【解決手段】ボンディング装置を構成する物品認識装置は、基板のバンプに照明光を照射する第１照明と、該第１照明とは異なる角度から上記バンプに照明光を照射する第２照明と、上記バンプで反射した上記照明光の反射光を撮影する第１撮影手段とを備えている。上記第２照明の輝度を固定したまま、第１照明の輝度を変化させて（Ｓ３）、上記第１撮影手段が撮影した画像のうち、バンプが最も多く認識された画像を撮影した際における第１照明の輝度を記憶する（Ｓ７）。続いて第１照明の輝度を上記記憶した輝度で固定したまま、第２照明の輝度を変化させて（Ｓ９）、上記第１撮影手段が撮影した画像のうち、バンプが最も多く認識された画像を撮影した際における上記一方の照明の輝度を記憶する（Ｓ１３）。
【効果】照明の設定値の設定を容易にかつ安定して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】片持ち梁を有するワークの梁部分とリボンとを良好な接触状態で接合させることのできる接合方法を得ること。
【解決手段】本発明は、片持ち梁３２を有するワーク３０の片持ち梁と接合物３１とを接合させる接合方法であって、中心線Ｃを中心に回転可能に支持された取付部に対してワークを固定するステップと、片持ち梁と接合物とを接合させる接合ツール２０を接合部分に押し当てるステップと、を備え、ワークを固定するステップにおいて、ワークは、中心線から離れた位置で保持されるとともに、片持ち梁と接合物との接合部分が中心線の一部と一致し、片持ち梁が取付部の回転方向と平行な方向に延びるように配置される。 （もっと読む）

【課題】高密度のバンプピッチに対応可能な半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ基板の製造方法は、接続パッド１０３を有するベース基板を準備する段階と、ベース基板上に、ポリイミドを含む保護層１０６および金属層を積層する段階と、金属層および保護層にオープン部を形成して接続パッドを露出させる段階と、オープン部にポストバンプ１１５を形成する段階と、金属層を除去する段階とを含んでなるものである。 （もっと読む）

【課題】実装後の接続信頼性が高く且つ電極パッドの配置密度の低下が生じにくい半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１の上に形成された電極パッド１０２と、電極パッド１０２の上に形成された補強突起電極１０３とを備えている。補強突起電極１０３は、電極パッド１０２と接合されたバンプ１０４及び該バンプを補強するバンプ補強構造１０５を有している。バンプ補強構造１０５は、基板１０１の上に形成され、電極パッド１０２の一部を露出する開口部を有する電極パッド周辺層１４１と、電極パッド周辺層１４１の上に形成され、バンプ１０４の側面の一部を覆う補強樹脂１４２とを含む。バンプ１０４は、開口部を埋め且つ電極パッド周辺層１４１の上に突出し、電極パッド周辺層１４１は、絶縁層１４４と多孔質層１４５とを含み、補強樹脂１４２は多孔質層１４５と接している。 （もっと読む）

【課題】ＴＡＢテープの絶縁層に開口を容易に形成するとともに、開口の縁部におけるバリの発生を抑制したＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔２上に、スクリーン印刷により絶縁性樹脂３を塗布して、金属箔２が露出した開口５を有する絶縁層４を形成する工程と、絶縁層４を硬化して、開口５における縁部が面取り形状である絶縁層４を形成する工程と、金属箔２を、フォトリソグラフィを用いてエッチングして、配線の一部が開口５にて露出する配線パターン７を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】所定値以上の厚みを有するパッドを少ない工程数で形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、アルミ層２２を、半導体基板上に形成された層間絶縁膜１の上方に堆積させる。アルミ層２２上には、アルミ層２４を堆積させる。パッド領域１０２のアルミ層２４の上方に、フォトレジスト７を形成する。フォトレジスト７を用いてエッチングを行うことにより、パッド領域１０２にパッド上層５２を形成するとともに、配線領域１０１のアルミ層２４を除去する。そして、フォトレジスト８を、パッド領域１０２のパッド上層５２を覆い、かつ、配線領域１０１で配線パターンを構成するように形成する。フォトレジスト８を用いてエッチングを行うことにより、パッド領域１０２にパッド下層５１を形成するとともに、配線領域１０１に配線２を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極間に導電性粒子を精度よく配置でき、電極間の導通信頼性を高めることができる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る接続構造体１の製造方法では、第１の電極２ｂと、第１の電極２ｂ上を覆っておりかつ第１の電極２ｂが部分的に露出するように複数の開口Ｘを有する絶縁膜２ｃとを表面２ａに有する第１の接続対象部材２を用いて、第１の接続対象部材２の表面２ａ上に、硬化性成分と導電性粒子５を含む異方性導電材料により異方性導電材料層を積層する。その後、該異方性導電材料層上に第２の電極４ｂを表面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層し、異方性導電材料層を硬化させて硬化物層３を形成する。上記異方性導電材料の６０〜１５０℃での最低溶融粘度は１０００Ｐａ・ｓ以上、１００００Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】ノーマルレジスト構造のランドを有するプリント基板において、ランド上へのはんだ塗布量のばらつきを抑制しつつ、はんだの接続信頼性を向上すること。
【解決手段】ノーマルレジスト構造のランドを有するプリント基板であって、絶縁基材の一面上に形成されたランドの側面と、ランドを外部に露出させる開口部を有して絶縁基材の一面上に形成されたソルダーレジストの開口部側壁面との対向領域に、ランドの側面及び開口部の側壁面に接しつつ絶縁基材の一面から所定の高さを有する固形状の充填部材を設けた。この充填部材は、はんだ付け時のリフローによって溶融され、且つ、ランドの表面に対する濡れ性が、はんだ付け時にランドの上面に配置されるはんだの溶融状態よりも低い樹脂材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、基板の外周部にレジスト残渣が発生することを抑制可能な厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子層の上面に、厚膜レジストを形成する工程と、厚膜レジストを露光する工程と、露光後に、３０〜５０ｒｐｍの範囲内の一定の回転速度で炭化珪素基板を回転させながら、厚膜レジストの上方から現像液を供給することで、厚膜レジストの上面に現像液よりなるパドルを形成し、該パドルにより厚膜レジストを現像して、厚膜レジストに回路素子層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とソース電極との間に印加される電圧がソース電極パッドの電気抵抗による電圧降下で低下することを防止でき、安定した動作を実現できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】このＧａＮ ＨＦＥＴによれば、ボンディング部１６Ｂの第２のパッド部１６Ｂ‐２は、電極接続部１６Ａが含有する複数の接続部分１９のうちの第２の方向(ソース電極１２とドレイン電極１１が対向している方向)の一端に配置された接続部分１９の上記第２の方向の外端を電極延在方向へ延長した仮想延長線Ｌ１に関して第１のパッド部１６Ｂ‐１とは反対側に位置している。第２のパッド部１６Ｂ‐２に接続された第２のソース配線２４のボンディング箇所の第２の方向の位置を電極接続部１６Ａのソース電極１２との接続部分１９の第２の方向の位置と重ならないようにして、ソース電極１２からの電流が第２のソース配線２４に流れにくくできる。 （もっと読む）