＳｎ共晶接合させる。 （もっと読む）

【課題】ＡＣＦを貼付した際に生じる気泡によって位置決め用のマークを検出する時に不具合が生じることを防ぐ。
【解決手段】ＦＰＤモジュール組立装置１０は、ＡＣＦ１１０を貼付したＴＡＢ１０２に光Ｌを照射する光源１３１と、ＴＡＢ１０２を透過した光Ｌを撮像する撮像部１３３と、光源１３１から出射した光Ｌを拡散させる拡散機構１３２と、を備える。そして、拡散機構１３２による光の拡散率は、１０％以上に設定される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時の接続信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された保護膜３と、保護膜３の内側に形成されたボンディングパッド電極部４と、ボンディングパッド電極部４に接続するボンディングワイヤ６とを備えており、ボンディングワイヤ６における、ボンディングパッド電極部４とボンディングワイヤ６との接続部の外端部の直下に、保護膜３は配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搭載対象体に対して球状体を確実に搭載する。
【解決手段】内部空間を有すると共に吸着面に複数の吸気口が形成された吸着ヘッド１１と、吸着ヘッド１１における内部空間の気体を吸気して内部空間を負圧とするバキュームポンプ１３と、内部空間が負圧の状態における吸着ヘッドの吸着面に対して球状体を保持している保持部を近接させて吸着面に沿って移動させつつ吸着ヘッドに球状体を供給する供給処理を実行する供給部１２とを備えて、球状体を各吸気口に吸着可能に構成され、内部空間の真空度を調整するバキュームコントローラ１４と、バキュームコントローラ１４を制御する制御部１６とを備え、制御部１６は、供給処理の実行時において、吸着面に沿って保持部が移動する際の移動開始位置からの吸着面に沿った移動距離が長くなるに従って内部空間の真空度を徐々に低下させるようにバキュームコントローラ１４を制御する第１処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】薄型化，狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体素子を搭載する毎に加圧状態で加熱して仮接合を行い、全ての半導体素子を仮接合した後、一括して加圧状態で加熱して本接合を行うことにより、薄型化，狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制して積層することができる。 （もっと読む）

【課題】半田ボールが予め実装された電極側の半田フラッシュを防止できる基板モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】基板モジュール１の製造方法は、電子部品２の表面に設けられた第１の電極２１に実装する、少なくとも錫成分を含む半田ボール４の表面に、半田ボールの比重よりも重く、高融点の銅粒子６１を含む半田ペースト６を付着させる工程を有する。更に、製造方法は、第１の電極が設けられた電子部品の表面を上側に向ける工程を有する。更に、製造方法は、半田ボールを加熱して溶融させ、半田ボールの表面上に付着させた銅粒子を半田ボール内に沈殿させる工程を有する。更に、製造方法は、沈殿した銅粒子と半田ボールの錫成分とで、半田ボールを実装した第１の電極との界面に、半田ボールの融点よりも高融点の第１の金属間化合物層４１を形成する工程を有する。 （もっと読む）