説明

国際特許分類[H01L21/82]の内容

国際特許分類[H01L21/82]の下位に属する分類

基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの (27,844)
基板がIII−V技術を用いる半導体であるもの
基板がII−VI技術を用いる半導体であるもの
基板がグループ21/822,21/8252または21/8254の1つに包含されない技術を用いる半導体であるもの
基板が21/822,21/8252,21/8254または21/8256に包含される技術の組み合わせを用いる半導体であるもの
基板が半導体本外以外のもの,例.絶縁体本外のもの (4)

国際特許分類[H01L21/82]に分類される特許

171 - 180 / 3,836


【課題】FPGAのASIC等価物をより効率的、経済的に提供すること。
【解決手段】FPGAのASIC等価物の提供は、複数のいわゆるハイブリッド論理素子(HLE)を含むASICアーキテクチャを使用することによって、促進され、より効率的、経済的に実行される。各HLEは、FPGA論理素子(LE)の完全機能の一部を提供可能である。ユーザの論理設計を実装する各FPGA LEの機能は、ユーザの論理を再合成することなく単一または複数のHLEへとマッピング可能である。必要な数のHLEだけが、各LEの関数を実行するために使用される。LE間および(1)単一のHLEまたは(2)HLE群間の1対1の等価性によって、FPGA設計とASIC設計との間のいずれの方向においてもマッピングが(再合成することなく)促進される。 (もっと読む)


【課題】従来の入出力セルよりも回路面積の大きな入出力セルを面積効率良く配置する。
【解決手段】半導体装置において、複数の第1バッファセル31〜34は、基板の一辺に沿って1列に設けられる。複数の第2バッファセル21,22は、複数の第1バッファセルよりも基板の中央寄りの位置に、複数の第1バッファセルの配列方向に沿って1列に設けられる。複数の第1パッド81〜88は、複数の第1バッファセルの上部に上記配列方向に沿って1列に設けられる。複数の第2パッド61〜66は、複数の第1パッドよりも基板の中央寄りの位置に、上記配列方向に沿って1列に設けられる。複数の第2パッド61〜66は、各々が、複数の第1バッファセルのいずれか1つと個別に接続される複数の第3のパッド61,63,65,66と、各々が、複数の第2バッファセルのいずれか1つと個別に接続される複数の第4パッド62,64とを含む。 (もっと読む)


【課題】低消費電力で、動的コンフィギュレーションにも対応可能なプログラマブルLSIを提供する。
【解決手段】複数のロジックエレメントを有し、複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリを有する。複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、異なる演算処理を行い、且つ、ロジックエレメント間の電気的接続を変更する。コンフィギュレーションメモリは、揮発性の記憶回路と、不揮発性の記憶回路との組を有し、不揮発性の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、当該トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなるノードに一対の電極のうちの一方が電気的に接続された容量素子と、を有する。 (もっと読む)


【課題】3層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板201上に3層以上のn層の導電層202〜204が積層して形成され、n層の導電層がコンタクトパターンを介して接続され、コンタクトパターンが形成される一つの主コンタクト領域には、(n−1)個の導電層202,203を接続する(n−1)個の接続領域211,212を有し、(n−1)個の導電層のうち基板201に対する積層方向(基板201の主面に対する法線方向)において第1層より上層の導電層は、その終端部がコンタクトパターンCPTNの縁の一部に臨むように形成され、(n−1)個の導電層は、第n層の導電層により電気的に接続されている。第n層の導電層は、コンタクトパターンCPTNであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 (もっと読む)


【課題】チップサイズを縮小する。
【解決手段】レイアウト設計方法は、レイアウト設計装置が、半導体集積回路のレイアウト設計を階層別に行う階層レイアウト設計における上位階層において、上位階層の下の階層で配置配線が行われる所定の機能を備えた階層ブロックが配置される領域であって、空きユニットセル配置領域3と階層ブロック用のユニットセル配置領域4とを含む階層ブロック配置領域2を、チップ領域1に設定し、チップ領域1における階層ブロック配置領域2を包囲する周辺領域5のユニットセル配置領域、および、階層ブロック配置領域2内の空きユニットセル配置領域3を用いて、配置配線を行う。 (もっと読む)


