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国際特許分類[H01L21/60]の内容

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【課題】微細ピッチに対応可能なバンプ電極の形成用具及びその製造方法を提供すること、並びに当該バンプ電極形成用具を用いるバンプ電極の製造方法を提供すること。
【解決手段】バンプ電極形成用具は、少なくとも1つの凹部を有するプレートと、凹部の内壁を被覆するように形成された第1導電材と、第1導電材上に供給されると共に、凹部に充填された第2導電材と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電子部品と基板とを熱加圧によって異方性接続させる際に、電子部品がいわゆるスプリングバック生じて異方性接続部材から剥離することを抑制し、接続構造体において高い接続信頼性を実現する。
【解決手段】ガラスパネル11とFPC13とを異方性接続する際、一方の面にFPC13の配線電極13bの配線パターンに応じたパターンの凸部14bが形成されている緩衝材14をFPC13上に配置する。緩衝材14の凸部14bとFPC本体13aの配線電極13bが形成されていない面とを対峙させ、凸部14bがFPC13の配線電極13bの直上方向に位置するように緩衝材14を配置する。 (もっと読む)


【課題】複数箇所に存在する細長い像を高解像度で一度に撮像する。
【解決手段】基板200に部品を実装するための部品実装装置100であって、撮像領域120が矩形である撮像手段150と、撮像領域120の長手方向に沿って入射する第一光301の第一光路111を撮像領域120の短手方向に分割される第一領域121を通過する第一撮像光路131に変更する第一反射部材101と、撮像領域120の長手方向に沿い第一光301と反対向きに入射する第二光302の第二光路112を第一領域121と短手方向に並ぶ撮像領域120内の第二領域122を通過する第二撮像光路132に変更する第二反射部材102とを備える。 (もっと読む)


【課題】高密度のバンプピッチに対応可能な半導体パッケージ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層101に接続パッド103を含む回路が形成されたベース基板と、ベース基板上に形成され、接続パッド103を露出させるオープン部を有し、ポリイミドを含む保護層106と、保護層106のオープン部の接続パッド上に形成されたシード層110と電解メッキ層114からなるポストバンプ115とを含んでなる半導体パッケージ基板。 (もっと読む)


【課題】スループット良く、銅を異方的にエッチングすることを可能とするとともに、銅を用いたバンプ電極を短時間で形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】内部配線153上に絶縁膜156を形成する工程と、絶縁膜156に内部配線153に通じる開口157を形成する工程と、開口157が形成された絶縁膜156上に、銅膜101を形成する工程と、銅膜101上に、バンプ電極形成パターンに対応したマスク材102を形成する工程と、マスク材102をマスクに用いて、銅膜101を異方的にエッチングし、バンプ電極を形成する工程と、とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 チップを積層させてワイヤ接続する構造であっても、半導体装置の大型化を極力抑制可能な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置200は、一方の面に接続パッド15を有する配線基板1と、配線基板1の一方の面に階段状に積層され、回路と、表面に設けられた電極パッド19を有する複数の半導体チップと、電極パッド19と接続パッド15を一段ずつ階段状に接続するワイヤ17を有し、複数の半導体チップは、回路と共通された第1の電極パッド19aと、第2の電極パッド19bと、回路から独立した中継パッド19cとが階段部分に共通した順番で設けられ、第1の電極パッド19aは、互いに共通接続されて接続パッド15に接続され、第2の電極パッド19bは、中継パッド19cを介して接続パッド15に接続される。 (もっと読む)


【課題】 撥液処理を施すことなく、基板表面に細線化した導電性パターンを高い密着性を以って形成する方法を提供する。
【解決手段】 基板表面に金属と結合する基を持つ化合物層を形成する工程と、
前記化合物層を加熱しながら、前記化合物層表面に金属ナノ粒子分散インクをパターン状に塗布して金属ナノ粒子分散インク層を形成する工程と
前記金属ナノ粒子分散インク層を焼結する工程と
を含むことを特徴とする導電性パターンの形成方法。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を基板に実装させる時にフラックスを使わなくても、高い信頼性でパッケージできる半導体素子パッケージ及びそのパッケージング方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子パッケージは、半導体素子と対向する基板の対向面には半導体素子が配置される収容領域の周辺部を取り囲む多数の突出物が設けられ、収容領域の大きさは、半導体素子の大きさよりも大きく形成され、突出物は基板上にパターニングされた金属配線に接着されて形成される。また、本発明のパッケージング方法は、基板で半導体素子が配置される収容領域の周辺部を取り囲むように基板に突出物を形成する段階と、半導体素子を突出物の内側の収容領域に落下させる段階と、半導体素子を基板上に実装させる段階とを含み、収容領域の大きさを半導体素子の大きさよりも大きく形成し、突出物は基板上にパターニングされた金属配線に接着されて形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 アンダーフィル材が受ける熱応力を低下させて、半導体装置の信頼性を向上すること。
【解決手段】 複数の辺部及び複数の角部を含む輪郭の実装面を備える電子部品と、前記電子部品の実装面に対向する被実装面を備え、前記電子部品の角部に対向する位置に凹部が形成された回路基板と、前記電子部品及び前記回路基板間に設けられ、前記回路基板と前記電子部品とを電気的に接続する接続部と、前記凹部に埋め込まれ、前記電子部品及び前記回路基板よりも剛性が低い第1の部材と、前記電子部品及び前記回路基板間に設けられ、前記電子部品及び前記回路基板よりも剛性が低い第2の部材と、を備える電子装置。 (もっと読む)


【課題】高い精度で位置合わせを行うことができ、かつ、適正な条件で加工を行うことができる部品加工装置を提供する。
【解決手段】第1部材を着脱可能な状態で支持する第1支持台と、第2部材を着脱可能な状態で支持し、第2部材を支持する部分を含む領域が透明部材で形成され、第2部材が支持されている面とは反対側の面から透明部材を介して第2部材が視認できる第2支持台と、第1支持台と第2支持台とを相対的に移動させる移動機構と、第2支持台に支持された部品と第1支持台に支持された第2部材とを密着させた状態で加圧する加圧機構22と、第2部材が支持されている面とは反対側の面から透明部材を介して部品を含む領域を拡大して観察する観察手段26と、を有する。 (もっと読む)


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