【課題】端子間の接合性に優れ高い信頼性を備えたものにするとともに、端子の狭ピッチ化も容易に対応できる電子装置、電子装置の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、半導体基板１０と、半導体基板１０に形成された貫通孔７内に設けられるとともに半導体基板１０の能動面１０Ａ側に部分的に突出する貫通電極５と、を有し、貫通電極５は、樹脂コア９と、樹脂コア９の少なくとも一部を覆う導電膜１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体パッケージに熱が加えられた場合に、半導体装置と配線基板とを接合する接合部に生じる応力を緩和し、クラックの発生を防止できる半導体パッケージ、及び、その製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 この半導体パッケージは、配線基板と、前記配線基板上に形成された半導体装置と、を有し、前記半導体装置は、半導体チップと、一方の端部が前記半導体チップの一方の面に固定され、他方の端部が前記半導体チップを貫通して、前記半導体チップの他方の面に固定された貫通電極と、を有し、前記貫通電極は、前記半導体チップに形成された空間部により、前記半導体チップの壁面と接触しないように前記半導体チップを貫通し、前記配線基板と前記半導体装置とは、前記貫通電極を介して電気的に接続されていることを要件とする。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜と電極パッドとの界面から水分が浸入することを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】半導体層２と、半導体層２上に設けられたＡｕからなる電極パッド１０と、電極パッド１０上にその端部が位置するように、半導体層２上及び電極パッド１０上に設けられた窒化シリコン膜６と、電極パッド１０の上面の一部及び窒化シリコン膜６の端部に接し、かつ電極パッド１０の上面の他部が露出するように設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる金属層１４と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】外部からの電気的な干渉が十分に低減されるとともに、所望の特性を発揮する容量素子が形成される半導体装置、を提供する。
【解決手段】半導体装置は、主表面１ａを含む半導体基板１と、主表面１ａ上に規定された容量形成領域２２に形成され、所定の方向に延在する複数の配線１１と、容量形成領域２２の周縁に配置された配線１１ｐに隣り合い、所定の方向に延在し、電位固定された複数の配線１２と、主表面１ａ上に形成され、複数の配線１１の各々の間と、隣り合う配線１１および配線１２の間とを充填する絶縁体層５とを備える。複数の配線１１および１２は、主表面１ａに平行な平面２１内においてほぼ等しい間隔を隔てて配置され、かつ所定の方向に対してほぼ直角方向に並んで配置されている。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構を有する接合型半導体基板を形成するための構造体、設計構造体、及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】 ２つの半導体基板を備える接合型基板が提供される。各々の半導体基板は、半導体デバイスを含む。少なくとも１つの基板貫通ビアが２つの半導体基板の間に設けられ、それらの間に単一の経路を提供する。２つの半導体基板の底側は、冷却機構を含む少なくとも１つの接合材料層によって接合される。１つの実施形態において、冷却機構は冷却チャネルであり、その中を通って冷却流体が流動し、接合型基板内の半導体デバイスの動作中に接合型半導体基板を冷却する。別の実施形態において、冷却機構は、２つの端部とそれらの間の連続した経路を備えた導電性冷却フィンである。冷却フィンはヒートシンクに接続され、接合型基板内の半導体デバイスの動作中に接合型半導体基板を冷却する。 （もっと読む）

【課題】酸素ガスを主に含有したガスでエッチングを行う必要がある金属材料を用いてピラー型電極を形成する際に、ピラー型電極のアスペクト比が高くなると製造が困難になるという課題があった。
【解決手段】層間絶縁膜上に第１〜第６の絶縁膜を積層した後、第１のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第１のフォトレジスト膜をマスクとして第１の溝部を形成する工程と、前記第１の溝部を充填するように電極材料を堆積する工程と、前記第４の絶縁膜上に第７〜第９の絶縁膜を形成した後、第２のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト膜をマスクとして第２の溝部を形成すると共に、前記電極材料をピラー型に残存させる工程と、前記第８、前記第７、前記第４および前記第２の絶縁膜を除去して、前記電極材料からなるピラー型電極を露出する工程と、を有する半導体装置１０１の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造の半導体装置のパッケージ工程や環境試験において、膜剥れが起き難い技術を提供する。
【解決手段】絶縁層中に配線層が構成された下層配線層、前記下層配線層上に設けられた層間絶縁層、前記層間絶縁層の上に設けられた絶縁層中に配線層が構成された上層配線層、及び前記層間絶縁層に構成された前記下層配線層の配線層と前記上層配線層の配線層とを電気的に接続する為の接続層とを具備する半導体装置において、
前記層間絶縁層Ａ７に、該層間絶縁層Ａ７の上層および／または下層に繋がる埋設層Ａ１５が構成され、前記埋設層Ａ１５および接続層Ａ１２を有する層間絶縁層Ａ７の平均弾性率が１０ＧＰａ以上であるよう構成されてなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】外部回路との入出力用電極パッドを周辺部に高密度に配設した半導体チップに対する電源供給時のＩＲドロップを抑え、かつ、特性試験にも対応できる半導体チップを提供する。
【解決手段】半導体チップ１には半導体基板主面の周辺部に複数の第１の電極パッド２、第１の電極パッド２より内側の領域に少なくとも１個の第２の電極パッド３が配設されている。第１の電極パッド２の配列間には第２の電極パッド３の数以上の間隙部が設けられている。これにより、特性試験時には間隙部を通じてプローブカードとのワイヤ接続を容易に行なうことができ、実装時には、主面に第１の電極パッド２と接続するための第１のボンディングパッド５を、反対面には第２の電極パッド３と接続するための第２のボンディングパッド８が配設された配線基板４を用いることにより、第２の電極パッド３とのワイヤ接続を通じて、回路ブロックに短い配線で電源を供給することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ（セミコンダクタ・オン・インシュレータ）基板内の底部半導体層からの半導体デバイスについて強化された信号分離を可能とする半導体構造、これを製造する方法、およびこれを操作する方法を提供する。
【解決手段】底部半導体層１０と反対の導電性タイプを有するドープ接点領域１８は底部半導体層１０内の埋め込み絶縁体層２０の下に設ける。少なくとも１つの導電ビア構造４７，７７は、相互接続レベル金属ライン９４から、中間工程（ＭＯＬ）誘電体層８０、最上部半導体層３０内の浅いトレンチ分離構造３３、および埋め込み絶縁体層２０を通り、ドープ接点領域１８まで延びる構造とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低く、表面粗度が低く反射率が高いタングステンを、ＣＶＤ法により基板上の間隙または凹状特徴部分に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた凹状部分を部分的に充填するタングステンバルクを堆積した後で、堆積されたタングステンの上部分を除去する。上部分の除去は、活性化されたフッ素種に基板を暴露することによって行われる。堆積されたタングステン粒子のうち急峻で突出している突起の頂点を選択的に除去することによって、除去処理は、凹状部分の側壁に沿ってタングステンを研磨することになる。堆積−除去のサイクルを複数回実行して、凹状部分を埋める。このようにして凹状部分が充填されると、ＣＭＰにおいてコアリング（ｃｏｒｉｎｇ）が発生しにくくなる。 （もっと読む）