【課題】バンプを有する第１の部品を、当該バンプを介して第２の部品に接合してなるバンプ接合構造体の製造方法において、沈み込み量のばらつきを抑制して安定した接合が実現できるようにする。
【解決手段】バンプ１３への超音波振動の印加を開始し、当該超音波振動の印加を続けながら、第１の荷重Ｆ１よりも大きい第２の荷重Ｆ２を、第１の部品１０および第２の部品２０に印加することにより、第１の工程の終了時点よりも更に第２の部品２０側へ第１の部品１０が沈み込むようにバンプ１３を潰して接合させる第２の工程において、第１の部品１０の第２の部品２０側への沈み込みによる変位量を沈み込み量としたとき、第２の工程では、第２の工程における沈み込み量ｘ２をモニタし、当該沈み込み量ｘ２が所定値になった時点で、超音波振動の印加を停止し、第２の荷重Ｆ２の印加のみとする。 （もっと読む）

【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる接着剤フィルム回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物４ｂ及び導電粒子５を含有する導電性接着剤層３ｂと、接着剤組成物４ａを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層３ａと、を備え、導電性接着剤層３ｂに含有される接着剤組成物４ｂが、（ａ）フィルム形成材、（ｂ）エポキシ樹脂、（ｃ）潜在性硬化剤及び（ｄ）平均粒径が１μｍ以下である絶縁性微粒子を含み、絶縁性微粒子の配合量が、導電性接着剤層に含有される接着剤組成物の全質量１００質量部に対して、１０〜５０質量部である回路接続用接着フィルム１０に関する。 （もっと読む）

【課題】第２ボンド後のワイヤ引きちぎり性を改善し、その後の第１ボンド前のボール形成時の偏芯およびボール寸法の変動を抑制することによって、安定的なボンディング性を有する合金ワイヤおよびそれを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】合金ワイヤ１０は、リンを５００質量ｐｐｍ以上５００００質量ｐｐｍ以下含み、残部が銅および不可避不純物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】はんだ成分を自己組織化により基板の電極上に偏在させることにより、保存性、運搬性、及び使用時のハンドリング性に優れ、電極上又は対向電極間のみに選択的にはんだバンプ又ははんだ接合を形成できるリフローフィルムを提供し、さらにこれを用いたはんだバンプの簡便な形成方法、これにより形成されたボイドが少なく高さばらつきが少ないはんだバンプ又ははんだ接合及びはんだバンプ付き基板を提供する。
【解決手段】ポリビニルアルコールと、はんだ粒子とを含むフィルムであって、前記ポリビニルアルコールの平均重合度が１００〜１０００であり、はんだ粒子は前記フィルム中に分散していることを特徴とするリフローフィルム２１、及び基板１０の電極面１２側に前記リフローフィルムを載置する工程、さらに平板２２を載置して固定する工程、加熱する工程及び前記リフローフィルムを溶解除去する工程を含むはんだバンプ形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップを構成する第１及び第２のバンプ電極の頂部の位置のバラツキを抑制することで、第１のバンプ電極と他の基板（例えば、半導体チップや配線基板）とをフリップチップ接合した際の電気的接続信頼性を向上させることの可能な半導体チップ及び半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板３５と、基板３５の一面３５ａに配置された電極パッド３６と、電極パッド３６を露出するように、基板３５の一面３５ａに設けられた絶縁膜３７と、電極パッド３６上に設けられた第１のバンプ電極４１と、絶縁膜３７上に設けられた第２のバンプ電極４２と、を有し、第２のバンプ電極４２が第１のバンプ電極４１よりも小さい径で構成されている。 （もっと読む）

【課題】はんだ成分を自己組織化により基板の電極上に偏在させることにより、保存性、運搬性、及び使用時のハンドリング性に優れ、電極上に選択的にはんだバンプ又ははんだ接合を形成できるリフローフィルムを提供し、更にこれを用いたはんだバンプ又ははんだ接合の簡便な形成方法、これにより形成されたボイドが少なく高さばらつきが少ないはんだバンプ及びはんだバンプ付き基板を提供する。
【解決手段】ポリビニルアルコールと、分子量５００以下の水に溶解または分散する化合物と、分散したはんだ粒子とを含むフィルム２１であって、前記分子量５００以下の化合物はポリビニルアルコール１００質量部に対して２０〜３００質量部であるリフローフィルム、および基板１０の電極１２面側に前記リフローフィルムを載置する工程、さらに平板１２を載置する工程、加熱する工程、及び前記リフローフィルムを溶解除去する工程を含むはんだバンプ形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理する。
【解決手段】ウェハＷのアライメント領域１３上に純水Ｐを供給する（図９（ａ））。テンプレート２０をウェハＷの上方に配置する（図９（ｂ））。純水ＰによってウェハＷの処理領域１２の上方にテンプレート２０のめっき液流通路３０が位置するように、テンプレート２０とウェハＷを位置調整する（図９（ｃ））。テンプレート２０を下方に移動させる（図９（ｄ））。めっき液流通路３０にめっき液Ｍを供給する（図９（ｅ））。テンプレート２０の第１の親水領域４１と処理領域１２との間にめっき液Ｍを充填する（図９（ｆ））。めっき処理を行い、ウェハＷの貫通電極１０上にバンプ１１０を形成する（図９（ｇ））。 （もっと読む）

【課題】チップあたりの端子数の増大に伴って、フリップチップ実装が種々の形態で実施されている。しかし、バンプピッチの微細化およびバンプの鉛フリー化によって、エレクトロマイグレーション耐性の確保がますます重要となっている。
【解決手段】本願の発明は、フリップチップ型の半導体集積回路装置において、チップの第１の主面上に形成された多数のＵＢＭパッド状の各々に設けられた半田バンプの中間部には、上下を分割する前記半田バンプとは異なる材質の金属隔壁が設けられているものである。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制し、かつ、半導体チップ上面への這い上がりを生じにくい電子部品用接着剤を提供する。また、該電子部品用接着剤を用いた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性化合物と、硬化剤と、無機充填剤とを含有する電子部品用接着剤であって、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定した５ｒｐｍでの粘度をＡ１（Ｐａ・ｓ）、０．５ｒｐｍでの粘度をＡ２（Ｐａ・ｓ）としたとき、Ａ１とＡ２／Ａ１とが図１の実線及び破線で囲まれた範囲内（ただし、実線上は含むが破線上は含まない）であり、前記硬化性化合物１００重量部に対して、前記硬化剤の配合量が５〜１５０重量部、前記無機充填剤の配合量が６０〜４００重量部である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】集積回路間の縮小化の要求に応えた、安定した接合強度を有する純銅にＰｄを被覆したボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】集積回路素子電極ａと回路配線基板導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。芯材１が純銅及び不可避不純物からなり、その芯材１の外周全面に、Ｐｄによる厚みｔ_２：０．０１０〜０．０９０μｍの被覆層２を形成し、その表面に０．０００１〜０．０００５μｍ厚ｔ_３の炭素濃縮層３を形成する。また、調質熱処理の炉温度：４００℃以上８００℃以下、同処理時間は０．３３〜１秒で行なって、室温での引張試験による引張強さＴＳ_Ｒと２５０℃での引張試験による引張強さＴＳ_Ｈの比（ＨＲ＝ＴＳ_H／ＴＳ_R×１００）を５０〜７０％とする。その炭素濃縮層３は、伸線時の潤滑剤の洗浄度合によって形成する。 （もっと読む）