【課題】サーチ動作又はボンディング前のボンディング点の高さ測定を行うことなしに、高速でボンディングが可能なボンディング装置を提供すること。
【解決手段】上下方向に揺動可能なボンディングアームに搭載されて、被ボンディング部品の表面に位置するボンディング点の合焦点の検出を行う共焦点光学系と、前記ボンディングアームと一体に可動してボンディングを行うボンディングツールと、前記ボンディングツールの位置を検出する位置検出手段と、を有し、ボンディングツールのボンディング点への下降中に、共焦点光学系による合焦点検出により位置検出手段で検出したボンディングツールの位置から、前もって設定したボンディング点までの所定の距離（合焦点基準下降量）をボンディングツールが下降して、ボンディング点上で停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続されて構成される半導体装置などのように、はんだを用いた電極どうしの電気的接続が行われる電子装置においても、チップなどの電子部品の回路、又は、配線基板の回路を変更する以外の手法で、電子部品の電極の接続先を切り替える。
【解決手段】電子装置（例えば、半導体装置１００）は、複数の第１電極２１０を一方の面上に有する配線基板２００と、複数の第１電極２１０とそれぞれ対応して配置された複数の第２電極３１０を一方の面上に有する電子部品（例えば、チップ３００）を有する。第１電極２１０のうちの少なくとも１つ以上は、複数の分割部分２２１、２２２に分割された特定電極２２０であり、分割部分２２１、２２２が、各々異なる配線２５１、２５２に接続されている。分割部分２２１、２２２のうちの何れか１つ以上が、対応する第２電極３１０とはんだ１１０を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】塗膜形成ステージにおけるペーストの残量管理を適正に行って、ペーストの転写品質を安定させることができる電子部品実装装置および電子部品実装装置におけるペースト転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】検出方向を塗膜形成面２４ａに向けて配設された光センサ１４によってフラックス２５を検出することにより、塗膜形成ステージ２４へのフラックス２５の補給の要否を判断するペースト残量検出手段を備え、補給要否の判断に際し、光センサ１４によるフラックス２５からの反射光の受光量が、残量が適正である場合の受光量の上限値を示す第１の基準値Ｌ１以上であって、かつ残量が過多である場合の受光量の下限値を示す第２の基準値Ｌ２以下の場合に、補給の必要有りと判断する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体チップを積層して貫通電極同士を相互に接続する際、貫通電極の接続端子となるバンプ表面の金属接合層のうち、加熱により流動する層、例えば半田層が押しつぶされて薄膜化すると接合強度が低下する場合がある。
【解決手段】半導体基板の両主面に通常のバンプ構造（第１及び第２主バンプ５１，６９）と共に第１及び第２副バンプ５０，６８を設け、第１及び第２副バンプの少なくとも一方を第１及び第２主バンプよりも高くして、半導体チップの接合時に副バンプ同士が主バンプ同士より先に接触させることで、主バンプ同士の接合マージンを確保して、半田層４９などの加熱により流動する層の主バンプでの薄膜化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】
耐湿信頼性が高く、高温接続条件においてボイド抑制が可能であり、かつフラックス成分を添加することなく、良好なはんだ接合部の形成が可能となる先供給方式に対応した半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤を必須成分としており、酸無水物が下記一般式（１）で表されるコハク酸無水物誘導体である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びに該半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。



［式（１）中、Ｒは炭素数３以上のアルケニル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】低コストで、半田の拡散を抑制し、かつストレスを緩和することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられた下地層１２と、無電解メッキ法により下地層１２上に設けられたＮｉ層１６と、Ｎｉ層１６上に設けられた半田ボール２０と、を具備し、Ｎｉ層１６の半田ボール２０側の領域である第２領域１６ｂは、Ｎｉ層１６の下地層１２側の領域である第１領域１６ａに比べて硬い半導体装置、及び半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け対象のうちのはんだバンプが形成される表面にスズが付着することを防止すること。
【解決手段】水素ラジカル発生装置３と、浮遊物質捕獲用フィルター５とを備えている。水素ラジカル発生装置３は、はんだ付け対象１０に配置されたはんだに水素ラジカルを照射する。浮遊物質捕獲用フィルター５は、その水素ラジカルが浮遊物質捕獲用フィルター５を通り抜けた後にそのはんだに照射されるように、配置される。そのはんだは、水素ラジカルに照射されたときに、表面に形成された酸化膜が除去され、そのはんだから遊離した浮遊物質を放出する。このようなリフロー処理装置は、その浮遊物質を浮遊物質捕獲用フィルター５が捕獲することにより、はんだ付け対象１０の表面にその浮遊物質が堆積することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおけるチップの熱劣化を防止するとともに、製造効率の低下を防止することができるチップの三次元実装方法を提供する。
【解決手段】チップ積層装置２０のステージ１７上において下のチップ１１に上のチップ１１を積層する際、下のチップ１１の上側表面における各配線１３の端部と上のチップ１１の下側表面に配された各電極パッド１４とを対向させ、且つ両チップ１１の間に加熱によって消失する還元剤を含む粘着剤１５を介在させて両チップ１１同士を粘着させ、積層された複数のチップ１１をチップ加熱装置２４のステージ２２上へ移動させた後、積層された複数のチップ１１を加熱して粘着剤１５を消失させ、さらに加熱を継続して対向する各配線１３の端部と各電極パッド１４とを接合させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施形態によると、（ａ）ＩＣ基板上に形成されたバンプパッド上にスズ系金属メッキ層を形成する段階と、（ｂ）ベアチップの電極パッド上にＣｕフィラーを形成する段階と、（ｃ）ベアチップのＣｕフィラーをＩＣ基板の金属メッキ層に載置し、Ｃｕフィラーと金属メッキ層とを接合させる段階と、（ｄ）接合されたＩＣ基板とベアチップとの間を絶縁体で充填する段階と、を含むスズメッキを利用した半導体チップパッケージの製造方法が提案される。また、その方法により製造された半導体チップパッケージが提案される。 （もっと読む）

【課題】銅ワイヤを用いた場合に耐湿信頼性を向上することができ、成形時の銅ワイヤの変形とパッケージの反りも抑制することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、および無機充填剤を必須成分として含有し、半導体素子の電気接続に銅ワイヤを用いたエリア実装型パッケージの成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、次の式（I）：
【化１】


で表わされ、加水分解性塩素量が１０〜２０ｐｐｍのビフェニル型エポキシ樹脂を含有することを特徴としている。 （もっと読む）