【課題】簡易モデルを使用しても、電源ノイズを高精度かつ高速で解析することのできる電源ノイズ解析方法を提供する。
【解決手段】実施形態の電源ノイズ解析方法は、スイッチング部モデル11と非スイッチング部モデル12とを備える簡易モデル1を用い、半導体集積回路のトグル率の時間軸上の変化を表すトグル率時系列データを生成するステップと、トグル率時系列データにもとづいて簡易モデル1の容量CL、Cnswの容量値の時間軸上の変化を表す容量値時系列データを生成するステップと、簡易モデル1および容量値時系列データを用いて電源ノイズの解析を行うステップとを有する。電源ノイズの解析を行うステップは、スイッチング部モデル11のスイッチSWのスイッチング区間ごとに容量値時系列データから該当区間の容量値を取得し、前区間の過渡解析の結果を引き継ぎながら次区間の過渡解析を実行する。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路装置において、レイアウトの面積効率の低下を抑制可能となる、マルチハイトセルのレイアウト構造を提供する。
【解決手段】標準論理セル10は、電源配線または接地配線となるメタル配線12を共有するようにY方向に隣接して配置された第1および第2回路領域A1,A2を備えている。X方向において、第1回路領域A1の両端部の位置x1a,x1bと第2回路領域A2の両端部の位置x2a,x2bとは、少なくともいずれか一方が異なっている。すなわち、標準論理セル10の外形形状CFは、第1および第2回路領域A1,A2の外形形状が矩形であるにもかかわらず、非矩形となっている。 (もっと読む)


【課題】タイミング違反を容易に解消して工数の増大を抑制すること等が可能な半導体集積回路のレイアウト装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路のレイアウト装置は、セルデータを記憶する記憶装置13と、記憶装置13からセルデータを読み出して自動配置配線を行うレイアウト部242と、を備える。また、セルデータは、ターゲットセルに対する配置の状況に応じた遅延をターゲットセルに対して付加する遅延考慮フィラーセルの情報を有する。 (もっと読む)


【課題】キャパシタの電極として機能する配線の延伸方向への電流供給を容易とすること。
【解決手段】第1金属層12と、前記第1金属層の膜厚方向に離間して設けられ、第1方向および前記第1方向に交差する第2方向に配列された複数の孔36を備えた第2金属層14と、前記第2金属層の膜厚方向で前記第1金属層とは反対側に離間して設けられ、前記第1方向および前記第2方向とは異なる方向に延伸し、第1配線と第2配線とが交互に設けられた複数の第1配線16aおよび複数の第2配線16bと、前記複数の第1配線と前記複数の第2配線との間に設けられた誘電体膜26と、前記複数の第1配線を、それぞれ前記複数の孔を通過し前記第1金属層に電気的に接続する複数の第1ビア配線32と、前記複数の第2配線を、それぞれ前記第2金属層に電気的に接続する複数の第2ビア配線34と、を具備するキャパシタ。 (もっと読む)


【課題】ドライバの故障による出力異常を救済することが可能な故障検出救済回路を含んだ半導体装置を提供すること。
【解決手段】故障検知部1は、ドライバ10の出力の期待電位の逆電位となるようにドライバ10の出力にプルアップ抵抗15またはプルダウン抵抗18を接続し、ドライバ10の入力電位と出力電位とを比較することによりドライバ10の故障を検出する。故障救済部2は、故障検知部1によってドライバ10の故障が検出された場合に、期待電位と同電位となるようにドライバ10の出力にプルアップ抵抗26またはプルダウン抵抗29を接続してドライバ10の故障を救済する。したがって、ドライバ10の故障による出力異常を救済することが可能となる。 (もっと読む)


171 - 180 / 3,836