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国際特許分類[H01L25/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体 (14,678)

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【課題】本発明は、モジュール基板をマザー基板に接合する場合の接合強度を十分に保つことができ、マザー基板が変形した場合でもマザー基板から脱落しにくいモジュール基板、及びモジュール基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ベース基板1と、該ベース基板1の少なくとも一面に実装する複数の電子部品2、5と、複数の電子部品2、5を実装したベース基板1をマザー基板20に接続する複数の導体部3とを備えるモジュール基板10である。導体部3は柱状であり、マザー基板20と接続する部分のうちベース基板1の外縁側が、ベース基板1と接続する部分のうちベース基板1の外縁側よりもベース基板1の内側に位置する。 (もっと読む)


【課題】。外装シールドを確実に接地するとともに前記外装シールドと信号配線との短絡を抑制でき、小型・低背化を達成しつつ、生産性の高い半導体モジュールを提供する。
【解決手段】上面に電子部品2が実装された基板1と、上面を封止する絶縁性の封止樹脂層3と、封止樹脂層3の基板1と反対側を覆う導電性の外装シールド4と、封止樹脂層3の内部に配置され、外装シールド4と、基板1に備えられた接地端子13とを電気的に接続する接続部5とを備えた半導体モジュールA。 (もっと読む)


【課題】実装面積の小さな半導体装置(特に、マイクロフォン)を提供する。
【解決手段】カバー44と基板45を上下に重ね合わせることによってパッケージが形成される。カバー44の凹部46天面にはマイクチップ42が実装され、基板45の凹部66上面には回路素子43が実装されており、マイクチップ42は回路素子43の垂直上方に位置している。マイクチップ42はボンディングワイヤによってカバー44の下面に設けたボンディング用パッドに接続され、回路素子43はボンディングワイヤ80によって基板45の上面に設けたボンディング用パッド68に接続されており、カバー44下面のボンディング用パッドに導通したカバー側接合部49と基板45上面のボンディング用パッド68に導通した基板側接合部69は、導電性材料86によって接合されている。 (もっと読む)


【課題】本発明の実施形態は、小型の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、基板と、前記基板の上に配置された制御素子と、を備える。そして、前記制御素子を覆う樹脂と、前記制御素子の上に配置され、前記樹脂に接し前記制御素子により制御されるメモリ素子と、を備え、上面からみて、前記メモリ素子の直下領域内に前記制御素子が配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】バルクCMOSプロセスを用いて製造され、高電圧を発生可能な太陽電池と半導体集積回路とが同一半導体基板上に配置された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路40と第1の太陽電池10及び第2の太陽電池20とが同一半導体基板100上に配置された半導体装置1であって、第1の太陽電池10及び第2の太陽電池20のそれぞれが、内側の半導体領域の底面及び側面をその半導体領域と導電型の異なる半導体領域が取り囲むように、半導体基板100の上部の一部に埋め込まれて積層された複数の半導体領域を備え、第1の太陽電池10と第2の太陽電池20にそれぞれ構成されるpn接合が直列に接続されるように第1の太陽電池10と第2の太陽電池20が直列接続されている。 (もっと読む)


【課題】メッキダレにより水晶片の振動特性の検査に用いて、側面水晶端子が電気的に短絡するのを防止する。
【解決手段】容器本体1の上端面6aにシールリング5をロウ付け11、かつ、水晶端子10を前記容器本体1の側面に設けた表面実装用発振器において、前記容器本体1を複数のセラミック板6,7,8を積層して形成し、前記シールリング5をロウ付け11した前記セラミック板6の下層に積層したセラミック板7の外端面を、前記シールリングをロウ付けした前記セラミック板6より、前記容器本体1の内側へ凹ませて積層したことを特徴とする表面実装用発振器に関する。 (もっと読む)


【課題】ダイシング等で半導体ウエハから切り出された回路チップ(半導体チップ)に生じ易い「基板外縁のマイクロクラック」による回路チップの割れや破砕の発生を抑制する方法を提供する。
【解決手段】回路チップ1の半導体基板の主面を、その輪郭がその主面内において延在方向が曲線のみを介して変化するように形成することで、半導体基板の側面における稜線の発生を抑え、半導体基板の主面や側面に加わる衝撃を半導体基板全体に分散させる。半導体ウエハから斯様な半導体基板を切り出す工程にはドライエッチングを用い、側面の傾斜を抑える。また、半導体基板の主面に形成される電気回路11及びこれに接続される電極の構造の形状並びに配置は、上記主面形状に合わせて最適化される。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の周囲を電磁シールドする。
【解決手段】半導体装置は、基板と、電極が形成されている表面が基板の方向を向くように基板の上に設置された半導体素子と、基板の上に設置されたチップコンデンサと、半導体素子の表面の反対面である背面を覆い、かつ、チップコンデンサの一方の端子電極と接合されている導電材と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ダイの表面上に設置された複数のチップコンデンサーを有する集積回路(IC)パッケージを提供すること。
【解決手段】チップコンデンサーは、挿入基板層を有するダイの最上部上に設置され得る。ダイの最上部上にチップコンデンサーを設置することは、必要とされるパッケージング基板の大きさを低減し得る。一つ以上のワイヤーが、挿入層上のチップコンデンサーをパッケージング基板に接続するために使用され得る。ICパッケージは、蓋とダイの最上部上に設置された熱インタフェイス材料(TIM)とを含み得る。蓋は、蓋の突出部がTIMを介してダイに直接接触するように形成されることにより、熱放散を改善し得る。 (もっと読む)


【課題】良好な放熱効果を有するとともに、薄型化、製造工程数の削減、及び材料コストの節減が可能な半導体モジュール、該半導体モジュールの不良解析方法、及び該半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】メインボード20上に搭載された電子部品11と、メインボード20上に搭載され、凹状の空間を形成するキャビティ部12aを有するとともに、電子部品11をキャビティ部12a内に収納したキャビティ基板12と、を備えている。電子部品11の上表面と、キャビティ部12aの底面12bとが、半田や導電性接着剤などの接合用材を介することなく、熱伝達が可能な状態で直接的に接触している。 (もっと読む)


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