【課題】良好な放熱効果を有するとともに、薄型化、製造工程数の削減、及び材料コストの節減が可能な半導体モジュール、該半導体モジュールの不良解析方法、及び該半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】メインボード２０上に搭載された電子部品１１と、メインボード２０上に搭載され、凹状の空間を形成するキャビティ部１２ａを有するとともに、電子部品１１をキャビティ部１２ａ内に収納したキャビティ基板１２と、を備えている。電子部品１１の上表面と、キャビティ部１２ａの底面１２ｂとが、半田や導電性接着剤などの接合用材を介することなく、熱伝達が可能な状態で直接的に接触している。 （もっと読む）

【課題】インダクタ部品を含む複数の電子部品の実装面積を低減させ、かつインダクタ部品の特性を向上させることによってインダクタ部品を含む電子装置の低背化を図ること。
【解決手段】インダクタ部品１は、板状の基体部11と、磁性材料を含んでおり基体部11の下面に設けられた脚部12と、平面透視において基体部11の中心部を囲むような形状を有しており基体部11に埋設されたコイル導体13とを含んでいる。脚部12は、コイル導体13の直下に設けられている。電子装置は、インダクタ部品１と、インダクタ部品１の基体部11の下面と脚部12とによって囲まれた空間に設けられたＩＣ素子２とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】集積回路パッケージの誤作動の抑制。
【解決手段】基板３０は、集積回路パッケージ１０及び発振器２０が実装される実装面３２０上に形成され、発振器２０を集積回路パッケージ１０の接続リード１４１に電気接続する接続導体パターン３４１と、実装面３２０上にて発振器２０の周りを一周未満の長さで囲む部分環状に形成され、両端部３４２ａ，３４２ｂ間に接続導体パターン３４１を挟む遮蔽導体パターン３４２と、実装面３２０上にて接続導体パターン３４１及び接続リード１４１を挟む両側に形成され、遮蔽導体パターン３４２の両端部３４２ａ，３４２ｂのうちそれぞれ対応するものを基板３０のグランド端子３４０に電気接続すると共に、実装面３２０上にて重なる集積回路パッケージ１０の一対のグランドリード１４２のうちそれぞれ対応するものに電気接続される一対のグランド導体パターン３４３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電圧変換用ＩＣを内蔵させた多層配線板上に、入力側コンデンサ、並びに出力側コンデンサ及びインダクタを配列してなる電圧変換モジュールにおいて、入力電圧に重畳されるノイズを低減して、安定した出力電圧を得る。
【解決手段】互いに離隔して順次に積層されてなる複数の配線パターン、これら複数の配線パターン間それぞれに位置する絶縁部材、及び前記複数の配線パターン間を電気的に接続する層間接続体を有し、電圧変換用ＩＣ１５が内蔵された多層配線板１０上において、第１のコンデンサ１６、第２のコンデンサ１７及びインダクタ１８を実装し、第１のコンデンサの入力部と記インダクタとの間に、第１のコンデンサにおける他方の電極部又は第２のコンデンサにおける電極部の一方を位置させ、他方の電極部又は電極部の一方を電気的にグランドに設定する。 （もっと読む）

【課題】増幅器用半導体素子による発熱の放熱性を阻害することが無く、複数の回路ブロックを内蔵しても、小型でありながら電気的特性に優れる電子部品を提供する。
【解決手段】積層体に形成されたグランド電極とシールドとに区画された領域に回路ブロックを構成する導体パターンを配置し、積層体の上面であって前記回路ブロックと前記シールドの一部と重なる部位に形成した実装電極１１に増幅器用半導体素子を搭載して、シールドを増幅器用半導体素子の放熱経路とした電子部品。 （もっと読む）

【課題】周波数可変量を容易に調整可能な電圧制御型圧電発振器の提供。
【解決手段】電圧制御型水晶発振器１０は、水晶振動子Ｘ₁と、この水晶振動子Ｘ₁を発振させる発振回路などを含む半導体回路素子としてのＩＣチップ４０と、水晶振動子Ｘ₁に直列に接続されたインダクタンスＬ₁、を有している。インダクタンスＬ₁は、水晶振動子Ｘ₁及びＩＣチップ４０を収容する積層回路基板としてのパッケージの層間に設けられたインダクタ回路パターン、及び、そのインダクタ回路パターンの始端から終端の間に設けられた複数の第１引出端子から層内配線などによりパッケージの表面に引き出されたボンディングパッドａ〜ｄを用いている。ボンディングパッドｂ，ｃ，ｄのいずれかと、ＩＣチップ４０の電極パッド４５とがボンディングワイヤー３７により接続され、インダクタンスＬ₁の終端ａが水晶振動子Ｘ₁に接続される。 （もっと読む）

【課題】比較的安価に製造することができて反りが発生しにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部を備えた板状部材２１の下にフィルムを貼り付ける。次に、開口部の内側のフィルム上に半導体素子２４等を配置し、開口部の内側に封止材２７を注入して半導体素子２４等を封止する。次いで、フィルムを除去した後、板状部材２１及び封止材２７の下に絶縁膜２８を形成する。そして、絶縁膜２８を加工して、半導体素子２４に電気的に接続した端子２８ａを形成する。その後、端子２４ａの下にはんだボール２９を形成する。 （もっと読む）

【課題】集積回路と、これを安定して動作させるためのデカップリングコンデンサが多層回路基板に搭載された電子回路において、インピーダンス特性を動作周波数帯域の全体にわたって所望の数値内に収めることができる電子回路を得る。
【解決手段】集積回路１と、デカップリングコンデンサ２、３、４と、前記集積回路１および前記デカップリングコンデンサ２、３、４が搭載される多層回路基板３０とを備え、前記多層回路基板３０の電源層３１およびグランド層３３の少なくともいずれか一方に形成された、前記集積回路１と前記デカップリングコンデンサ２、３、４の対応する端子間を接続するビアホールが、複数個密集配置された面状のランドを形成していて、前記電源層３１もしくは前記グランド層３３に形成された前記ランドが、所定の間隔で所定幅の間隙を有して断続的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品を高密度に配置するとともに装置全体の小型化を図ることが可能な電子部品の実装構造及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基体１０と、第１基体１０と対向して配置された第２基体２０と、第１基体１０と第２基体２０の間に配置された、両端に電極１１ａ，１１ｂを有する複数の第１受動素子１１と、第２基体２０の第１受動素子１１が配置された側とは反対の側に配置された能動素子２１と、を備え、第１受動素子１１の両端の電極１１ａ，１１ｂのうち一方の電極１１ａは、第１基体１０と接続されており、他方の電極１１ｂは、第２基体２０と接続されるとともに能動素子２１と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ１０と、半導体チップ１０の上に積層された多層配線構造３０と、多層配線構造３０内に埋設された電子部品６０，８０と、を備える。半導体チップは、半導体基板１１と、半導体基板上に形成された内部配線２０と、内部配線を被覆するようにして半導体基板上に形成された封止層１６と、を有し、多層配線構造が封止層上に形成されている。 （もっと読む）